設計・開発エンジニア（半導体）/700万円の転職・求人情報一覧（8ページ目）

366件
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351～366件を表示中
掲載期間：26/01/26～26/03/22
設計・開発エンジニア（半導体）

【大阪府箕面市】分野エキスパート 研究開発（カメラレンズ 関連）/年収600万円～1300万円

日本サムスン 株式会社
外資系企業土日祝休み
仕事内容
【職種】 分野エキスパート　研究開発（カメラレンズ 関連）　 【配属先】 日本サムスン株式会社　samsungデバイスソリュー…
応募資格
必須
【学歴】 高専卒業以上 【必須条件】 以下いずれかを満たす方 ・カメラレンズ分野における…
勤務地
大阪府
年収 / 給与
600万円～1299万円
会社概要
半導体製品(Memory, System LSI, Foundry, LED)及…
気になる
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掲載期間：26/01/26～26/03/22
設計・開発エンジニア（半導体）

【大阪府箕面市】研究開発エキスパート（パワーインダクター 関連）　/年収600万円～1300万円

日本サムスン 株式会社
外資系企業上場企業管理職・マネジャー転勤なし土日祝休み
仕事内容
■ミッション 単なる助言者ではなく「今、技術的に何が課題か」「次に何をすべきか」を自ら定義し、解決へ導く研究開発リーダーとして、共同研究や新技術創出を推進。大阪拠点からグローバルな技術革新をリードする。
【職種】 研究開発エキスパート（パワーインダクター 関連）　 【配属先】 日本サムスン株式会社　samsungデバイスソリュー…
応募資格
必須
【学歴】 高専卒業以上 【必須条件】 以下いずれかのご経験をお持ちの方 ・インダクタ分野…
歓迎
【歓迎される資格・経験】 ・インダクタ（特にパワーインダクタ）に関する先行開発や要…
勤務地
大阪府
年収 / 給与
600万円～1299万円
会社概要
半導体製品(Memory, System LSI, Foundry, LED)及…
気になる
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掲載期間：26/01/26～26/03/22
設計・開発エンジニア（半導体）

【大阪府箕面市】研究開発 一般（パワーインダクター 関連）　/年収600万円～1300万円

日本サムスン 株式会社
外資系企業大手企業管理職・マネジャー
仕事内容
【職種】 研究開発 一般（パワーインダクター 関連） 【配属先】 日本サムスン株式会社　samsungデバイスソリューションズ…
応募資格
必須
【学歴】 高専卒業以上 【必須条件】 以下いずれかのご経験をお持ちの方 ・インダクタ分野…
勤務地
大阪府
年収 / 給与
600万円～1299万円
会社概要
半導体製品(Memory, System LSI, Foundry, LED)及…
気になる
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掲載期間：26/01/26～26/02/15
設計・開発エンジニア（半導体）

【東京】論理設計、論理合成（独自IPの先行開発）

株式会社デンソー
海外展開あり（日系グローバル企業）上場企業大手企業
仕事内容
未来のクルマのAI性能を決定づける、独自ハードウェアIPの先行開発。仕様検討からRTL設計、FPGA評価まで一貫して携わり、将来の競争力の核となるSoC技術を創り上げる、挑戦しがいのある仕事です。
次世代AD/ADAS向け独自ハードウェアIPの企画・設計から評価まで、一連の先行技術開発に従事いただきます。 1. 独自ハ…
応募資格
必須
下記いずれかの業務経験を3年以上お持ちの方 ・ソフトウェア・ハードウェア協調設計 ・…
歓迎
・HDL(Verilog、System Verilog)の使用経験 ・高位合成ツー…
勤務地
東京都
年収 / 給与
550万円～1449万円
会社概要
自動車部品メーカー。 先進的な自動車技術、システム・製品をグローバルに提供していま…
気になる
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掲載期間：26/01/26～26/03/22
設計・開発エンジニア（半導体）

