設計・開発エンジニア(半導体)の転職・求人情報一覧(17)

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801825件を表示中
掲載期間:25/01/17~25/03/13
仕事内容
半導体製造装置等、自社製品の機械・構想設計を担当していただきます。
今回のポジションでは、 半導体製造装置や液晶関連製造装置の機械設計をお任せします。 顧客ごとのオーダーメイド製品が主で、 製品…
応募資格
必須
<応募資格/応募条件> ■必須条件:いずれも該当する方 ・学生時代に機械・電気系を専…
歓迎
■歓迎条件: ・何かしらの設計経験・機械工学知識のある方
勤務地
岡山県
年収 / 給与
400万円~549万円
会社概要
■半導体及び液晶製造関連装置の製造・販売 ■電子通信機器の故障解析・修理、表示モジ…
掲載期間:25/01/16~25/03/12
設計・開発エンジニア(半導体)

磁気センサモジュール製品の開発責任者

海外展開あり(日系グローバル企業)上場企業大手企業管理職・マネジャー海外出張英語力が必要土日祝休み
仕事内容
当磁気センサモジュール開発部の責任者候補としてご入社いただきます。 ・磁気センサモジュール製品の開発管理
応募資格
必須
■必須条件: ・OEMもしくはTire1での車両もしくはシステム開発経験 ・海外顧客…
歓迎
■歓迎条件: ・海外赴任経験
勤務地
長野県
年収 / 給与
1000万円~1249万円
会社概要
東証プレミアム上場の電子部品メーカー
掲載期間:25/01/15~25/02/11
仕事内容
創業70年を迎える世界シェア90%の商品をもつグローバル企業/離職率2%/転勤なし
国内外の大手半導体デバイスメーカー様向けの 同社主力製品である (1)「CMP用研磨材(スラリー)」の研究開発、 または (2)…
応募資格
必須
・「理卒(化学分野)」で以下いずれかの条件を満たす方 ・何かしらの化学分野の研究開…
歓迎
・コロイド化学、界面化学、高分子化学、電気化学、  有機合成のいずれかの高い知見と…
勤務地
岐阜県
年収 / 給与
550万円~699万円
会社概要
【研磨材及び鏡面仕上材の製造・加工・販売並びに研磨機械等の販売】 ・半導体シリコン…
掲載期間:25/01/15~25/02/02
設計・開発エンジニア(半導体)

イメージセンサーの技術調査業務

海外展開あり(日系グローバル企業)上場企業大手企業英語力が必要土日祝休み
仕事内容
【リーダー/担当者】イメージセンサー/ディスプレイ領域の研究・開発を担う部署において、デバイスの解析・評価や学会・展示会等での情報収集により、技術動向の調査と開発戦略の提案をする業務です。
■組織の役割 イメージセンサー/ディスプレイデバイスの研究・開発を行う部署に属し、デバイスの解析や評価や、学会・展示会など…
応募資格
必須
【必要となるスキル/経験】 ●必須  ・半導体領域おける開発、もしくは、解析/評価の…
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
750万円~1099万円
会社概要
半導体関連製品と電子 ・電気機械器具の研究、開発、生産、販売事業、およびこれに関…
掲載期間:25/01/15~25/02/02
設計・開発エンジニア(半導体)

