設計・開発エンジニア(半導体)/1450万円の転職・求人情報一覧

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掲載期間:24/04/18~24/05/01
仕事内容
多国籍テクノロジー企業のパワーデバイス設計ポジションです。 SiC/IGBTパワーデバイスの研究開発をリードし、最先端かつ高性能で競争力のあるソリューションに注力していただきます。
・SiC/IGBTパワーデバイスの研究開発を行う。 ・最先端、高性能、高信頼性のパワーデバイスの研究開発をリードする。 ・最…
応募資格
必須
・半導体関連技術における20年以上の実務経験 ・SiC/IGBTパワーデバイスの研…
勤務地
神奈川県 / 大阪府
年収 / 給与
1600万円~1999万円
会社概要
世界170以上の国や地域でビジネスを展開する大手外資系サプライヤーの日本法人。I…
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掲載期間:24/04/16~24/04/29
設計・開発エンジニア(半導体)

デザインエンジニア

外資系企業海外展開あり(日系グローバル企業)新規事業英語力が必要
仕事内容
【外資系 アナログ半導体メーカー/大分、東京、大阪】デザインエンジニア
担当する業務の概略 設計エンジニアは、既存のアーキテクチャ、ソリューション、および機能に基づいて、既存のデバイスファミリー…
応募資格
必須
<必要とされる職歴> 電子工学の学士または修士 アナログICの設計とレイアウト SPI…
勤務地
東京都 / 大阪府 / 大分県
年収 / 給与
1400万円~1499万円
会社概要
ダイオード、トランジスタ、MOSFET、ESD/TVS保護デバイス、ロジックなど…
掲載期間:24/04/16~24/04/29
設計・開発エンジニア(半導体)

SERDES PHY Designer

外資系企業ベンチャー企業転勤なし土日祝休み
仕事内容
【外資系半導体メーカー】Serdes PHY 設計経験者(アーキテクト)(特にMIPI設計経験者)
高速インターフェースの回路設計開発,アーキテクト (1)SerDes用のアナログフロントエンド回路の設計、レイアウト設計 (…
応募資格
必須
【求める学歴】 大学卒以上 【求める経験】 ・半導体設計経験 ・Serdes設計開発経験…
勤務地
東京都 / 神奈川県 / 京都府
年収 / 給与
1400万円~1499万円
会社概要
半導体設計開発
掲載期間:24/04/16~24/04/29
仕事内容
【半導体メーカー/東京】アナログデザインチームリーダー(マネジャー、又はシニアマネジャー)
・エンジニアのチームを管理して、プロジェクトの目標を達成します。採用とトレーニング、リソースの割り当て、 スケジュールの計…
応募資格
必須
求める学歴:大学卒以上、電気工学または関連分野の修士号。インダストリー業界で10…
勤務地
東京都
年収 / 給与
1400万円~1599万円
会社概要
ファブレス半導体メーカー  スマートフォン、デジタルテレビ、光ディスクデバイス用半…
掲載期間:24/04/09~24/06/03
仕事内容
募集職種 ■メモリープロセス・エンジニア ■メモリープロセス・インテグレーション・エンジニア ■メモリープロダクト・エンジニア…
応募資格
必須
下記のいずれかの知識と経験を保有されている方(基本的に3年以上経験を有する方) ■…
歓迎
外国語能力
勤務地
東京都 / 中国
年収 / 給与
1800万円~2999万円
会社概要
深センの半導体工場で働く技術者を探しております。競争が激しい半導体業界ということ…
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職種設計・開発エンジニア(半導体) 年収1450万円以上
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Q.
掲載されている転職情報の企業名が非公開となっている場合が多いように思います。社名はどの段階で公開されるのでしょうか?
A.
人材紹介会社が保有している転職情報の中には、一般公募をしていない転職情報や企業から非公開で依頼を受ける転職情報もあるため、社名を非公開にして掲載する転職情報が多数あります。

ご興味のある転職情報がございましたら、まずはエントリーをいただき、その後、担当のコンサルタントと面談を行い、会社名や転職情報の詳細をご確認いただいて、実際に求人企業に応募するかを判断していただければと思います。