設計・開発エンジニア（半導体）/400万円の転職・求人情報一覧（12ページ目）

掲載期間：26/10/19～26/11/09

AT-S1-1【兵庫】半導体パッケージ開発（材料・プロセス・シミュレーション）

東芝デバイス＆ストレージ株式会社

仕事内容: 〈AT-S1-1【兵庫】半導体パッケージ開発（材料・プロセス・シミュレーション）〉【仕事内容】次世代半導体パッケージの開…

応募資格

必須: 【必須経験】・半導体、電子部品、材料、製造装置分野における開発経験・材料開発、プ…

勤務地: 兵庫県

年収 / 給与: 450万円～1249万円

会社概要: ＜半導体事業部＞主に、ディスクリート半導体とシステムデバイスの事業を行っています…

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掲載期間：26/10/19～26/11/09

【静岡】磁気センサーモジュールの開発エンジニア＜浜松工場＞◎東証プライム上場

ミネベアミツミ株式会社

仕事内容: 【担当業務】同社独自開発の磁石をベースとした、新規磁気エンコーダの開発業務をお任せします。社内外のロボットメーカーや工作…

応募資格

必須: ＜必須経験・スキル＞・磁気センサーモジュールの開発の経験＜あれば望ましい経験・ス…

勤務地: 静岡県

年収 / 給与: 450万円～899万円

会社概要: ～エージェントのおすすめポイント～ ☆ 売上高15年連続増収を実現する成長企業 ☆ …

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掲載期間：26/10/19～26/11/09

L1【神奈川】マイコン・システム　LSIの設計エンジニア／東芝デバイス＆ストレージ

東芝デバイス＆ストレージ株式会社

仕事内容: 〈AT-L1【神奈川】マイコン・システム LSIの設計エンジニア〉【仕事内容】 LSI開発（バックエンド設計）をご担当いた…

応募資格

必須: 必須条件：下記いずれかのご経験をお持ちの方 ●フロントエンド設計（システム設計～論…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 450万円～1249万円

会社概要: ＜半導体事業部＞主に、ディスクリート半導体とシステムデバイスの事業を行っています…

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掲載期間：26/10/19～26/11/09

【横浜】研究開発（可視光VCSELの評価解析）

スタンレー電気株式会社

仕事内容: LS26_01【横浜】研究開発（可視光VCSELの評価解析）【募集の背景】同社では、可視光VCSELの事業化に向けた研究…

応募資格

必須: 【求めるスキル】・半導体レーザ設計に関するシミュレーション技術、光導波路およびモ…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 450万円～849万円

会社概要: 自動車照明製品、カーエレクトロニクス製品、半導体製品、情報・通信機器製品、電子・…

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掲載期間：26/10/19～26/11/09

【横浜】半導体エンジニア（設計・評価・幅広い技術領域対応）

株式会社シーディア

仕事内容: 【仕事内容】同社にて、半導体（LSI）設計や評価を中心としたエンジニアリングサービスを提供しており、フロントエンドからバ…

応募資格

必須: 学歴不問＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件：・デジタルまたはアナログの設計もしくは…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 500万円～849万円

会社概要: 【事業内容】 ■LSIデザイン　 ■エンベデッドシステム ■システムインテグレーション…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

【国分寺・在宅】半導体エンジニア（設計・評価・幅広い技術領域対応）

株式会社シーディア

仕事内容: 【仕事内容】同社にて、半導体（LSI）設計や評価を中心としたエンジニアリングサービスを提供しており、フロントエンドからバ…

応募資格

必須: 学歴不問＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件：・デジタルまたはアナログの設計もしくは…

勤務地: 東京都

年収 / 給与: 500万円～849万円

会社概要: 【事業内容】 ■LSIデザイン　 ■エンベデッドシステム ■システムインテグレーション…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

【国分寺】半導体エンジニア（設計・評価・幅広い技術領域対応）

株式会社シーディア

仕事内容: 【仕事内容】同社にて、半導体（LSI）設計や評価を中心としたエンジニアリングサービスを提供しており、フロントエンドからバ…

応募資格

必須: 学歴不問＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件：・デジタルまたはアナログの設計もしくは…