イメージセンサーの技術調査業務

海外展開あり(日系グローバル企業)上場企業大手企業英語力が必要土日祝休み
仕事内容
【リーダー/担当者】イメージセンサー/ディスプレイ領域の研究・開発を担う部署において、デバイスの解析・評価や学会・展示会等での情報収集により、技術動向の調査と開発戦略の提案をする業務です。
■組織の役割 イメージセンサー/ディスプレイデバイスの研究・開発を行う部署に属し、デバイスの解析や評価や、学会・展示会など…
応募資格
必須
【必要となるスキル/経験】 ●必須  ・半導体領域おける開発、もしくは、解析/評価の…
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
950万円~1099万円
会社概要
半導体関連製品と電子 ・電気機械器具の研究、開発、生産、販売事業、およびこれに関…
掲載期間:25/01/12~25/02/20
仕事内容
LSI設計オープンポジション/これまでのご経験や得意分野を活かせる業務をご担当。 ロジック設計/ミドルデザイン設計/DFT設計/インプリ・バックエンド設計 経験者の方も教育期間(疑似PJT研修)があり。
【対象製品群】  CMOSイメージセンサ  【業務カテゴリ】※1~4について、これまでのご経験や得意分野を活かせる業務をご…
応募資格
必須
以下、いずれかのご経験をお持ちの方 1.ロジック設計:LSIロジック設計実務経験 2…
歓迎
EDAツールのご経験 ・Mentor社 Tessent (TestKompress…
勤務地
東京都 / 神奈川県 / 大阪府 / 福岡県
年収 / 給与
500万円~699万円
会社概要
■事業内容 ▼設計開発事業 モビリティ業界(CASE)を中心に、AI、クラウド、スマ…
掲載期間:25/01/10~25/03/06
仕事内容
(会社・組織について) ・2022年4月、大手電機メーカーグループの事業会社化に伴い創業した同社は、グローバルに従業員4万…
応募資格
必須
・半導体、電子部品メーカーでのデバイス開発やプロセス開発のご経験のある方。 ・電気…
勤務地
北海道 / 東京都 / 富山県 / 福井県 / 京都府 / 大阪府 / 兵庫県 / 島根県 / 山口県 / 佐賀県
年収 / 給与
500万円~1249万円
会社概要
・電気部品・電子部品・制御機器・電子材料等の開発・製造・販売
掲載期間:25/01/10~25/03/06
仕事内容
(会社・組織について) ・2022年4月、大手電機メーカーグループの事業会社化に伴い創業した同社は、グローバルに従業員4万…
応募資格
必須
・半導体、電子部品メーカーでのデバイス開発やプロセス開発のご経験のある方。 ・半導…
勤務地
神奈川県 / 大阪府
年収 / 給与
500万円~1049万円
会社概要
・電気部品・電子部品・制御機器・電子材料等の開発・製造・販売
掲載期間:25/01/10~25/03/06
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業 ■業務内容: 世界のファンダリ―メーカ…
応募資格
必須
(下記いずれかのご経験のある方) ・パワー半導体デバイスの設計、開発、製造に関して…
歓迎
・日常会話レベル以上の英語力又は中国語力のある方。 (海外エンジニアとのコミュニケ…
勤務地
京都府
年収 / 給与
700万円~1149万円
会社概要
パワー半導体デバイスやモジュールの新規設計開発(ファブレスメーカー)
掲載期間:25/01/10~25/03/06
仕事内容
(職務内容) ・主に電源ICやセンサ等のアナログ半導体を開発製造する外資系半導体  メーカーでお客様や市場からの要望を先取り…
応募資格
必須
・ 理工系学部 大学・大学院・高専で電気、電子、化学系、機械系、物理系などの学部…
歓迎
・半導体業界での業務経験を有している方であれば望ましいが、左記経験は問わない。 ・…
勤務地
富山県
年収 / 給与
400万円~749万円
会社概要
外資系半導体開発製造メーカー
掲載期間:25/01/09~25/03/05
仕事内容
■大手企業からの半導体LSIの受託設計・共同開発におけるデジタル  LSI設計開発職 【具体的には】 ・IP設計 ・ASIC設計…
応募資格
必須
【必須(MUST)】 ・RTL設計・検証経験のある方(目安3年以上)
歓迎
【歓迎(WANT)】 ・画像処理分野でのIC開発経験のある方
勤務地
東京都 / 神奈川県 / 大阪府 / 福岡県
年収 / 給与
400万円~749万円
会社概要
・半導体受託開発、カメラモジュール、半導体検査装置等の開発・販売
掲載期間:25/01/09~25/03/05
仕事内容
■大手企業からの半導体LSIの受託設計・共同開発におけるアナログ  LSI設計開発職。電源、モータードライバ、高速インター…
応募資格
必須
【必須(MUST)】 ・トランジスタレベルの回路設計経験のある方。
歓迎
【歓迎(WANT)】 ・高速インターフェース回路、電源回路の設計経験のある方。
勤務地
東京都 / 神奈川県 / 富山県 / 大阪府 / 福岡県
年収 / 給与
400万円~749万円
会社概要
・半導体受託開発、カメラモジュール、半導体検査装置等の開発・販売
掲載期間:25/01/06~25/02/02
設計・開発エンジニア(半導体)

