掲載期間:26/08/12~26/08/25
- 仕事内容
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光素子の高性能化・高歩留まり化を実現するためのMOCVDプロセス開発・改善・装置最適化を推進。 単なる装置オペレーションではなく、光の伝送性能を決めるナノスケールの結晶設計者として、デバイス創出に貢献。InP系光半導体デバイス製造における結晶成長(Epitaxy)プロセスの開発・改善・生産技術業務全般を担当します。 MOC…
- 応募資格
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- 必須
- ・化合物半導体(InP系、GaAs系等)を用いた結晶成長(Epitaxy)または…
- 歓迎
- ・MOCVD経験者(MOVPE装置立ち上げ、レシピ設計、保守・校正対応経験) ・M…
- 勤務地
- 神奈川県
- 年収 / 給与
- 800万円~1349万円
- 会社概要
- 通信用光半導体素子の研究開発・設計・製造・販売 AI・HPC・次世代通信を支える「…
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