600万円の設計・開発エンジニア（半導体）の転職・求人一覧

仕事内容: ・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長・ベンチャーマインドに溢れ、若手から裁量もって働けます
【職務内容】高度な分析装置(FIB、TEM、オージェ分析、FT-IR、3DX線など）を用いて、事業部から依頼された試作品…

応募資格

必須: 【必須】・分析に関する実務経験をお持ちの方（SEM、 FIB、TEM、オージェ分…

勤務地: 京都府

年収 / 給与: 500万円～1049万円

会社概要: 小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし…

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掲載期間：24/05/30～24/07/24

設計・開発エンジニア（半導体）

デジタルLSI設計　※リモートワーク制度あり

上場企業英語力不問土日祝休み

仕事内容: ■大手企業からの半導体LSIの受託設計・共同開発におけるデジタル　LSI設計開発職【具体的には】・IP設計・ASIC設計…

応募資格

必須: 【必須（MUST）】・RTL設計・検証経験のある方（目安3年以上）

歓迎: 【歓迎（WANT）】・画像処理分野でのIC開発経験のある方

勤務地: 東京都 / 神奈川県 / 大阪府

年収 / 給与: 400万円～749万円

会社概要: ・半導体受託開発、カメラモジュール、半導体検査装置等の開発・販売

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掲載期間：24/05/30～24/07/24

設計・開発エンジニア（半導体）

アナログLSI設計　※リモートワーク制度あり

上場企業英語力不問土日祝休み

仕事内容: ■大手企業からの半導体LSIの受託設計・共同開発におけるアナログ　LSI設計開発職。電源、モータードライバ、高速インター…

応募資格

必須: 【必須（MUST）】・トランジスタレベルの回路設計経験のある方。

歓迎: 【歓迎（WANT）】・高速インターフェース回路、電源回路の設計経験のある方。

勤務地: 東京都 / 神奈川県 / 富山県 / 大阪府 / 福岡県

年収 / 給与: 400万円～749万円

会社概要: ・半導体受託開発、カメラモジュール、半導体検査装置等の開発・販売

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掲載期間：24/05/29～24/06/18

設計・開発エンジニア（半導体）

【広島県福山市】大手電機メーカーでパワー半導体プロセスエンジニア

海外展開あり（日系グローバル企業）上場企業大手企業マネジメント業務なし英語力不問土日祝休み

仕事内容: 【パワー半導体プロセスエンジニア】福山事業所でのパワー半導体プロセスエンジニア業務を担当いただきます。
具体的には、パワー半導体のウエハプロセス開発、設備技術・新規設備の選定・導入、装置立上げ、量産移管、量産管理、その他生産…

応募資格

必須: ・SiウエハプロセスもしくはSiパワーデバイスの開発経験者・半導体関連の基礎知識…

歓迎: ・12φのSiウエハプロセス経験者・新規ウエハプロセスラインの立ち上げ経験者・ビ…

勤務地: 広島県

年収 / 給与: 500万円～949万円

会社概要: 近年、環境保護意識と省エネ意識の高まりを背景に、家電のインバーター化が進展。また…

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掲載期間：24/05/28～24/06/29

設計・開発エンジニア（半導体）

半導体デバイス解析

ローム株式会社

海外展開あり（日系グローバル企業）上場企業大手企業英語力不問土日祝休み

仕事内容: 半導体デバイス解析をご担当いただきます
■品質管理 LSI、パワー半導体、Tr、Diの市場故障品の解析。 <具体的な業務内容> ・半導体デバイスの外観検査・X線検査・…

応募資格

必須: ・電気および電子工学に関する高等専門学校または大学卒業以上の知識を持つ方

歓迎: ・電子部品や半導体製品の開発、設計、評価、解析、テストなどの職務経験が望ましい・…

勤務地: 京都府

年収 / 給与: 700万円～999万円

会社概要: 世界は、様々な課題を抱えています。ロームでは、「Electronics for …

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掲載期間：24/05/27～24/07/21

設計・開発エンジニア（半導体）

半導体テスト・評価エンジニア、マネジャー

海外展開あり（日系グローバル企業）上場企業大手企業管理職・マネジャー海外出張土日祝休み

仕事内容: ・SoC製品のテスト仕様策定、テスト立上げの推進、およびこれらを適切なコスト・TATで実現するための　技術開発、およびこれに付随する業務の推進
●メイン業務・SoC製品のテスト仕様策定、テスト戦略の検討・テスト仕様に基づくテストプログラム開発・LSIテスターを用い…