セラミックス材料/プロセスの開発・設計・製造

大手企業マネジメント業務なし海外折衝英語力が必要
仕事内容
セラミックス材料のプロセスの開発・設計スタッフ
セラミックス材料のプロセスの開発・設計スタッフ セラミックス素材及び、プロセス開発、設計を中心とした業務全般となります。 特…
応募資格
必須
【必須要件】 ●普通自動車第一種免許(通勤用) ●セラミックス素材、プロセス開発、設…
歓迎
【歓迎要件】 ●セラミックス材料およびプロセスの専門知識が豊富な方 ●半導体装置、産…
勤務地
宮城県
年収 / 給与
500万円~949万円
会社概要
日揮ホールデングス(株)の機能性材料の製造を担うグループ会社 通信インフラ関連(5…
掲載期間:24/12/31~25/02/24
仕事内容
◆半導体デバイス開発エンジニア職で下記3職種で人材募集行っております。 (1)SiGe・SiPhoデバイス開発エンジニア  …
応募資格
必須
【必須(MUST)】 ・半導体デバイス・プロセスの開発経験や知識を所持している方。…
歓迎
・RF/光学デバイス・プロセスの開発経験、知識のある方。
勤務地
富山県
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
外資系半導体開発製造メーカー
掲載期間:24/12/30~25/02/23
設計・開発エンジニア(半導体)

【武蔵村山市】半導体検査装置の設計

マネジメント業務なし英語力不問転勤なし土日祝休み
仕事内容
社内の関係部署と連携を取りながら、2DCAD、3DCAD(Solidworks)を用いて、「精密測定器」や「半導体検査装…
応募資格
必須
要普通自動車免許(AT限定可)、機械設計などの知識がある方、2DCADを使ったこ…
歓迎
3DCADの使用経験者
勤務地
東京都
年収 / 給与
400万円~599万円
会社概要
精密機器の試作開発及び設計・製作
掲載期間:24/12/29~25/02/22
設計・開発エンジニア(半導体)

PCBの回路設計及びアートワークエンジニア

海外展開あり(日系グローバル企業)上場企業大手企業海外出張海外折衝土日祝休み
仕事内容
ソリューションSoCビジネスにおいて、PCB含めたシステムレベルでの検討、提案が必須である。 また、評価ボードの開発、提供要望が顧客から増えてきている状況。
●メイン業務 ・評価ボードの仕様検討、回路設計、アートワーク設計 ・パッケージ/PCB協調設計におけるアートワーク設計及びシ…
応募資格
必須
●必須の要件 ・プリント基板設計フローの理解と経験 ・PCBのアートワーク設計経験 ・…
歓迎
英語力 TOEIC 500点以上
勤務地
神奈川県 / 愛知県 / 京都府
年収 / 給与
800万円~999万円
会社概要
半導体製品(SoC、システムLSI)及び関連製品の開発・設計・製造委託・販売 当社…
掲載期間:24/12/16~25/02/09
設計・開発エンジニア(半導体)

パワーデバイスの設計開発エンジニア

上場企業海外出張英語力不問転勤なし土日祝休み
仕事内容
中国系半導体メーカー日本法人 パワーモジュールの開発設計
応募資格
必須
自動車、電機関係のインバーター、パワーモジュール、業務に関係したことがある方
歓迎
向上心ある方の
勤務地
東京都
年収 / 給与
600万円~1349万円
会社概要
パワーデバイス等半導体部品メーカー
掲載期間:24/12/16~25/02/09
設計・開発エンジニア(半導体)

半導体ソリューション部門長

上場企業大手企業管理職・マネジャー海外出張海外折衝英語力が必要土日祝休み
仕事内容
車載用半導体品質・調達・戦略 総合的管理責任者
応募資格
必須
上記経験者 車載用ECUの知識要
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
1900万円~1949万円
会社概要
国内系大手機械電気部品メーカー
掲載期間:24/12/10~25/02/03
仕事内容
パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただきます。 エネ…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
掲載期間:24/12/10~25/02/03
仕事内容
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
掲載期間:24/12/10~25/02/03
仕事内容
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイ…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
掲載期間:22/11/30~25/02/02
設計・開発エンジニア(半導体)

車載用パワーモジュールの設計開発(パワー半導体)/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただ…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~25/02/02
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの設計開発/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~25/02/02
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの試作エンジニア/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~25/02/02
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
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Q.
掲載されている転職情報の企業名が非公開となっている場合が多いように思います。社名はどの段階で公開されるのでしょうか?
A.
人材紹介会社が保有している転職情報の中には、一般公募をしていない転職情報や企業から非公開で依頼を受ける転職情報もあるため、社名を非公開にして掲載する転職情報が多数あります。

ご興味のある転職情報がございましたら、まずはエントリーをいただき、その後、担当のコンサルタントと面談を行い、会社名や転職情報の詳細をご確認いただいて、実際に求人企業に応募するかを判断していただければと思います。
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