勤務地: 東京都

年収 / 給与: 500万円～849万円

会社概要: 【事業内容】 ■LSIデザイン　 ■エンベデッドシステム ■システムインテグレーション…

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掲載期間：26/10/19～26/11/09

【岡山】【電子部品事業】モジュール商品、組み込みセンサの商品開発、商品技術

Aratas株式会社

仕事内容: ◆担っていただきたい具体的な仕事内容主に組み込みセンサ、モジュール商品の商品開発のエレキ設計、デバイス・センシング技術、…

応募資格

必須: ◆必須条件【経験】回路設計の構想から詳細設計、評価の経験 ◆必須条件【スキル】電気…

勤務地: 岡山県

年収 / 給与: 500万円～899万円

会社概要: ■同社は、リレー、スイッチ、コネクタ、センサ等の先進的な電子部品の開発、製造、販…

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掲載期間：26/10/19～26/11/09

ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング株式会社

【長崎】イメージング製品のインテグレーション開発業務

仕事内容: 【職務内容】モバイル機器向け次世代イメージング製品のインテグレーション開発業務【お任せする具体的な仕事内容】次世代イメー…

応募資格

必須: 【必須】半導体ウェーハデバイス、インテグレーション、或いはユニットプロセスに関す…

勤務地: 長崎県

年収 / 給与: 500万円～1099万円

会社概要: 【会社概要】同社はソニーの子会社としてソニー100％出資で2001年に設立いたし…

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掲載期間：26/10/19～26/11/09

【京都】光半導体プロセス開発・量産技術担当

コーデンシ株式会社

仕事内容: 仕事内容：光半導体の量産工場におけるプロセス開発業務を担当していただきます。 ■プロセス技術：半導体前工程プロセスの開発お…

応募資格

必須: ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件：・半導体もしくは太陽電池のプロセス開発業務経験…

勤務地: 京都府

年収 / 給与: 500万円～699万円

会社概要: 【事業内容】 ■光技術を応用した光半導体及び、光センサー・光複合部品の設計・開発、…

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掲載期間：26/10/19～26/11/09

【京都】光センサ用半導体チップ開発エンジニア（先端デバイス設計・量産技術）

コーデンシ株式会社

仕事内容: 仕事内容：　同社は光センサや光半導体デバイスの専業メーカーであり、光センサ用半導体チップの開発エンジニアとして、新規デバ…

応募資格

必須: ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件：・シリコンまたは化合物半導体に関する開発・評価…

勤務地: 京都府

年収 / 給与: 500万円～699万円

会社概要: 【事業内容】 ■光技術を応用した光半導体及び、光センサー・光複合部品の設計・開発、…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

【オープンポジション枠】

株式会社KOKUSAI ELECTRIC

仕事内容: 【職務内容】オープンポジション枠のため、応募者の経験等を拝見させていただき、別途ご担当いただきたい業務内容を検討させてい…

応募資格

必須: 【求める経験・スキル】・世界トップレベルの技術やモノづくりに携わりたい方・グロー…

勤務地: 東京都

年収 / 給与: 500万円～1349万円

会社概要: 【事業内容】半導体製造装置の開発・製造・販売当社は(株)日立国際電気から独立して…

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掲載期間：26/10/19～26/11/09

【広島県（東広島市）】先端半導体技術エンジニア（ウェットプロセス）◎世界的半導体メモリメーカー

仕事内容: ＜Advanced Technology Engineer (Wet Process) / 先端半導体技術エンジニア（ウ…

応募資格

必須: ＜必須資格＞・学士号または同等の経験・日本語または英語でのコミュニケーションが可…

勤務地: 広島県

年収 / 給与: 500万円～1549万円

会社概要: ◆ 半導体メモリ製品の研究開発・設計・製造 ■ 同社は、DRAM・NAND型フラッ…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