応募資格

必須: ●必須の要件・SoC製品のテスト開発業務経験者　（テスト仕様策定テスト環境構築…

勤務地: 神奈川県 / 愛知県 / 京都府

年収 / 給与: 650万円～1449万円

会社概要: 半導体製品（SoC、システムLSI)及び関連製品の開発・設計・製造委託・販売当社…

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掲載期間：24/05/25～24/06/18

設計・開発エンジニア（半導体）

薄膜開発／東証プライム上場／世界トップクラスのグローバルメーカ／

株式会社MARUWA

海外展開あり（日系グローバル企業）上場企業大手企業土日祝休み

仕事内容: セラミック電子部品向け薄膜開発業務・薄膜開発・開発業務管理マネージャー候補として、メンバーの開発マネジメントもお任せする…

応募資格

必須: ・薄膜形成プロセスのご経験

勤務地: 岐阜県 / 愛知県

年収 / 給与: 650万円～1049万円

会社概要: MARUWAは1978年の創業から培ってきたセラミック材料技術を強みに電子部品や…

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掲載期間：24/05/25～24/06/18

設計・開発エンジニア（半導体）

セラミックパッケージの開発・プロセス開発（試作）／世界トップクラスのグローバルメーカー

株式会社MARUWA

海外展開あり（日系グローバル企業）上場企業大手企業土日祝休み

仕事内容: セラミック電子部品製品の開発、工法開発業務・試作業務(各モデルの最適なプロセス構築、外注へ試作指示及び納期管理、スケジュ…

応募資格

必須: ・セラミック材料や製品の知識、経験のある方・積層基板（無機、有機）の知識、経験の…

勤務地: 岐阜県 / 愛知県

年収 / 給与: 550万円～1049万円

会社概要: MARUWAは1978年の創業から培ってきたセラミック材料技術を強みに電子部品や…

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掲載期間：24/05/25～24/06/18

設計・開発エンジニア（半導体）

製品設計（セラミック気密端子）／東証プライム上場／世界トップクラスのグローバルメーカ／

株式会社MARUWA

海外展開あり（日系グローバル企業）上場企業大手企業土日祝休み

仕事内容: セラミック部品（セラミック気密端子）の設計業務・顧客仕様書に基づいた設計検討から図面作成・自社工場にて製造を進めるための…

応募資格

必須: ・機械設計に関する知識、経験・2D CAD使用経験

勤務地: 新潟県

年収 / 給与: 500万円～849万円

会社概要: MARUWAは1978年の創業から培ってきたセラミック材料技術を強みに電子部品や…

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掲載期間：24/05/22～24/07/16

設計・開発エンジニア（半導体）

電気設計者（計測システム部　計測課）

株式会社クボタ

海外展開あり（日系グローバル企業）上場企業大手企業英語力が必要土日祝休み

仕事内容: ハードディスク、半導体の検査装置を開発、製造、販売（外販）を行う部門となっております。光応用技術、画像処理技術を駆使し、デジタル社会で必要不可欠な検査装置の開発と供給を行います。
【具体的な仕事内容】・半導体検査装置の理解・検査装置のシステム構成理解（他チームと連携し構成図を書けるレベル）・システム…

