設計・開発エンジニア(半導体)/700万円の転職・求人情報一覧(10)

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451465件を表示中
掲載期間:24/04/15~24/05/12
設計・開発エンジニア(半導体)

生産技術

マネジメント業務なし英語力不問転勤なし土日祝休み
仕事内容
兵庫県中西部の企業でございます。
■同社生産技術部門においてプロセス開発・量産ライン企画・生産準備、もしくは設備導入・工程設計等のの工程をご担当頂きます。
応募資格
必須
【必須】 生産技術/プロセスエンジニアリングのご経験 【歓迎】 ・統計手法を理解してい…
勤務地
兵庫県
年収 / 給与
600万円~1199万円
会社概要
製造業 ※詳細は求人紹介時にご案内いたします。
掲載期間:24/04/12~24/06/06
仕事内容
半導体製造装置の制御設計(電気回路)を担当頂きます。 具体的には… ◆制御盤設計 ◆デジタル回路設計 ◆ソフト設計(PLC、P/…
応募資格
必須
◆PLC・制御盤設計の経験者 ◆2D CADの経験者
歓迎
◆半導体製造の知識・実務経験がある方(真空装置・加熱装置・FPD製造装置・太陽電…
勤務地
東京都
年収 / 給与
600万円~1249万円
会社概要
◆真空装置や半導体、太陽電池、、FPD、有機ELなどの製造装置の開発・設計・製造…
掲載期間:24/04/11~24/05/08
設計・開発エンジニア(半導体)

【広島県福山市】大手電機メーカーでパワー半導体プロセスエンジニア

海外展開あり(日系グローバル企業)上場企業大手企業マネジメント業務なし英語力不問土日祝休み
仕事内容
【パワー半導体プロセスエンジニア】 福山事業所でのパワー半導体プロセスエンジニア業務を担当いただきます。
具体的には、パワー半導体のウエハプロセス開発、設備技術・新規設備の選定・導入、装置立上げ、量産移管、量産管理、その他生産…
応募資格
必須
・SiウエハプロセスもしくはSiパワーデバイスの開発経験者 ・半導体関連の基礎知識…
歓迎
・12φのSiウエハプロセス経験者 ・新規ウエハプロセスラインの立ち上げ経験者 ・ビ…
勤務地
広島県
年収 / 給与
500万円~949万円
会社概要
近年、環境保護意識と省エネ意識の高まりを背景に、家電のインバーター化が進展。また…
掲載期間:24/04/11~24/06/05
仕事内容
・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー ・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長 ・ベンチャーマインドに溢れ、若手から裁量もって働けます
パワーダイオードやMOSFETなどのSiデバイスの拡販、企画、設計、プロセス開発をご担当いただきます。 担当製品は面接を通…
応募資格
必須
【必須】 ・MOSFETの構造・動作特性の理解 ・半導体プロセスの理解 ・基礎的な電気…
勤務地
滋賀県 / 京都府
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし…
掲載期間:24/04/11~24/06/05
仕事内容
・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー ・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長 ・ベンチャーマインドに溢れ、若手から裁量もって働けます
【仕事内容】 ■商品開発業務 商品企画やパッケージ展開を主とした顧客対応業務をご担当いただきます。 具体的には、顧客に開発した…
応募資格
必須
【必須】 下記の知識と経験を保有されている方 ・半導体の基礎知識(MOSFETやIG…
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~899万円
会社概要
小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし…
掲載期間:24/04/09~24/06/03
仕事内容
募集職種 ■メモリープロセス・エンジニア ■メモリープロセス・インテグレーション・エンジニア ■メモリープロダクト・エンジニア…
応募資格
必須
下記のいずれかの知識と経験を保有されている方(基本的に3年以上経験を有する方) ■…
歓迎
外国語能力
勤務地
東京都 / 中国
年収 / 給与
1800万円~2999万円
会社概要
深センの半導体工場で働く技術者を探しております。競争が激しい半導体業界ということ…
掲載期間:24/04/04~24/05/29
仕事内容
・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー ・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長 ・ベンチャーマインドに溢れ、若手から裁量もって働けます
【職務内容】 高度な分析装置(FIB、TEM、オージェ分析、FT-IR、3DX線など)を用いて、事業部から依頼された試作品…
応募資格
必須
【必須】 ・分析に関する実務経験をお持ちの方(SEM、 FIB、TEM、オージェ分…
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~1049万円
会社概要
小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし…
掲載期間:24/04/02~24/05/27
仕事内容
・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー ・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長 ・ベンチャーマインドに溢れ、若手から裁量もって働けます
【職務内容】 ■パッケージ要素技術開発エンジニア パワーデバイスの特性を最大限に引き出すパッケージ開発業務全般を担当いただき…
応募資格
必須
【必須】※いずれかの知識・経験を保有されている方 ・半導体パッケージ構造・放熱設計…
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~1249万円
会社概要
小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし…
掲載期間:24/03/26~24/05/20
仕事内容
【主な職務内容】 ■現在、新製品開発を進めており、まだ世の中にはないポン          プを駆動するための新しいモーター…
応募資格
必須
【必須条件】 ■モーターの開発経験 【この仕事の魅力】 ゼロからイチを⽣み出すような製…
歓迎
【歓迎条件】 ■ブラシレスモーターの開発経験 ■電磁気学の知識をお持ちの⽅ ■何かしら…
勤務地
埼玉県
年収 / 給与
550万円~849万円
会社概要
ケミカルポンプをはじめとする各種流体制御製品の開発・製造・販売 ポンプを通じてあら…
掲載期間:24/03/25~24/05/19
仕事内容
・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー ・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長 ・ベンチャーマインドに溢れ、若手から裁量もって働けます
【業務内容】 ■レーザーダイオード 製品設計・開発 ・結晶成長から前工程プロセスまで製品設計・工程設計 ・顧客要求や市場要求に…
応募資格
必須
【必須】※以下いずれかのスキルまたは経験を保有されている方 ・レーザーダイオードの…
勤務地
京都府
年収 / 給与
700万円~1049万円
会社概要
小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし…
掲載期間:24/03/18~24/05/12
仕事内容
・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー ・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長 ・ベンチャーマインドに溢れ、若手から裁量もって働けます
【職務内容】 ■ACDC回路を対象としたLSIの商品開発を担当して頂きます。 入社後は1次側電源のACDC回路設計・評価・顧…
応募資格
必須
【必須】 下記いずれかのスキルを保有されている方 ・アナログ回路設計 3年以上 ・AC…
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~949万円
会社概要
小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし…
掲載期間:22/11/30~24/05/08
設計・開発エンジニア(半導体)

車載用パワーモジュールの設計開発(パワー半導体)/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただ…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/05/08
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの設計開発/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/05/08
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの試作エンジニア/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/05/08
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
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Q.
掲載されている転職情報の企業名が非公開となっている場合が多いように思います。社名はどの段階で公開されるのでしょうか?
A.
人材紹介会社が保有している転職情報の中には、一般公募をしていない転職情報や企業から非公開で依頼を受ける転職情報もあるため、社名を非公開にして掲載する転職情報が多数あります。

ご興味のある転職情報がございましたら、まずはエントリーをいただき、その後、担当のコンサルタントと面談を行い、会社名や転職情報の詳細をご確認いただいて、実際に求人企業に応募するかを判断していただければと思います。