車載用電子部品：積層セラミックコンデンサの研究開発/年収500万円～1300万円

日本サムスン 株式会社
外資系企業大手企業土日祝休み
仕事内容
【職種】 MLCC(積層セラミックコンデンサ)の研究開発 【業務内容】 車載用電子部品：MLCC(積層セラミックコンデンサ)の…
応募資格
必須
【学歴】 高専卒業以上 【必須条件】 以下いずれかのご経験をお持ちの方 ・積層セラミック…
勤務地
大阪府
年収 / 給与
500万円～1299万円
会社概要
半導体製品(Memory, System LSI, Foundry, LED)及…
気になる
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掲載期間：26/01/26～26/03/22
設計・開発エンジニア（半導体）

【大阪府箕面市】研究開発＜半導体パッケージ基板＞/年収500万円～1300万円

日本サムスン 株式会社
外資系企業大手企業土日祝休み
仕事内容
【職種】 研究開発＜半導体パッケージ基板＞ 【配属先】 日本サムスン株式会社　samsungデバイスソリューションズ研究所 【業…
応募資格
必須
【学歴】 高専卒業以上 【必須条件】 以下いずれかを満たす方 ■パッケージ基板に関する何…
勤務地
大阪府
年収 / 給与
500万円～1299万円
会社概要
半導体製品(Memory, System LSI, Foundry, LED)及…
気になる
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掲載期間：26/01/23～26/02/19
設計・開発エンジニア（半導体）

尾張旭市（愛知） ウェハ関連開発責任者・セラミック電子部品製造／◎プライム上場×シェアTOPクラス
上場企業大手企業管理職・マネジャー英語力不問土日祝休み
仕事内容
ウェハ関連の開発責任者を行っていただきます。
【具体的には…】 ・開発管理全般（仕様書作成/加工技術） ・顧客対応（開発窓口/資料作成など） ・試作 等 【この仕事の面白さ・魅…
応募資格
必須
・半導体ウェハやセラミック基板の知見をお持ちの方
歓迎
・半導体プロセスやセラミック関連の知見/業務ご経験 ・インゴットからウェハまでのプ…
勤務地
愛知県
年収 / 給与
650万円～1149万円
会社概要
エレクトロニクス用・産業用セラミックス及び電子部品の開発・製造・販売 ■セラミック…
気になる
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掲載期間：26/01/23～26/02/19
設計・開発エンジニア（半導体）

【広島県福山市】スタンダード上場電子・電気機器メーカー/設計マネジメント
上場企業マネジメント業務なし英語力不問転勤なし土日祝休み
仕事内容
ハード・ソフト・機構設計、いずれかのグループのマネジメントを担っていただきます。
＜業務内容詳細＞ ・係内のマネジメント、人材育成 ・案件の進捗管理、割り振り ・部門間の調整業務 ・社外との調整業務 ・ハード・ソ…
応募資格
必須
・マネジメント経験 ・ハード、ソフト、機構いずれかの設計経験
勤務地
広島県
年収 / 給与
550万円～849万円
会社概要
プラズマ技術は、人の手ではできない非常に微細な加工可能とする技術です。私たちの未…
気になる
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掲載期間：26/01/15～26/03/11
設計・開発エンジニア（半導体）

MOSFETの設計開発
上場企業海外出張英語力不問転勤なし土日祝休み
仕事内容
外資系半導体メーカー日本法人 パワーモジュールの開発設計
応募資格
必須
自動車、電機関係のインバーター、パワーモジュール、業務に関係したことがある方 在宅…
歓迎
向上心ある方の
勤務地
東京都
年収 / 給与
600万円～1349万円
会社概要
パワーデバイス等半導体部品メーカー
気になる
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掲載期間：26/01/09～26/03/05
設計・開発エンジニア（半導体）

車載用電子部品：積層セラミックコンデンサの研究開発/年収500万円～1300万円

日本サムスン 株式会社
外資系企業大手企業転勤なし土日祝休み
仕事内容
【職種】 MLCC(積層セラミックコンデンサ)の研究開発 【業務内容】 車載用電子部品：MLCC(積層セラミックコンデンサ)の…
応募資格
必須
【学歴】 高専卒業以上 【必須条件】 以下いずれかのご経験をお持ちの方 ・積層セラミック…
勤務地
大阪府
年収 / 給与
500万円～1299万円
会社概要
半導体製品(Memory, System LSI, Foundry, LED)及…
気になる
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掲載期間：26/01/09～26/03/05
設計・開発エンジニア（半導体）