応募資格

必須: 【学歴】高専卒以上【語学力】・日常会話レベル以上（英語）（顧客とのメールのやり取…

歓迎: 【歓迎】・半導体検査装置や製造装置に関する経験、知識・アナログ回路設計技術・光学…

勤務地: 大阪府

年収 / 給与: 550万円～899万円

会社概要: 農業機械及び農業関連商品、エンジン、建設機械の製造及び販売等パイプ関連製品(ダク…

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掲載期間：24/05/20～24/07/14

設計・開発エンジニア（半導体）

パワーデバイスの設計開発エンジニア

上場企業海外出張英語力不問転勤なし土日祝休み

仕事内容: 中国系半導体メーカー日本法人パワーモジュールの開発設計

応募資格

必須: 自動車、電機関係のインバーター、パワーモジュール、業務に関係したことがある方

歓迎: 向上心ある方の

勤務地: 東京都

年収 / 給与: 600万円～1349万円

会社概要: パワーデバイス等半導体部品メーカー

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掲載期間：24/05/20～24/07/14

設計・開発エンジニア（半導体）

【京都】レーザーダイオード製品設計・開発エンジニア

仕事内容: ・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長・30歳700万円/35歳800万円/管理職1000万円～
【仕事内容】 ■レーザーダイオード　製品設計・開発・結晶成長から前工程プロセスまで製品設計・工程設計・顧客要求や市場要求に…

応募資格

必須: 【必須】・レーザーダイオードの開発に5年以上の経験。または、3-5族化合物半導体…

勤務地: 京都府

年収 / 給与: 500万円～1049万円

会社概要: 小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし…

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掲載期間：24/05/20～24/07/14

設計・開発エンジニア（半導体）

【京都/滋賀】パワーデバイス商品開発（車載向け）

仕事内容: ・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長・30歳700万円/35歳800万円/管理職1000万円～
【仕事内容】事業部の商品開発担当者として業務をご担当頂きます。具体的には以下をご担当いただきます。　 ■商品開発業務新商品…

応募資格

必須: 【経験】・開発業務経験者・顧客折衝経験者【語学力】・日常英会話レベル海外拠点(欧…

勤務地: 滋賀県 / 京都府

年収 / 給与: 500万円～1049万円

会社概要: 小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし…

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掲載期間：24/05/20～24/07/14

設計・開発エンジニア（半導体）

【京都】研究開発（半導体デバイスのフロントローディング研究）

仕事内容: ・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長・30歳700万円/35歳800万円/管理職1000万円～
【業務について】ロームの半導体デバイスの研究開発に関する各テーマのフロントローディング化に関する研究を行っていただきます…

応募資格

必須: 【必須】下記(1)(2)いずれかのスキルをお持ちの方 (1)データサイエンスに関す…

勤務地: 京都府

年収 / 給与: 500万円～849万円

会社概要: 小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし…

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掲載期間：24/05/20～24/07/14

設計・開発エンジニア（半導体）

【京都】半導体デバイス解析

仕事内容: ・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長・30歳700万円/35歳800万円/管理職1000万円～
【業務内容】 ■品質管理 LSI、パワー半導体、Tr、Diの市場故障品の解析。 <具体的な業務内容> ・半導体デバイスの外観検査…

応募資格

必須: 【必須】・電気および電子工学に関する高等専門学校または大学卒業以上の知識を持つ方…

勤務地: 京都府

年収 / 給与: 500万円～1049万円

会社概要: 小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし…

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掲載期間：24/05/17～24/06/25

設計・開発エンジニア（半導体）

LSI設計開発（リモートワーク）エンジニアの約26％が50代、約30％が40代・生涯活躍できる環境

グラビティ株式会社

海外展開あり（日系グローバル企業）ベンチャー企業新規事業土日祝休み

仕事内容: LSI設計オープンポジション／これまでのご経験や得意分野を活かせる業務をご担当。ロジック設計／ミドルデザイン設計／DFT設計／インプリ・バックエンド設計経験者の方も教育期間（疑似PJT研修）があり。
【対象製品群】　　CMOSイメージセンサ　【業務カテゴリ】※1～4について、これまでのご経験や得意分野を活かせる業務をご…

応募資格

必須: 以下、いずれかのご経験をお持ちの方１．ロジック設計：LSIロジック設計実務経験２…

歓迎: EDAツールのご経験・Mentor社 Tessent (TestKompress…

勤務地: 東京都 / 神奈川県 / 大阪府 / 福岡県

年収 / 給与: 500万円～699万円

会社概要: ■事業内容 ▼設計開発事業モビリティ業界（CASE）を中心に、AI、クラウド、スマ…

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掲載期間：24/05/16～24/06/17

設計・開発エンジニア（半導体）

研究開発(半導体向け超精密研磨材)

