掲載期間:26/07/22~26/08/04
NEW設計・開発エンジニア(電気)
SiC/IGBT Power Device Process Integration Expert
外資系企業マネジメント業務なし英語力が必要転勤なし土日祝休み
- 仕事内容
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外資系デバイスメーカーでの募集です。 電子デバイス研究開発のご経験のある方は歓迎です。・SiC/IGBTパワー半導体プロセスインテグレーション構築を担当していただきます。 ・部分工程であるプロセスモジュールイ…
- 応募資格
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- 必須
- ・おおよそ20年以上の半導体またはそのプロセス技術の研究・開発・製造における経験…
- 勤務地
- 大阪府
- 年収 / 給与
- 1000万円~1999万円
- 会社概要
- 外資系デバイスメーカー ※詳細は求人紹介時にご案内いたします。
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