【大阪府箕面市】研究開発＜半導体パッケージ基板＞/年収500万円～1300万円
外資系企業大手企業転勤なし土日祝休み
仕事内容
【職種】 研究開発＜半導体パッケージ基板＞ 【配属先】 日本サムスン株式会社　samsungデバイスソリューションズ研究所 【業…
応募資格
必須
【学歴】 高専卒業以上 【必須条件】 以下いずれかを満たす方 ■パッケージ基板に関する何…
勤務地
大阪府
年収 / 給与
500万円～1299万円
会社概要
半導体製品(Memory, System LSI, Foundry, LED)及…
気になる
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掲載期間：26/01/08～26/03/04
設計・開発エンジニア（半導体）

車載用パワーモジュールの設計開発（パワー半導体）/外資系企業の日本設計会社の募集
外資系企業ベンチャー企業海外出張英語力が必要土日祝休み
仕事内容
パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただきます。 エネ…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円～999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
気になる
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掲載期間：26/01/08～26/03/04
設計・開発エンジニア（半導体）

パワーデバイスの設計開発/外資系企業の日本設計会社の募集
外資系企業ベンチャー企業海外出張英語力が必要土日祝休み
仕事内容
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイ…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円～999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
気になる
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掲載期間：25/12/22～26/02/15
設計・開発エンジニア（半導体）

SoC開発リードエンジニア（システムLSI)
海外展開あり（日系グローバル企業）上場企業大手企業海外出張海外折衝英語力が必要土日祝休み
仕事内容
顧客と会話して進めることができるSoCリード開発エンジニア（最適なSoC仕様の設定等）
●メイン業務 下記の設計・開発業務全般エンジニア、リードエンジニア、リードエンジニア候補として下記の業務担当を補強したい。…
応募資格
必須
●必須の要件 　・SoC設計開発経験 （原則経験3年以上） ●必須ではないがあれば尚…
歓迎
海外顧客との取引等が発生するので、英語の語学力 幹部社員：TOEIC 700点以上…
勤務地
神奈川県 / 愛知県 / 京都府
年収 / 給与
700万円～1249万円
会社概要
半導体製品（SoC、システムLSI)及び関連製品の開発・設計・製造委託・販売 当社…
気になる
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掲載期間：25/12/22～26/02/15
設計・開発エンジニア（半導体）

半導体テスト・評価エンジニア、マネジャー
海外展開あり（日系グローバル企業）上場企業大手企業管理職・マネジャー海外出張土日祝休み
仕事内容
・SoC製品のテスト仕様策定、テスト立上げの推進、およびこれらを適切なコスト・TATで実現するための 　技術開発、およびこれに付随する業務の推進
●メイン業務 ・SoC製品のテスト仕様策定、テスト戦略の検討 ・テスト仕様に基づくテストプログラム開発 ・LSIテスターを用い…
応募資格
必須
●必須の要件 ・SoC製品のテスト開発業務経験者 　（テスト仕様策定 テスト環境構築…
勤務地
神奈川県 / 愛知県 / 京都府
年収 / 給与
650万円～1649万円
会社概要
半導体製品（SoC、システムLSI)及び関連製品の開発・設計・製造委託・販売 当社…
気になる
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掲載期間：25/12/22～26/02/15
設計・開発エンジニア（半導体）

LSI製品審査 (Design Review) 業務
海外展開あり（日系グローバル企業）上場企業大手企業英語力が必要土日祝休み
仕事内容
LSI製品審査(Design Review)業務
●メイン業務 LSI製品審査(Design Review)業務 ・製品企画の妥当性検討 ・製品開発の計画審査 ・製品設計,量産移…
応募資格
必須
半導体製品審査(Design Review)業務経験がある方
歓迎
●歓迎 ・半導体の設計・テクノロジ・ウェハプロセス・実装・試験のいずれかの経験・知…
勤務地
神奈川県 / 愛知県 / 京都府
年収 / 給与
600万円～899万円
会社概要
半導体製品（SoC、システムLSI)及び関連製品の開発・設計・製造委託・販売 当社…
気になる
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