株式会社フジミインコーポレーテッド

上場企業大手企業

仕事内容: 創業70年を迎える世界シェア90％の商品をもつグローバル企業／離職率2%／転勤なし
国内外の大手半導体デバイスメーカー様向けの同社主力製品である (1)「CMP用研磨材（スラリー）」の研究開発、または (2)…

応募資格

必須: ・「理卒(化学分野)」で以下いずれかの条件を満たす方・何かしらの化学分野の研究開…

歓迎: ・コロイド化学、界面化学、高分子化学、電気化学、　有機合成のいずれかの高い知見と…

勤務地: 岐阜県

年収 / 給与: 550万円～699万円

会社概要: 【研磨材及び鏡面仕上材の製造・加工・販売並びに研磨機械等の販売】・半導体シリコン…

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掲載期間：24/04/30～24/06/24

設計・開発エンジニア（半導体）

車載用パワーモジュールの設計開発（パワー半導体）/外資系企業の日本設計会社の募集

外資系企業ベンチャー企業海外出張英語力が必要土日祝休み

仕事内容: パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただきます。エネ…

応募資格

必須: パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下…

歓迎: 英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方

勤務地: 京都府

年収 / 給与: 500万円～999万円

会社概要: ■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…

気になる

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掲載期間：24/04/30～24/06/24

設計・開発エンジニア（半導体）

パワー半導体デバイスのデバイス試作エンジニア/外資系企業の日本設計会社の募集

外資系企業ベンチャー企業海外出張英語力が必要土日祝休み

仕事内容: 【業務内容】高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…

応募資格

必須: パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下…

歓迎: 英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方

勤務地: 京都府

年収 / 給与: 500万円～999万円

会社概要: ■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…

気になる

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掲載期間：24/04/30～24/06/24

設計・開発エンジニア（半導体）

パワーデバイスの設計開発/外資系企業の日本設計会社の募集

外資系企業ベンチャー企業海外出張英語力が必要土日祝休み

仕事内容: 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイ…

応募資格

必須: パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下…

歓迎: 英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方

勤務地: 京都府

年収 / 給与: 500万円～999万円

会社概要: ■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…

気になる

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掲載期間：24/04/26～24/06/20

設計・開発エンジニア（半導体）

【全国】機械設計※半導体製造装置／WEB面接可／東証一部上場／残業月平均20ー30時間程度

仕事内容: 【職務内容】成長し続ける優良企業／国内唯一の独立系大手半導体専業メーカー／福利厚生充実後工程の半導体生産設備の設計・開発…

応募資格

必須: ＜必須条件＞いずれかの経験がある方生産設備の設計経験をお持ちの方＜歓迎条件＞半導…

勤務地: 北海道 / 青森県 / 岩手県 / 宮城県 / 秋田県 / 山形県 / 福島県 / 茨城県 / 栃木県 / 群馬県 / 埼玉県 / 千葉県 / 東京都 / 神奈川県 / 新潟県 / 富山県 / 石川県 / 福井県 / 山梨県 / 長野県 / 岐阜県 / 静岡県 / 愛知県 / 三重県 / 滋賀県 / 京都府 / 大阪府 / 兵庫県 / 奈良県 / 和歌山県 / 鳥取県 / 島根県 / 岡山県 / 広島県 / 山口県 / 徳島県 / 香川県 / 愛媛県 / 高知県 / 福岡県 / 佐賀県 / 長崎県 / 熊本県 / 大分県 / 宮崎県 / 鹿児島県 / 沖縄県

年収 / 給与: 450万円～849万円

会社概要: 半導体をはじめとする電子部品の開発・製造・販売

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掲載期間：24/04/26～24/06/20

設計・開発エンジニア（半導体）

※60歳以上も正社員として働ける※手厚い研修＆業界最大手＆勤続年数業界トップクラス

上場企業大手企業土日祝休み

仕事内容: 無線回路・高周波回路・電源回路等アナログ回路、およびマイコン周辺回路・制御回路等デジタル回路の設計・解析・評価、LSI開発等
自動車・二輪車・電気自動車電装・電子部品の設計・エンジン制御システムの設計開発・自動運転に関わる回路設計・ITS（高度道…

