設計・開発エンジニア(半導体)
パワーデバイスの設計開発/外資系企業の日本設計会社の募集
掲載期間:24/03/05~24/04/29求人No:EWC-JUE22011
設計・開発エンジニア(半導体)

パワーデバイスの設計開発/外資系企業の日本設計会社の募集

外資系企業 ベンチャー企業 海外出張 英語力が必要 土日祝休み

募集要項

仕事内容
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けたパワー半導体デバイスの設計・シミュレーション開発をお任せします。
SiCパワー半導体デバイスの量産化が現在の主な取り組みテーマであり、新技術や新製品の早期の市場投入に向けた設計開発体制を強化するための採用です。
応募資格
必須
パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下の1から4いずれか経験がある方
※経験者のみ募集
1.パワー半導体デバイス(SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等)のチップ設計・開発の経験
2.ファウウンドリーでのデバイス試作経験
3.デバイスシミュレーター(Synopsis Sentaurusなど)の使用経験
4.パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
雇用形態
正社員採用
勤務地
京都府京都市西京区
勤務時間
9:00-18:00
年収・給与
500万円 ~ 999万円
待遇・福利厚生
社会保険:健康保険、 厚生年金、 雇用保険、 労災保険 完備
休日休暇
休日:年間120日
(内訳)
完全週休二日制、土曜 日曜 祝日

会社概要

社名
非公開
事業内容・会社の特長
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計会社です。
■業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計会社として2019年12月に設立
■電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
設立
2019年12月
資本金
3000万円
売上高
外資系の研究所ですので、売上は発生しません。

この求人の取扱い紹介会社ご相談や条件交渉などのサポートを行います。 取扱い紹介会社の詳細へ

イーストウエストコンサルティング株式会社
厚生労働大臣許可番号:13-ユ-010121紹介事業許可年:1989年8月
設立
1987年3月
資本金
1億円
代表者名
室松 信子
従業員数
法人全体:80名

人紹部門:65名
事業内容
イーストウエストコンサルティングは日本最大手のエグゼクティブサーチ会社です。幅広いプロフェッショナル人材のネットワークと最先端の情報システム技術を効果的に駆使し、クライアントの皆様が必要とされる、グローバルで活躍できる優秀な人材を発掘、評価し紹介しています。
厚生労働大臣許可番号
13-ユ-010121
紹介事業許可年
1989年8月
紹介事業事業所
東京都千代田区、大阪府大阪市中央区
登録場所
イーストウエストコンサルティング株式会社
〒102-0094 東京都千代田区紀尾井町4-1 ニューオータニガーデンコート23階
ホームページ
http://www.ewc.co.jp/
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Q.
エージェント(人材紹介会社)を利用して、転職をするメリットは何でしょうか。
A.
一般に公募していない非公開求人情報が得られるほか、キャリアやスキルを査定して最適な転職先を紹介してもらえる、転職を希望する企業がある場合、採用の可能性を判断してもらえます。

実際の転職活動の際にも、紹介先企業の企業の人事方針や経営に関する詳細な情報が事前に得られたり、履歴書や職務経歴書の書き方や、面接でのアドバイスがもらえるなど、有利に転職活動ができるようにサポートをしてもらえます。

また、より良い待遇条件で転職が決まるように条件面での交渉をしてもらえます。
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