設計・開発エンジニア(半導体)/600万円の転職・求人情報一覧(14ページ目)

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651679件を表示中
掲載期間:25/04/11~25/04/24
仕事内容
【業務内容】 我が国の安全保障を支える、レーダ装置の設計開発プロジェクトにおいて、リーダーとして活躍していただきます。具体…
応募資格
必須
装置開発の実務経験 - 電気設計の実務経験(ボード,ユニット,ラック) - 日本語で…
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
450万円~649万円
会社概要
【3つの事業の柱】[1]情報システム(宇宙・防衛)事業:防衛省向けに艦船搭載用シ…
掲載期間:25/04/11~25/04/24
仕事内容
<業務例> ・自動車:車載カメラ向けASIC/FPGAの設計、評価、障害解析 ・医療:エアフローセンサー開発における設計 ・電…
応募資格
必須
<必須要件>※下記のいずれか ■デジタル回路設計の設計経験 ■ソフトウェア(C言語)…
勤務地
山梨県
年収 / 給与
450万円~849万円
会社概要
半導体およびMEMS製品の開発、生産、販売。
掲載期間:25/04/10~25/06/04
仕事内容
【仕事概要】 ◆最先端NAND型フラッシュメモリ半導体の自動配置配線(P&R)に関わるエンジニア職 ● 合成とDFTスキャン…
応募資格
必須
・自動配置配線の5年以上の経験のある方。 ・プログラミング・スクリプト(TCL/T…
歓迎
(下記項目のご経験やご専門のある方) ・半導体プロセス、デバイスの知識 ・ビジネスレ…
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
600万円~1249万円
会社概要
欧米 外資系半導体設計開発メーカー
掲載期間:25/04/09~25/06/03
仕事内容
【仕事概要】 ● 半導体設計用CADツールの開発及びメンテナンス - SKILL言語を用いたCadence virutoso…
応募資格
必須
・半導体の設計用CAD開発業務のご経験のある方。(目安:5年以上) ・プログラミン…
歓迎
(下記項目のご経験やご専門のある方) ・DRC/LVSルールの作成およびメンテナン…
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
700万円~1349万円
会社概要
欧米 外資系半導体設計開発メーカー
掲載期間:25/04/09~25/06/03
仕事内容
【仕事概要】 ● 最先端NAND型フラッシュメモリ半導体のレイアウト設計業務 - アナログ回路およびデジタル回路のマニュアル…
応募資格
必須
・マニュアルによるLSIレイアウト設計経験のある方。 ・基礎的な英語力のある方。
歓迎
(下記項目のご経験やご専門のある方) ・回路設計の知識 ・半導体プロセス、デバイスの…
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
500万円~1249万円
会社概要
欧米 外資系半導体設計開発メーカー
掲載期間:25/04/07~25/06/01
仕事内容
(職務内容) ・半導体製造(試作/量産品開発製造)における顧客窓口業務とプロジェクト管理。 ・半導体開発製造ファウンドリー事…
応募資格
必須
・半導体業界での半導体デバイス開発やインテグレーションなどのプロセス技術のご経験…
歓迎
・ビジネスレベルの英語力のある方。 ・中国語でのコミュニケーションが可能な方。
勤務地
神奈川県 / 三重県
年収 / 給与
600万円~1149万円
会社概要
・半導体製品の開発製造販売
掲載期間:25/04/02~25/04/29
設計・開発エンジニア(半導体)

【広島県福山市】スタンダード上場電子・電気機器メーカーで機構設計

海外展開あり(日系グローバル企業)上場企業マネジメント業務なし英語力不問土日祝休み
仕事内容
【機構設計】 下記の業務を担っていただきます。 ・機構に関わる仕様検討 ・製品設計(部品レイアウト検討、熱流体の事前検討)※3…
応募資格
必須
・3DCADの実務経験。2DCADの実務経験。 ・板金図、切削図の実務経験
歓迎
・Solidworksの経験 ・箱型の電気機器の筐体設計経験。 ・熱流体解析の経験
勤務地
広島県
年収 / 給与
450万円~699万円
会社概要
プラズマ技術は、人の手ではできない非常に微細な加工可能とする技術です。私たちの未…
掲載期間:25/04/01~25/05/26
仕事内容
パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただきます。 エネ…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
掲載期間:25/04/01~25/05/26
仕事内容
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
掲載期間:25/04/01~25/05/26
仕事内容
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイ…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
掲載期間:25/03/31~25/04/30
設計・開発エンジニア(半導体)