応募資格

必須: ●経験者・職務内容に関連する経験を1年以上有する方・学歴不問 ●未経験者・職種に準…

勤務地: 青森県 / 岩手県 / 宮城県 / 秋田県 / 山形県 / 福島県 / 茨城県 / 栃木県 / 群馬県 / 埼玉県 / 千葉県 / 東京都 / 神奈川県 / 新潟県 / 富山県 / 石川県 / 福井県 / 山梨県 / 長野県 / 岐阜県 / 静岡県 / 愛知県 / 三重県 / 滋賀県 / 京都府 / 大阪府 / 兵庫県 / 奈良県 / 和歌山県 / 鳥取県 / 島根県 / 岡山県 / 広島県 / 山口県 / 徳島県 / 香川県 / 愛媛県 / 高知県 / 福岡県 / 佐賀県 / 長崎県 / 熊本県 / 大分県 / 宮崎県 / 鹿児島県

年収 / 給与: 400万円～799万円

会社概要: エンジニアリングソリューション事業（機械設計、電気・電子設計、ソフトウェア開発、…

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掲載期間：24/04/26～24/06/20

設計・開発エンジニア（半導体）

【全国】半導体関連装置設計※3DCAD／グローバル展開／残業15ｈ／176％成長

仕事内容: 【仕事内容詳細】半導体工場内で使用される搬送/洗浄装置等における機械設計をご担当ください。入社後は、研修/OJTにて専門…

応募資格

必須: ＜必須要件＞※下記いずれかのご経験がある方１、PCスキル（Word、Excel、…

勤務地: 北海道 / 青森県 / 岩手県 / 宮城県 / 秋田県 / 山形県 / 福島県 / 茨城県 / 栃木県 / 群馬県 / 埼玉県 / 千葉県 / 東京都 / 神奈川県 / 新潟県 / 富山県 / 石川県 / 福井県 / 山梨県 / 長野県 / 岐阜県 / 静岡県 / 愛知県 / 三重県 / 滋賀県 / 京都府 / 大阪府 / 兵庫県 / 奈良県 / 和歌山県 / 鳥取県 / 島根県 / 岡山県 / 広島県 / 山口県 / 徳島県 / 香川県 / 愛媛県 / 高知県 / 福岡県 / 佐賀県 / 長崎県 / 熊本県 / 大分県 / 宮崎県 / 鹿児島県 / 沖縄県

年収 / 給与: 400万円～699万円

会社概要: ・半導体装置（搬送・洗浄・研磨等）の販売・設置・メンテナンス・半導体（SiC,S…

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掲載期間：22/11/30～24/06/23

設計・開発エンジニア（半導体）

車載用パワーモジュールの設計開発（パワー半導体）／半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み

仕事内容: 業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただ…

応募資格

必須: 【必須】パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関…

勤務地: 京都府

年収 / 給与: 600万円～1049万円

会社概要: 半導体デバイス設計

気になる

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掲載期間：22/11/30～24/06/23

設計・開発エンジニア（半導体）

パワー半導体デバイスの設計開発／半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み

仕事内容: 業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…

応募資格

必須: 【必須】パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関…

勤務地: 京都府

年収 / 給与: 600万円～1049万円

会社概要: 半導体デバイス設計

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掲載期間：22/11/30～24/06/23

設計・開発エンジニア（半導体）

パワー半導体デバイスの試作エンジニア／半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み

仕事内容: 業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…

応募資格

必須: 【必須】パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関…

勤務地: 京都府

年収 / 給与: 600万円～1049万円

会社概要: 半導体デバイス設計

気になる

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掲載期間：22/11/30～24/06/23

設計・開発エンジニア（半導体）

パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善／半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み

仕事内容: 業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…

応募資格

必須: 【必須】パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関…

勤務地: 京都府

年収 / 給与: 600万円～1049万円

会社概要: 半導体デバイス設計

気になる

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設計・開発エンジニア（半導体）/600万円の転職・求人情報一覧（14）

