設計・開発エンジニア(半導体)/800万円の転職・求人情報一覧(4)

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151164件を表示中
掲載期間:24/04/22~24/05/05
仕事内容
最先端技術による開発事例多数のエンジニア集団/ミックスドシグナル LSI 等の開発に強みを持ち、半導体(デジタル/アナログ/ミックスシグナル)から基板、組込みソフトウェアの設計評価まで一貫した開発体制
■業務内容: ・汎用プロセッサーおよび独自のカスタムプロセッサー技術を保有してます。  カスタムプロセッサーを使ったシステム…
応募資格
必須
・デジタル回路の設計経験
歓迎
・プロセッサーを使ったLSI/FPGA開発分野での実設計経験 ・VHDL/Veri…
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
650万円~1099万円
会社概要
・最先端アナログデザインサービスとソリューション提供 ・最適なプラットフォームとシ…
掲載期間:24/04/22~24/05/19
仕事内容
株式会社エネコートテクノロジーズでの募集です。 プロセスエンジニア(半導体)のご経験のある方は歓迎です。
次世代太陽電池として注目されているペロブスカイト太陽電池の研究開発業務、設計業務等に従事いただきます。 【具体的な仕事内容…
応募資格
必須
■応募条件: ・企業、大学等における研究開発・製造に関する3年以上の実務経験 ■歓迎…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~999万円
会社概要
2018年1月設立の京都大学発スタートアップ企業で、次世代太陽電池の大本命と言わ…
掲載期間:24/04/19~24/05/07
設計・開発エンジニア(半導体)

◎研究・開発コンサル/製品開発~生産業務まで/グローバルPJ多数/Tier1コンサルファーム

海外展開あり(日系グローバル企業)上場企業大手企業管理職・マネジャー新規事業海外出張海外折衝英語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
【職務内容】 製造業様向けに ものづくり の業務プロセス改革・改善を中心としたプロジェクトの推進、支援を行う。主な対象業務…
応募資格
必須
【必要な経験・スキル等】 ・製造業の業務経験と理解(企画から設計~生産、出荷におけ…
勤務地
東京都
年収 / 給与
800万円~2499万円
会社概要
・世界有数事業会社のグループ会社 ・世界約200都市、110,000名のグローバル…
掲載期間:24/04/19~24/05/08
仕事内容
最先端CMOSイメージセンサーで世界をリードする日本が誇るグローバルメーカー!
【職務概要】 新規CMOSイメージセンサーやセンシング商品の量産立ち上げを開発部署、製造部署と協働し実現する職場です。 ■職…
応募資格
必須
【必須】 ・大規模LSIの設計経験 ・プロジェクトリーダー経験 【尚可】 ・ロジック回路…
歓迎
※活かせる経験については上記「応募資格」欄に併記しております
勤務地
福岡県
年収 / 給与
750万円~949万円
会社概要
【事業内容】 半導体関連製品と電子 ・電気機械器具の研究、開発、生産、販売事業、お…
掲載期間:24/04/19~24/05/08
仕事内容
充実の資格手当/東証プライム上場グループ/年間休日122日/寮・社宅制度あり
【職務概要】 同社では顧客基盤であるメーカーに対して、製品開発支援と共に様々な課題解決を行うことができる独自のポジションを…
応募資格
必須
【必須】 ・FPGA論理設計経験が5年以上ある方 ・VHDLもしくはVerilogH…
歓迎
※活かせる経験については上記「応募資格」欄に併記しております
勤務地
福岡県
年収 / 給与
650万円~849万円
会社概要
【事業内容】 機械、電気、電子、組込制御における研究開発分野/商品開発分野への技術…
掲載期間:24/04/15~24/05/07
仕事内容
研究開発:新型イメージセンサーやセンシングデバイス、センシングシステムを実現するための新規回路の企画構想、デバイス仕様検討、ロジック仕様/RTL設計 或いは アナログ回路/レイアウト設計、検証、評価。
■具体的な業務内容 CMOSセンサー回路設計エンジニア 新型イメージセンサーやセンシングデバイス、センシングシステムを実現す…
応募資格
必須
<必要となるスキル/経験> ■必須 イメージセンサー或いは半導体デバイスの回路設計の…
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
750万円~899万円
会社概要
半導体関連製品と電子 ・電気機械器具の研究、開発、生産、販売事業、およびこれに関…
掲載期間:24/04/15~24/05/12
設計・開発エンジニア(半導体)

生産技術

マネジメント業務なし英語力不問転勤なし土日祝休み
仕事内容
兵庫県中西部の企業でございます。
■同社生産技術部門においてプロセス開発・量産ライン企画・生産準備、もしくは設備導入・工程設計等のの工程をご担当頂きます。
応募資格
必須
【必須】 生産技術/プロセスエンジニアリングのご経験 【歓迎】 ・統計手法を理解してい…
勤務地
兵庫県
年収 / 給与
600万円~1199万円
会社概要
製造業 ※詳細は求人紹介時にご案内いたします。
掲載期間:24/04/12~24/06/06
仕事内容
半導体製造装置の制御設計(電気回路)を担当頂きます。 具体的には… ◆制御盤設計 ◆デジタル回路設計 ◆ソフト設計(PLC、P/…
応募資格
必須
◆PLC・制御盤設計の経験者 ◆2D CADの経験者
歓迎
◆半導体製造の知識・実務経験がある方(真空装置・加熱装置・FPD製造装置・太陽電…
勤務地
東京都
年収 / 給与
600万円~1249万円
会社概要
◆真空装置や半導体、太陽電池、、FPD、有機ELなどの製造装置の開発・設計・製造…
掲載期間:24/04/09~24/06/03
仕事内容
募集職種 ■メモリープロセス・エンジニア ■メモリープロセス・インテグレーション・エンジニア ■メモリープロダクト・エンジニア…
応募資格
必須
下記のいずれかの知識と経験を保有されている方(基本的に3年以上経験を有する方) ■…
歓迎
外国語能力
勤務地
東京都 / 中国
年収 / 給与
1800万円~2999万円
会社概要
深センの半導体工場で働く技術者を探しております。競争が激しい半導体業界ということ…
掲載期間:24/03/25~24/05/19
仕事内容
・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー ・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長 ・ベンチャーマインドに溢れ、若手から裁量もって働けます
【業務内容】 ■レーザーダイオード 製品設計・開発 ・結晶成長から前工程プロセスまで製品設計・工程設計 ・顧客要求や市場要求に…
応募資格
必須
【必須】※以下いずれかのスキルまたは経験を保有されている方 ・レーザーダイオードの…
勤務地
京都府
年収 / 給与
700万円~1049万円
会社概要
小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし…
掲載期間:22/11/30~24/05/08
設計・開発エンジニア(半導体)

車載用パワーモジュールの設計開発(パワー半導体)/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただ…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/05/08
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの設計開発/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/05/08
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの試作エンジニア/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/05/08
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
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Q.
掲載されている転職情報の企業名が非公開となっている場合が多いように思います。社名はどの段階で公開されるのでしょうか?
A.
人材紹介会社が保有している転職情報の中には、一般公募をしていない転職情報や企業から非公開で依頼を受ける転職情報もあるため、社名を非公開にして掲載する転職情報が多数あります。

ご興味のある転職情報がございましたら、まずはエントリーをいただき、その後、担当のコンサルタントと面談を行い、会社名や転職情報の詳細をご確認いただいて、実際に求人企業に応募するかを判断していただければと思います。