セラミックス材料/プロセスの開発・設計・製造

大手企業マネジメント業務なし海外折衝英語力が必要
仕事内容
セラミックス材料のプロセスの開発・設計スタッフ
セラミックス材料のプロセスの開発・設計スタッフ セラミックス素材及び、プロセス開発、設計を中心とした業務全般となります。 特…
応募資格
必須
【必須要件】 ●普通自動車第一種免許(通勤用) ●セラミックス素材、プロセス開発、設…
歓迎
【歓迎要件】 ●セラミックス材料およびプロセスの専門知識が豊富な方 ●半導体装置、産…
勤務地
宮城県
年収 / 給与
500万円~949万円
会社概要
日揮ホールデングス(株)の機能性材料の製造を担うグループ会社 通信インフラ関連(5…
掲載期間:25/03/28~25/05/22
仕事内容
【職務概要】 ・大手電機メーカー半導体事業部門と協同しながら高周波デバイスや光デ  バイス、赤外線センサーデバイス向け、ウエ…
応募資格
必須
・化学や電気電子、物理科学、IT/情報分野での学部卒等の専門があり半導体開発製造…
歓迎
【共通】 ・半導体製品の設計または品質保証の経験がある人 ・半導体製造フローの繋がり…
勤務地
兵庫県
年収 / 給与
500万円~749万円
会社概要
・三菱電機半導体・デバイス事業の中核エンジニアリング会社との位置付けのもと、三菱…
掲載期間:25/03/27~25/05/21
仕事内容
(求人概要) ・インテグレーションエンジニアは、メモリデバイスを構成する  プロセスモジュールの内、特定のモジュールの担当と…
応募資格
必須
・半導体や他の電子デバイス、電子機器、化学材料等の業界での開発や生産技術職等のご…
勤務地
三重県
年収 / 給与
500万円~1249万円
会社概要
欧米 外資系半導体設計開発メーカー
掲載期間:25/03/27~25/05/21
仕事内容
【職務概要】 ・最先端メモリデバイス開発における微細加工や成膜工程のプロセス、装置改善業務、要素開発業務を担当頂きます。 【…
応募資格
必須
・半導体製品のプロセス技術やデバイス技術のご経験、ご専門がある方。 ・開発や製造現…
勤務地
三重県
年収 / 給与
500万円~1249万円
会社概要
欧米 外資系半導体設計開発メーカー
掲載期間:25/03/21~25/05/15
仕事内容
(仕事概要) ● NAND型フラッシュメモリLSI回路設計、特に以下のうち1つもしくは複数の技術モジュールに関わる回路設計…
応募資格
必須
・電気電子工学あるいはコンピュータサイエンスの知識をお持ちの方 ・アナログ回路又は…
歓迎
・不揮発性メモリ分野での設計経験、もしくはDRAM、SRAM設計の経験のある方 ・…
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