【広島県（東広島市）】プリンシパルエンジニア◎世界的半導体メモリメーカー

仕事内容: ＜Principal Engineer/MTS， DRAM PI＞【業務内容】次世代DRAM技術開発におけるプロセスイン…

応募資格

必須: 【応募資格】＜技術要件＞・半導体プロセスに関する基礎知識・プロセスインテグレーシ…

勤務地: 広島県

年収 / 給与: 500万円～1549万円

会社概要: ◆ 半導体メモリ製品の研究開発・設計・製造 ■ 同社は、DRAM・NAND型フラッ…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

【広島県（東広島市）】DRAM TCADエンジニア◎世界的半導体メモリメーカー

仕事内容: ＜Principal / Senior / Engineer， TCAD DRAM＞【仕事内容】 MicronTechno…

応募資格

必須: 【必須条件】・電気工学、物理学、材料科学、または関連分野の学位・半導体デバイスシ…

勤務地: 広島県

年収 / 給与: 500万円～1549万円

会社概要: ◆ 半導体メモリ製品の研究開発・設計・製造 ■ 同社は、DRAM・NAND型フラッ…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

【神奈川県（相模原市）】エンジニア職（DRAM 設計・評価解析職？）◎世界的半導体メモリメーカ

仕事内容: ＜障がい者向け　エンジニア職（DRAM 設計・評価解析職？）*Disability＞ ■業務内容：障害特性を考慮の上、以…

応募資格

必須: 応募条件：障がい者手帳をお持ちの方必須条件：・高校卒業以上・Microsoft　…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 500万円～1549万円

会社概要: ◆ 半導体メモリ製品の研究開発・設計・製造 ■ 同社は、DRAM・NAND型フラッ…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

【大船／半導体メモリー】FW評価・テストプログラム開発｜C言語・Linux

セントランス株式会社

仕事内容: 業務【大船／半導体メモリー】FW評価・テストプログラム開発｜C言語・Linux C言語・Linuxの開発経験を活かし、半導…

応募資格

必須: ■必須条件・C言語を用いたソフトウェア開発経験・デバッグ経験・英文の技術規格書・…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 550万円～699万円

会社概要: 技術派遣（無期雇用派遣）・請負・受託開発設計などを通し、産業界から社会の発展に貢…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

【厚木・福岡／在宅可】CMOSイメージセンサーロジック設計・検証

セントランス株式会社

仕事内容: 業務 CMOSイメージセンサーロジック設計・検証｜詳細設計・検証・解析特徴・メリット厚木・福岡・在宅勤務に対応／Xcel…

応募資格

必須: ■必須条件・ロジック設計またはロジック検証の実務経験・Xcelium等、EDAツ…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 550万円～699万円

会社概要: 技術派遣（無期雇用派遣）・請負・受託開発設計などを通し、産業界から社会の発展に貢…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

【WEB面接可】【東京】車載向けSoC研究開発（System on a Chip領域）

仕事内容: 【具体的には】ソフトウェア・デファインド・ビークル(SDV)の実現に向けた、世界トップレベルのAI性能、省電力を有するカ…

応募資格

必須: 【求める経験・スキル】 ※いずれか必須 ●回路設計経験 ●半導体開発経験【上記に加え、…

勤務地: 東京都

年収 / 給与: 550万円～1049万円

会社概要: 「次世代モビリティ×先端技術。0→1に携わる仕事。」【事業内容】 (1) 次世代モ…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

【栃木】BEVを活用したエネルギー循環システムを実現するパワーエレクトロニクス機器の研究開発

仕事内容: 【具体的には】お客様の生活を豊かにするエネルギーV2Xエコシステム実現に向けた充給電機器・HEMS機器の開発をお任せいた…

応募資格

必須: 【求める経験・スキル】 ▼以下、いずれかの知識・業務経験・パワーエレクトロニクス機…

勤務地: 栃木県

年収 / 給与: 550万円～1049万円

会社概要: 「次世代モビリティ×先端技術。0→1に携わる仕事。」【事業内容】 (1) 次世代モ…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

【大宮】次世代車載カメラ＆AIシステム企画(エントリー領域)

仕事内容: 【具体的には】スマートフォンや生体情報を利用して、クルマのドアロック操作、解除やエンジン始動を実現するデジタルキー開発／…

応募資格

必須: 【求める経験・スキル】電気・電子・情報分野に関する知識をお持ちの方で、以下のいず…

勤務地: 埼玉県

年収 / 給与: 550万円～1049万円

会社概要: 「次世代モビリティ×先端技術。0→1に携わる仕事。」【事業内容】 (1) 次世代モ…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

