掲載期間:24/05/29~24/08/11 設計・開発エンジニア(機械・メカトロ)ハイブリッドスーパーキャパシタ主軸とした蓄電デバイスの開発・製造・販売会社で組み込みソフトウェア開発 英語力が必要転勤なし 仕事内容 ハイブリッドスーパーキャパシタを複数枚筐体に収め、コントロールするHSCモジュールの開発設計、HSCモジュール制御基板に… 応募資格 必須■必須条件 ・組み込みソフト開発に携わったご経験 (設計、コーディング、デバッグ、テ… 勤務地 山梨県 年収 / 給与 400万円~799万円 会社概要 ハイブリッドスーパーキャパシタおよび蓄電デバイスに関連する装置の開発・製造・販売 気になる 詳細を見る
掲載期間:24/05/16~24/08/11 経理原価計算経験を活かす、合成皮革製品の製造・販売を事業を行う会社での経理業務(リーダー~課長職候補) 転勤なし 仕事内容 日常経理業務から決算対応まで、経理業務全般をお任せします。(リーダー~課長職候補) 【具体的には】 ・仕訳業務 ・月次、四半… 応募資格 必須【必須経験・資格など】 ・大卒 ・メーカーでの原価計算・管理 ・経理の実務(決算まで)… 勤務地 東京都 年収 / 給与 550万円~699万円 会社概要 ポリウレタン合成皮革の製造及び販売 気になる 詳細を見る
掲載期間:24/03/18~24/08/11 営業(法人向け)【貿易商社でのクリーンエネルギー事業】大手企業との取引がメイン・東南アジアエリアへの海外営業 管理職・マネジャー海外折衝転勤なし土日祝休み 仕事内容 同社の営業第四部にて親会社との協業案件の営業として活躍いただきます。 【企業の特徴」 ・東証プライム上場企業の子会社で、コロナ禍でも安定した業績で推移の健全な経営。 ・残業は平均で月10時間以下… 応募資格 必須・マネジメントのご経験がある方(ご年齢により内容はご相談します) ・法人営業のご経… 歓迎【その他】 ・英語が苦手ではない方 【あれば尚可】 電気工学系の知識をお持ちの方 勤務地 東京都 年収 / 給与 600万円~749万円 会社概要 日本周辺国であるロシア(極東)、中国、東南アジアとの輸出入・三国取引 気になる 詳細を見る
掲載期間:22/11/30~24/08/06 設計・開発エンジニア(半導体)車載用パワーモジュールの設計開発(パワー半導体)/半導体デバイス設計会社 外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み 仕事内容 業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー 【業務内容】 パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただ… 応募資格 必須【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関… 勤務地 京都府 年収 / 給与 600万円~1049万円 会社概要 半導体デバイス設計 気になる 詳細を見る
掲載期間:22/11/30~24/08/06 設計・開発エンジニア(半導体)パワー半導体デバイスの設計開発/半導体デバイス設計会社 外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み 仕事内容 業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー 【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性… 応募資格 必須【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関… 勤務地 京都府 年収 / 給与 600万円~1049万円 会社概要 半導体デバイス設計 気になる 詳細を見る
掲載期間:22/11/30~24/08/06 設計・開発エンジニア(半導体)パワー半導体デバイスの試作エンジニア/半導体デバイス設計会社 外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み 仕事内容 業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー 【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性… 応募資格 必須【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関… 勤務地 京都府 年収 / 給与 600万円~1049万円 会社概要 半導体デバイス設計 気になる 詳細を見る
掲載期間:22/11/30~24/08/06 設計・開発エンジニア(半導体)パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善/半導体デバイス設計会社 外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み 仕事内容 業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー 【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性… 応募資格 必須【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関… 勤務地 京都府 年収 / 給与 600万円~1049万円 会社概要 半導体デバイス設計 気になる 詳細を見る
掲載期間:21/10/15~24/08/06 その他、管理部門系【校舎長・校舎運営責任者】進学塾/京都府北部の地域No.1学習塾 管理職・マネジャー英語力が必要転勤なし土日祝休み 仕事内容 京都府北部エリアの地域No.1進学塾での校舎長の募集です!生徒や保護者への進学指導から教員・職員のマネジメントをお願いします! 【業務内容】 ・4校舎(西舞鶴、東舞鶴、綾部、福知山)のうち1校舎の運営責任者をお任せします。 ・管理職として生徒数150~… 応募資格 必須・指導経験、営業経験、マネジメント経験のいずれかの経験をお持ちの方 ・高校英語/数… 勤務地 京都府 年収 / 給与 400万円~649万円 会社概要 ・京都府北部の小学生・中学生・高校生の学習指導及び教材販売を行っています ・集団授… 気になる 詳細を見る