700万円~1349万円
会社概要
欧米 外資系半導体設計開発メーカー
掲載期間:25/03/21~25/05/15
仕事内容
パソコンやサーバ、民生機器、通信機器、産業機器や車載製品に搭載される、世界最先端のメモリ半導体の設計に特化した企業で、海…
応募資格
必須
(下記いずれかのご経験のある方) ・メモリ半導体(DRAMやNAND等)の回路設計…
勤務地
兵庫県
年収 / 給与
700万円~1149万円
会社概要
メモリ半導体デザインカンパニー(海外企業)
掲載期間:25/03/19~25/05/13
仕事内容
(職務内容) ・半導体製造プロセスにおける各工程(イオン注入、フォトリソグラフィー、エッチング、拡散)の中で、半導体デバイ…
応募資格
必須
(下記いずれかのご経験のある方) ・何らかの半導体前工程プロセス技術に関する知識、…
歓迎
【歓迎(WANT)】 ・基礎~日常会話レベルの英語スキルのある方(TOEIC500…
勤務地
三重県
年収 / 給与
600万円~1149万円
会社概要
・半導体製品の開発製造販売
掲載期間:25/03/19~25/05/13
仕事内容
【仕事概要】 ・最先端メモリデバイス開発における微細加工や成膜工程のプロセス、装置改善業務、要素開発業務を担当頂きます。 【…
応募資格
必須
・半導体製品のプロセス技術やデバイス技術のご経験、ご専門がある方。 ・開発や製造現…
歓迎
(下記項目のご経験やご専門のある方) ・基礎的な英語力
勤務地
岩手県
年収 / 給与
500万円~1249万円
会社概要
欧米 外資系半導体設計開発メーカー
掲載期間:25/03/19~25/05/13
仕事内容
【仕事概要】 ・インテグレーションエンジニアは、メモリデバイスを構成するプロセスモジュールの内、特定のモジュールの担当とな…
応募資格
必須
・半導体や他の電子デバイス、電子機器、化学材料等の業界での開発や生産技術職等のご…
歓迎
(下記項目のご経験やご専門のある方) ・半導体デバイスや半導体製造装置メーカーにお…
勤務地
岩手県
年収 / 給与
500万円~1249万円
会社概要
欧米 外資系半導体設計開発メーカー
掲載期間:25/03/19~25/05/13
仕事内容
【仕事概要】 ・プロダクトエンジニアは、同社の半導体メモリ製品担当として、その製品の製造プロセスフローを管理し、製品の立ち…
応募資格
必須
・半導体や他の電子デバイス、電子機器等の開発や製造のご経験のある方。
歓迎
(下記項目のご経験やご専門のある方) ・半導体デバイスや半導体製造装置メーカーにお…
勤務地
岩手県
年収 / 給与
500万円~1249万円
会社概要
欧米 外資系半導体設計開発メーカー
掲載期間:25/03/17~25/05/11
設計・開発エンジニア(半導体)