【東京】次世代ロジック半導体の研究開発(論理・物理設計/EDA・評価環境構築パッケージ研究)

仕事内容: 【具体的には】 ※ご経験/スキル/志向に合わせ詳細業務を決定します。 AIを実行するロジック半導体の省電力化と演算性能向上を…

応募資格

必須: 【求める経験・スキル】 ▼以下いずれかの経験をお持ちの方ー論理・物理設計ー ●SoC…

勤務地: 東京都

年収 / 給与: 550万円～1049万円

会社概要: 「次世代モビリティ×先端技術。0→1に携わる仕事。」【事業内容】 (1) 次世代モ…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

【栃木/埼玉】半導体プロセス技術開発エンジニア（先端技術開発領域）

仕事内容: 【具体的には】・国内外の学会・展示会・論文を通じた先端技術リサーチ・仮説立案・露光／成膜／Etchingなどの工程にお…

応募資格

必須: 【必須経験・スキル】・半導体プロセス（露光／成膜／Etching 等）またはそれ…

勤務地: 栃木県

年収 / 給与: 550万円～1049万円

会社概要: 「次世代モビリティ×先端技術。0→1に携わる仕事。」【事業内容】 (1) 次世代モ…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

【栃木】次世代電動技術実現に向けたパワー半導体デバイスの研究開発

仕事内容: 【業務詳細】 ■次世代パワー半導体デバイスの回路応用に関する研究開発に向けた以下業務をお任せします。 ●小型化・高効率を追求…

応募資格

必須: 【求める経験・スキル】 ※以下いずれか必須・ワイドギャップ半導体デバイスの知見/研…

勤務地: 栃木県

年収 / 給与: 550万円～1049万円

会社概要: 「次世代モビリティ×先端技術。0→1に携わる仕事。」【事業内容】 (1) 次世代モ…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

次世代メモリ高速I/Fアーキテクト(規格策定・SI/PIソリューション)_K2634

キオクシア株式会社

仕事内容: 【採用背景】フラッシュメモリ及びフラッシュメモリが搭載されたSSDは、AIインフラを支える中核製品です。当該領域で使用さ…

応募資格

必須: 【必須要件】以下を全て有する方 ■I/F設計実務経験を5~10年程度有すること　(…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 550万円～1299万円

会社概要: 当社は、2017年4月に株式会社東芝のメモリ事業を承継し、メモリ・SSDの開発、…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

【宮城県（多賀城市）】高速PD開発エンジニア（光半導体プロセス開発）

仕事内容: 【FY25_21】フォトニクス/化合物半導体後工程エンジニア【募集背景】フォトニクス領域での事業ポートフォリオ拡大に向け…

応募資格

必須: 【応募資格】・光半導体開発のうち、特にプロセス開発（エッチング、CVD、フォトリ…

勤務地: 宮城県

年収 / 給与: 600万円～949万円

会社概要: ～Empower Evolution.つなごう、テクノロジーの進化を。～【会社概…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

【栃木県（下野市）】高速PD開発エンジニア（光半導体プロセス開発）

仕事内容: 【FY25_21】フォトニクス/化合物半導体後工程エンジニア【募集背景】フォトニクス領域での事業ポートフォリオ拡大に向け…

応募資格

必須: 【応募資格】・光半導体開発のうち、特にプロセス開発（エッチング、CVD、フォトリ…

勤務地: 栃木県

年収 / 給与: 600万円～949万円

会社概要: ～Empower Evolution.つなごう、テクノロジーの進化を。～【会社概…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

【東京都（中央区）】高速PD開発エンジニア（光半導体プロセス開発）

仕事内容: 【FY25_21】フォトニクス/化合物半導体後工程エンジニア【募集背景】フォトニクス領域での事業ポートフォリオ拡大に向け…

応募資格

必須: 【応募資格】・光半導体開発のうち、特にプロセス開発（エッチング、CVD、フォトリ…

勤務地: 東京都

年収 / 給与: 600万円～949万円

会社概要: ～Empower Evolution.つなごう、テクノロジーの進化を。～【会社概…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