LED製品用途のリードフレーム開発・設計職、プロセス開発職（モノづくり革新部）

ファブレスメモリ半導体デザインカンパニー（海外企業）

歩留まり改善マネージャー

【熊本】IGBT・Diode・MOSFETなどの半導体デバイス（表面/裏面）製造プロセス技術開発

【兵庫県伊丹市】パワー半導体デバイスのプロセスエンジニア

【熊本/福山】パワー半導体開発工程における プロセスエンジニア

薄膜部品開発マネジメント（試作管理）／東証プライム上場／世界トップクラスのグローバルメーカ／

パワー半導体デバイスの開発※設計開発・信頼性評価・インテグレーション・解析技術者等主に4分野で募集中

薄膜部品技術者／東証プライム上場／世界トップクラスのグローバルメーカー

セラミックパッケージの開発・プロセス開発（設計）／東証プライム上場／

セラミックパッケージの開発・プロセス開発（試作）／東証プライム上場／

セラミック電子部品の材料開発・工法開発業務／東証プライム上場／世界トップクラスのグローバルメーカー

材料・製品開発（窒化物・炭化物）／東証プライム上場／世界トップクラスのグローバルメーカー

【全国各事業拠点】電子デバイス開発・製造生産技術、材料開発・プロセス開発、品質管理・保証職など

【大阪府・神奈川県】電子デバイス開発・回路技術開発・品質管理・保証職など

【熊本県合志市】ウエハプロセスエンジニア

【兵庫県伊丹市】半導体ウエハプロセス・ウエハテストエンジニア

半導体製造装置向け製品の開発業務／東証プライム上場／世界トップクラスのグローバルメーカ／

アナログ半導体デバイス開発又はプロセスエンジニア ※半導体業界未経験者や第2新卒採用

【京都】分析エンジニア

デジタルLSI設計 ※リモートワーク制度あり

アナログLSI設計 ※リモートワーク制度あり

【広島県福山市】大手電機メーカーでパワー半導体プロセスエンジニア

半導体デバイス解析

半導体テスト・評価エンジニア、マネジャー

薄膜開発／東証プライム上場／世界トップクラスのグローバルメーカ／

セラミックパッケージの開発・プロセス開発（試作）／世界トップクラスのグローバルメーカー

製品設計（セラミック気密端子）／東証プライム上場／世界トップクラスのグローバルメーカ／

電気設計者（計測システム部 計測課）

パワーデバイスの設計開発エンジニア

【京都】レーザーダイオード製品設計・開発エンジニア

【京都/滋賀】パワーデバイス商品開発（車載向け）

【京都】研究開発（半導体デバイスのフロントローディング研究）

【京都】半導体デバイス解析

LSI設計開発（リモートワーク）エンジニアの約26％が50代、約30％が40代・生涯活躍できる環境

研究開発(半導体向け超精密研磨材)

車載用パワーモジュールの設計開発（パワー半導体）/外資系企業の日本設計会社の募集

パワー半導体デバイスのデバイス試作エンジニア/外資系企業の日本設計会社の募集

パワーデバイスの設計開発/外資系企業の日本設計会社の募集

【全国】機械設計※半導体製造装置／WEB面接可／東証一部上場／残業月平均20ー30時間程度

※60歳以上も正社員として働ける※手厚い研修＆業界最大手＆勤続年数業界トップクラス

【全国】半導体関連装置設計※3DCAD／グローバル展開／残業15ｈ／176％成長

車載用パワーモジュールの設計開発（パワー半導体）／半導体デバイス設計会社

パワー半導体デバイスの設計開発／半導体デバイス設計会社

パワー半導体デバイスの試作エンジニア／半導体デバイス設計会社

パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善／半導体デバイス設計会社

【熊本/福山】パワー半導体開発工程における　プロセスエンジニア

アナログ半導体デバイス開発又はプロセスエンジニア　※半導体業界未経験者や第2新卒採用

デジタルLSI設計　※リモートワーク制度あり

アナログLSI設計　※リモートワーク制度あり

電気設計者（計測システム部　計測課）