その他、技術系(電気・電子・半導体)
エピタキシャル プロセスエンジニア
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掲載期間:26/08/12~26/08/25求人No:BCM-nk-414
NEWその他、技術系(電気・電子・半導体)

エピタキシャル プロセスエンジニア

日本ルメンタム株式会社
外資系企業
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募集要項

募集背景
事業拡大による人員増員
仕事内容
光素子の高性能化・高歩留まり化を実現するためのMOCVDプロセス開発・改善・装置最適化を推進。
単なる装置オペレーションではなく、光の伝送性能を決めるナノスケールの結晶設計者として、デバイス創出に貢献。
InP系光半導体デバイス製造における結晶成長(Epitaxy)プロセスの開発・改善・生産技術業務全般を担当します。
MOCVD装置を中心とした結晶成長条件の最適化、歩留まり向上、装置能力向上など、開発と量産の両軸でプロセスをリードしていただきます。
主な業務内容:
・MOCVDによるInP系化合物半導体エピ層の成膜・評価・改善業務
・結晶品質評価(XRD、PL、AFM、SEM、TEM等)に基づく工程最適化
・成膜条件(温度・圧力・V/III比・キャリアガス流量等)の制御と再現性確保
・歩留まり改善/成長不具合解析(層厚ムラ・組成偏差・欠陥発生メカニズム解明)
・結晶成長工程における新装置導入・能力改善プロジェクトの推進
・光デバイス設計/プロセス統括部門との連携による新製品向けエピ構造設計支援

概要と重なりますが、日本ルメンタムは、AIサーバ/次世代通信(800G~1.6T)などで用いられる**光半導体レーザ(DML/EML)およびフォトダイオード(PD)**の中核メーカーです。
電子I/Oの物理限界を超える「光I/O」への転換が加速する今、InP(リン化インジウム)系結晶成長技術は、光デバイス性能の源泉であり、業界全体の競争力を左右する最重要領域です。
本ポジションでは、光素子の高性能化・高歩留まり化を実現するためのMOCVDプロセス開発・改善・装置最適化を推進していただきます。
単なる装置オペレーションではなく、“光の伝送性能”を決めるナノスケールの結晶設計者として、次世代通信を支えるデバイス創出に直接貢献できるポジションです。
応募資格
必須
・化合物半導体(InP系、GaAs系等)を用いた結晶成長(Epitaxy)または関連工程経験
・結晶評価手法(XRD/PL/SEM/AFMなど)の実務理解
・工程改善・歩留まり改善・異常解析などの生産技術経験(2年以上/修士卒1年以上)
・設備メーカー/装置技術者との技術折衝スキル
・英語での資料作成・メールコミュニケーション対応力(PPT/会議含む)
歓迎
・MOCVD経験者(MOVPE装置立ち上げ、レシピ設計、保守・校正対応経験)
・MBE(分子線エピタキシ)プロセス経験
・結晶シミュレーションや温度・ガス流動解析等のモデリングスキル
・PythonやMATLAB等によるデータ解析・制御最適化スクリプト開発スキル
・プロセス改善・装置導入などのリーダー経験
募集年齢(年齢制限理由)
定年年齢60歳
(定年年齢を上限として募集するため)
フィットする人物像
・「原子層1層の違いが性能を変える」ことに興奮できる方
・現場の装置データと理論モデルを結びつけ、最適化を楽しめる方
・設計者・装置メーカー・製造チームと対等に議論できる技術対話力を持つ方
・現状維持ではなく、“より良く作る”ための改善提案を自ら発信できる方
・AI・通信・フォトニクスの未来を支える半導体技術を極めたい方


雇用形態
正社員
ポジション・役割
非管理職は残業30H含む、超過分は別途支給。 管理職は残業代は支給なし
勤務地
•相模原本社:神奈川県相模原市中央区小山4-1-55
勤務時間
9:00-17:30(45分休憩)
年収・給与
収入 8,000,000 円 - 13,000,000円
非管理職は残業30H含む、超過分は別途支給
管理職は残業代は支給なし
業績連動インセンティブあり(年1回)
待遇・福利厚生
財形貯蓄、カフェテリアプラン等有

【住宅手当】
・対象: 単身30歳を迎える誕生月まで。または単身赴任者
・最大25,000円


【既婚者住宅手当】
・対象:借り主である物件。40歳を迎える誕生月まで。
・最大40,000円

●屋内喫煙室あり
休日休暇
完全週休2日、年間休日125日
キャリアパス・評価制度
入社後は、これまで培った結晶成長スキルをもとに、当社の**InP系光デバイス製造ラインの要素技術領域(MOCVD/プロセス開発/結晶品質評価)**のいずれかを主担当。
現場のオペレーションではなく、**生産性・結晶品質・構造設計を同時に最適化する“技術中核層”**としての役割を期待。
将来的には、以下のようなキャリア展開が可能:
・プロセス開発リーダー: 新規エピ構造開発・装置最適化・結晶欠陥改善のリード
・生産技術リーダー: 結晶成長量産ラインの安定化・歩留まり改善・稼働率最大化を推進
・光デバイス開発統合エンジニア: 設計・結晶・評価の三位一体による製品性能向上を牽引
・装置導入・プロセス戦略リーダー: 新規MOCVD装置導入や量産プロセス立上げを統括
・日本および海外拠点での技術マネジメント/グローバル開発リーダーへのステップアップも可能

会社概要

社名
日本ルメンタム株式会社
事業内容・会社の特長
通信用光半導体素子の研究開発・設計・製造・販売
AI・HPC・次世代通信を支える「電子I/Oの限界を超える光I/O」。
日本ルメンタムは、この構造転換の中核となる光半導体デバイスを自社開発・量産化する拠点です。
当社は、データセンタ/AIクラスタ/次世代ワイヤレス通信(6G)に不可欠な光送受信トランシーバ向けのEML(Electro-absorption Modulator Integrated with DFB Laser)、CWLaser(Continuous Wave Laser)などを主力製品とし、CWDM/L-WDMなど多波長帯の高速光デバイスを展開。
電子伝送の限界に直面する産業構造の中で、光I/Oへの転換を先導するポジションを確立しています。
設立
2000年9月
資本金
2億円
従業員数
正社員270名 派遣・請負500名前後
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株式会社ビジネスキャリア マネジメント
厚生労働大臣許可番号:13-ユ-010367紹介事業許可年:1999年
設立
1991年 3月
資本金
3,000万円
代表者名
代表取締役 西村 建二良
従業員数
法人全体:7人

人紹部門:7人
事業内容
人材紹介
厚生労働大臣許可番号
13-ユ-010367
紹介事業許可年
1999年
紹介事業事業所
東京(本社)
登録場所
本社
〒110-0005 東京都台東区上野3-16-2 天翔上野末広町ビル 502
ホームページ
http://www.bc-m.co.jp/
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