【東京都 or 栃木県 or 宮城県】フォトニクス／光半導体パッケージ設計（CPO・光通信領域）

仕事内容: 【FY25_18】光半導体パッケージ設計エンジニア【業務内容】１．パッケージ開発コンセプト検討/計画立案 2030年CPO…

応募資格

必須: 【必須条件】 ※(1)に加えて、(2)(3)(4)のいずれか1つの要件を満たすこと…

勤務地: 栃木県

年収 / 給与: 600万円～1049万円

会社概要: ～Empower Evolution.つなごう、テクノロジーの進化を。～【会社概…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

【宮城県（登米市）】プロセス開発エンジニア（光半導体）　◎東証プライム上場／在宅週1日可◎

仕事内容: 【FY26_77】DXPS/開発・生産技術センター生産技術１課/DXPS恵庭もしくは登米事業所【業務内容】１．半導体プロ…

応募資格

必須: ■応募資格（Must）・半導体デバイス製造に関わる実務経験・半導体プロセス装置の…

勤務地: 北海道

年収 / 給与: 600万円～999万円

会社概要: ～Empower Evolution.つなごう、テクノロジーの進化を。～【会社概…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

【北海道（恵庭市）】光半導体デバイス設計・プロセス開発エンジニア　◎東証プライム上場◎

仕事内容: 【FY26_76】DXPS/開発・生産技術センター開発１課/DXPS恵庭事業所【業務内容】 1.　光半導体デバイスのデバ…

応募資格

必須: ■応募資格（Must）・半導体デバイスに関する基礎知識をお持ちの方・半導体プロセ…

勤務地: 北海道

年収 / 給与: 600万円～999万円

会社概要: ～Empower Evolution.つなごう、テクノロジーの進化を。～【会社概…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

【北海道（恵庭市）】プロセス開発エンジニア（光半導体）　◎東証プライム上場／在宅週1日可◎

仕事内容: 【FY26_77】DXPS/開発・生産技術センター生産技術１課/DXPS恵庭もしくは登米事業所【業務内容】１．半導体プロ…

応募資格

必須: ■応募資格（Must）・半導体デバイス製造に関わる実務経験・半導体プロセス装置の…

勤務地: 北海道

年収 / 給与: 600万円～999万円

会社概要: ～Empower Evolution.つなごう、テクノロジーの進化を。～【会社概…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

【東京都】【映像事業本部】撮像素子（イメージセンサ）デバイス開発

株式会社ニコン

仕事内容: 〈【映像事業本部】撮像素子（イメージセンサ）デバイス開発〉(20) 【本部/事業部】映像事業本部【配属先】映像事業部/第三…

応募資格

必須: 【必須要件】・撮像素子開発経験（3年以上）【歓迎要件】・半導体設計／開発／製造経…

勤務地: 東京都

年収 / 給与: 600万円～1049万円

会社概要: ■映像・精機・ヘルスケア・産業機器の4分野を中心に幅広く事業を展開しています。【…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

DS_A2007 【アナログ回路設計/福岡】CMOSイメージセンサー

仕事内容: ■部署 / チームのミッションソニーの半導体ビジネスを支えるCMOSイメージセンサーのアナログ設計業務が中心となります。…

応募資格

必須: ■必須・シリコン半導体の集積回路設計経験・下記(1)～(3)いずれかの経験を5年…

勤務地: 福岡県

年収 / 給与: 600万円～1349万円

会社概要: ソニーセミコンダクタソリューションズグループは、イメージセンサーを中心として、マ…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

DS_A0091 シリコンフォトニクスエンジニア

仕事内容: ■部署/チームのミッション新規技術の探索から実用化まで行い、次世代技術をビジネスにつなげることを組織のミッションとしてい…

応募資格

必須: ■必須 PIC設計経験、光学シミュレータを使った開発経験、PICの評価経験、半導体…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 600万円～1349万円

会社概要: ソニーセミコンダクタソリューションズグループは、イメージセンサーを中心として、マ…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