半導体テスト・評価エンジニア、マネジャー

海外展開あり(日系グローバル企業)上場企業大手企業管理職・マネジャー海外出張土日祝休み
仕事内容
・SoC製品のテスト仕様策定、テスト立上げの推進、およびこれらを適切なコスト・TATで実現するための  技術開発、およびこれに付随する業務の推進
●メイン業務 ・SoC製品のテスト仕様策定、テスト戦略の検討 ・テスト仕様に基づくテストプログラム開発 ・LSIテスターを用い…
応募資格
必須
●必須の要件 ・SoC製品のテスト開発業務経験者  (テスト仕様策定 テスト環境構築…
勤務地
神奈川県 / 愛知県 / 京都府
年収 / 給与
750万円~1649万円
会社概要
半導体製品(SoC、システムLSI)及び関連製品の開発・設計・製造委託・販売 当社…
掲載期間:25/03/17~25/05/11
設計・開発エンジニア(半導体)

Array デバイス開発エキスパート(IJP 酸化物デバイス開発)

外資系企業海外展開あり(日系グローバル企業)英語力不問転勤なし土日祝休み
仕事内容
■職務内容 当社の R&D 部門にて、IJP 酸化物バックプレーンデバイスの設計及び開発に関する業務を担当していた だきます…
応募資格
必須
■応募資格 【必要な経験やスキル】 ※いずれかのご経験があれば応募可能です ・IJP…
勤務地
東京都
年収 / 給与
1000万円~1999万円
会社概要
2009 年 11 月 16 日に設立され、登録資本金 183.4 億元(約 3…
掲載期間:25/03/11~25/05/05
仕事内容
(求人概要) ・プロダクトエンジニアは、当社の半導体メモリ製品(NAND FLASH)担当  として、その製品の製造プロセス…
応募資格
必須
・半導体や他の電子デバイスの研究開発や製造技術開発のご経験のある方。 (求める人物…
歓迎
・半導体に関するエンジニア経験のある方。 ・基礎的な英語力のある方。
勤務地
三重県
年収 / 給与
500万円~1249万円
会社概要
欧米 外資系半導体設計開発メーカー
掲載期間:25/03/07~25/05/01
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業 ■業務内容: 世界のファンダリ―メーカ…
応募資格
必須
(下記いずれかのご経験のある方) ・パワー半導体デバイスの設計、開発、製造に関して…
歓迎
・日常会話レベル以上の英語力又は中国語力のある方。 (海外エンジニアとのコミュニケ…
勤務地
京都府
年収 / 給与
700万円~1149万円
会社概要
パワー半導体デバイスやモジュールの新規設計開発(ファブレスメーカー)
掲載期間:25/03/06~25/04/30
仕事内容
◆台湾に本社のある大手半導体メーカーの日本法人において、台湾本国向けの製品としてメモリ、メモリ周辺、電源、メモリ評価用回…
応募資格
必須
・LSIアナログ回路設計実務経験のある方。 ・マニュアルレイアウト設計実務経験(検…
勤務地
東京都
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
外資系半導体開発製造
掲載期間:25/03/06~25/04/30
設計・開発エンジニア(半導体)

半導体設計環境構築/PDK開発エンジニア(EDA技術者)

外資系企業大手企業マネジメント業務なし転勤なし土日祝休み
仕事内容
◆台湾に本社のある大手半導体メーカーの日本法人において、台湾本国の半導体設計部門で使用する半導体PDK開発/EDA技術者…
応募資格
必須
・半導体メーカー又はEDAベンダーにて自社又は顧客向けの半導体設計環境構築/PD…
歓迎
・基礎会話レベルの英語若しくは中国語スキルのある方。 ・SpiceModel に対…
勤務地
東京都
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
外資系半導体開発製造
掲載期間:25/03/06~25/04/30
仕事内容
■大手企業からの半導体LSIの受託設計・共同開発におけるデジタル  LSI設計開発職 【具体的には】 ・IP設計 ・ASIC設計…
応募資格
必須
【必須(MUST)】 ・RTL設計・検証経験のある方(目安3年以上)
歓迎
【歓迎(WANT)】 ・画像処理分野でのIC開発経験のある方
勤務地
東京都 / 神奈川県 / 大阪府 / 福岡県
年収 / 給与
400万円~749万円
会社概要
・半導体受託開発、カメラモジュール、半導体検査装置等の開発・販売
掲載期間:25/03/06~25/04/30
仕事内容
■大手企業からの半導体LSIの受託設計・共同開発におけるアナログ  LSI設計開発職。電源、モータードライバ、高速インター…
応募資格
必須
【必須(MUST)】 ・トランジスタレベルの回路設計経験のある方。
歓迎
【歓迎(WANT)】 ・高速インターフェース回路、電源回路の設計経験のある方。
勤務地
東京都 / 神奈川県 / 富山県 / 大阪府 / 福岡県
年収 / 給与
400万円~749万円
会社概要
・半導体受託開発、カメラモジュール、半導体検査装置等の開発・販売
掲載期間:25/03/04~25/04/28
仕事内容
(職務内容) ・半導体前工程製造プロセスにおけるスパッタ、薄膜形成、CMPのいづれかのプロセスModule/設備技術を担当…
応募資格
必須
・半導体スパッタ、薄膜形成等の成膜技術又はCMPのプロセスエンジニア又は設備技術…
歓迎
(歓迎条件) ・半導体設備保全管理、半導体装置開発、半導体製造装置業務経験のある方…
勤務地
三重県
年収 / 給与
1100万円~1549万円
会社概要
・半導体製品の開発製造販売
設定中の検索条件
職種設計・開発エンジニア(半導体) 年収600万円以上
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