DS_A0092　光学シミュレーション技術開発（次世代イメージセンサー/メタサーフェス・AI活用

仕事内容: ■部署/チームのミッション光学設計シミュレーショングループは、イメージセンサーの競争力の源泉となる光学性能の最大化を担う…

応募資格

必須: ■必須・シミュレーション環境の設計、開発（モデル設計、評価など）のご経験をお持ち…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 600万円～1349万円

会社概要: ソニーセミコンダクタソリューションズグループは、イメージセンサーを中心として、マ…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

DS_A0031　イメージセンサーの新規プロセスウェーハ試作業務

仕事内容: ■部署 / チームのミッションソニーのイメージセンサーやディスプレイデバイス開発を行うウェーハ試作ラインの運営、環境管理…

応募資格

必須: ■必須・半導体開発・製造にかかわる業務を1年以上の経験がある方・半導体領域におけ…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 600万円～1049万円

会社概要: ソニーセミコンダクタソリューションズグループは、イメージセンサーを中心として、マ…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

DS_A2004 プロセスインテグレーション研究開発

仕事内容: 〈DS_A2004 プロセスインテグレーション研究開発（集光モジュール/化合物半導体/有機半導体/酸化物半導体/量子ド…

応募資格

必須: ■必須半導体プロセス開発、プロセスインテグレーションに関する実務経験 ※経験工程や…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 600万円～1349万円

会社概要: ソニーセミコンダクタソリューションズグループは、イメージセンサーを中心として、マ…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

DS_A0109【イメージセンサー研究開発】画素開発エンジニア（厚木、大阪、福岡）

仕事内容: ■部署/チームのミッション裏面照射型、積層型イメージセンサーを世界に先駆けて市場導入し、世界一のポジションを維持し続けて…

応募資格

必須: ■必須１）下記いずれかに該当する方・イメージセンサーやディスプレイの画素開発経験…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 600万円～1349万円

会社概要: ソニーセミコンダクタソリューションズグループは、イメージセンサーを中心として、マ…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

DS_A0110【イメージセンサー研究開発】デバイスエンジニア（厚木）

仕事内容: ■部署/チームのミッション裏面照射型、積層型イメージセンサーを世界に先駆けて市場導入し、世界一のポジションを維持し続けて…

応募資格

必須: ■必須１）以下いずれかに該当する方・半導体デバイスの研究開発経験者・トランジス…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 600万円～1349万円

会社概要: ソニーセミコンダクタソリューションズグループは、イメージセンサーを中心として、マ…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

DS_A0105　【半導体デバイス】シミュレーション技術開発

仕事内容: ■部署/チームのミッション本部門はイメージセンサーの研究開発の中でも、シミュレーション技術やデータサイエンスの知見を用い…

応募資格

必須: ■必須　以下、いずれかの経験 (1)シミュレーションを使用した半導体デバイス開発の…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 600万円～1049万円

会社概要: ソニーセミコンダクタソリューションズグループは、イメージセンサーを中心として、マ…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

【宮城】半導体設計者(デジタル)

アルプスアルパイン株式会社

仕事内容: ＜MC26-10-4-01-02　半導体設計者(デジタル)（宮城県大崎市）＞【募集の背景】ミリ波開発、および、地磁気開発…

応募資格

必須: ■必須要件：・半導体デジタル設計(3年以上) ・基本的なPCスキル・半導体設計ツー…

勤務地: 宮城県

年収 / 給与: 600万円～849万円

会社概要: 【事業・商品の特徴】総合電子部品メーカーの「アルプス電気」と、車載音響・インフォ…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/01

厚木/ソニーセミコンダクタソリューションズ　デジタル回路設計　CMOSイメージセンサ

ソニーセミコンダクタソリューションズ

海外展開あり（日系グローバル企業）上場企業大手企業英語力が必要土日祝休み

仕事内容: ・担当予定の業務内容　商品戦略～顧客窓口を担うビジネス部署と共に決めた企画に基づく商品要件をベースに、機能要件の開発、機…

応募資格

必須: 半導体のデジタル回路の設計(もしくは検証)業務を3年以上経験されている方 ※半導体…

歓迎: ・CMOSイメージセンサー(もしくはデジタル・アナログ混載LSI)の設計経験・R…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 600万円～1299万円

会社概要: 携帯電話、ゲーム＆ネットワーク、カメラ、オーディオ、半導体、部品、映画、音楽、金…

気になる

掲載期間：26/10/19～26/11/09

【東京/栃木/宮城】フォトニクス/化合物半導体デバイス設計エンジニア

仕事内容: 【FY26_30】フォトニクス/化合物半導体デバイス設計エンジニア【業務内容】１．化合物半導体による高速受光器の開発 FD…

応募資格

必須: 【応募要件(スキル・知識・能力・経験・資格等)】下記のいずれかを有し、海外のジャ…

勤務地: 栃木県

年収 / 給与: 650万円～1549万円

会社概要: ～Empower Evolution.つなごう、テクノロジーの進化を。～【会社概…

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掲載期間：26/10/19～26/11/09

DS_A0115 イメージセンサーのプロセス設計シミュレーション技術開発

仕事内容: 業務内容 ■担当予定の業務内容　イメージセンサープロセス開発を支えるプロセスシミュレーション技術の研究開発をご担当いただき…

応募資格

必須: ■必須以下いずれかの経験を有する方（合計3年以上）・シミュレーション技術開発経験…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 650万円～1049万円

会社概要: ソニーセミコンダクタソリューションズグループは、イメージセンサーを中心として、マ…

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掲載期間：26/10/19～26/11/09

【東京/栃木/宮城】光学エンジンのチップアーキテクチャ/PHY設計エンジニア

仕事内容: 【FY26_73】Parallel Optical Interlink向け光学エンジンのチップアーキテクチャ/PHY設計…

応募資格

必須: 【求める技術的専門性】 ■光通信システム設計・リンクバジェットの計算、およびシミュ…

勤務地: 東京都

年収 / 給与: 700万円～1249万円

会社概要: ～Empower Evolution.つなごう、テクノロジーの進化を。～【会社概…

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掲載期間：26/10/19～26/11/01

【横浜】次世代光通信を支えるレーザ開発エンジニア／年収～1000万

上場企業大手企業マネジメント業務なし英語力不問転勤なし土日祝休み

仕事内容: 量子ドットレーザやシリコンフォトニクス向け半導体レーザの設計・開発を担当。次世代通信・加工・バイオ分野を支える最先端技術に携われます。
半導体レーザチップの設計・開発エンジニアとして、次世代情報通信や産業機器、バイオメディカル分野向けレーザ製品の開発をご担…

応募資格

必須: ・半導体レーザの設計経験または・短パルスレーザ製品の設計経験上記いずれかの知識・…

歓迎: ・シリコンフォトニクス技術に関する知見・光電融合（CPO）技術への関心・試作開発…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 700万円～999万円

会社概要: 独自の量子ドットレーザ技術を強みに、シリコンフォトニクス、光電融合（CPO）、レ…

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掲載期間：26/10/19～26/11/09

【東京】半導体アプリケーションエンジニア（開発購買／FA機器領域）

オムロン株式会社

仕事内容: ◆担っていただきたい具体的な仕事内容・重要戦略テーマである低コスト部品の活用および新規・次世代部品導入を技術面から主導し…

応募資格

必須: ◆必須条件【経験】・商品開発経験および半導体FAE経験（以下例）－2テーマ以上の…

勤務地: 京都府

年収 / 給与: 750万円～1299万円

会社概要: 【事業内容】 ■制御機器、ＦＡシステム事業（インダストリアルオートメーションビジネ…

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掲載期間：26/10/19～26/11/09

DS_A0013 【高周波/RF回路設計・評価】CMOSイメージセンサー（厚木/福岡オフィス）

仕事内容: ■部署 / チームのミッション CMOSイメージセンサーを実装するModulePKG基板において、高周波技術を活用した性能…

応募資格

必須: ■必須・GHz帯以上の高周波/RF回路における設計または評価経験（18GHz以上…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 800万円～1349万円

会社概要: ソニーセミコンダクタソリューションズグループは、イメージセンサーを中心として、マ…

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