設計・開発エンジニア（半導体）/300万円の転職・求人情報一覧（10ページ目）

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【千葉】光デバイス開発　◎東証プライム上場／最先端技術領域で成長！／光通信×AIデータセンター市

古河電気工業株式会社

仕事内容: 【★東証プライム上場×光通信トップクラス★AI・データセンターを支える最先端光デバイス開発★400G/800Gなど次世代…

応募資格

必須: ■必須経験下記のいずれか1項目以上の経験・光デバイス設計（RF設計、実装設計）・…

勤務地: 千葉県

年収 / 給与: 400万円～1049万円

会社概要: ■情報通信ソリューション安全・安心の次世代インフラを支える光通信技術。ファイバ・…

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掲載期間：26/07/07～26/07/26

【三重／多気郡】プロセス開発／設計ほか★半導体業界経験者優遇★勤務地確約／充実のフォロー体制

日研トータルソーシング株式会社

仕事内容: これまでの経験を活かして、電子部品メーカー様にて下記の業務をお任せいたします。【業務内容】　お任せしたいプロジェクト例…

応募資格

必須: ※夜間や土日の面接も相談可能です※ ＜必須＞ ※いずれかに該当する方を歓迎いたします…

勤務地: 三重県

年収 / 給与: 400万円～599万円

会社概要: ■「ものづくり」における『上流工程の「人」にかかわるソリューション』を、全国のク…

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掲載期間：26/07/07～26/07/26

【滋賀/野洲市】半導体デバイス/プロセス開発

株式会社村田製作所

仕事内容: ■専攻電気・電子 ■携わる商品スマートフォン市場向けRFスイッチIC、ローノイズアンプ IC、パワーアンプ ICなど ●職務…

応募資格

必須: 求める要件[MUST] ■Spec ・半導体技術（デバイス又はプロセス）の開発、改…

勤務地: 滋賀県

年収 / 給与: 400万円～949万円

会社概要: ■電子デバイスの研究開発・生産・販売　【生産品目】積層セラミックコンデンサ、サー…

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掲載期間：26/07/07～26/07/26

（転勤なし）【広島】エンジン制御部品開発　～東証プライム上場／自動車メーカー／面接WEB1回～

マツダ株式会社

仕事内容: 【RDPT2419】エンジン制御部品開発【職務概要】エンジン制御にかかわる制御部品、または始動/充電系部品の開発（モデル…

応募資格

必須: 【必須要件】・エンジン制御部品の開発経験【歓迎要件】・3D/2D　CADを扱った…

勤務地: 広島県

年収 / 給与: 400万円～799万円

会社概要: 【事業内容】自動車・トラックの製造から販売までを一貫して行っております。【他の自…

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掲載期間：26/07/07～26/07/26

【埼玉：県外への転勤なし】MEMSデバイスの設計　～年休125日／在宅勤務あり／平均勤続年数20

株式会社鷺宮製作所

仕事内容: 【エージェントのおすすめポイント】 ■安定した需要が見込める自動制御機器と、自動車業界を中心に今後の需要拡大が見込まれる試…

応募資格

必須: 【必須条件】 ■電子回路の設計や評価の経験が1年以上あること ■MEMS設計を通して…

勤務地: 埼玉県

年収 / 給与: 400万円～749万円

会社概要: 【事業内容】自動制御機器、装置、システムの開発から製造、販売までを一貫して行って…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【北海道】（生産技術部）半導体プロセスエンジニア

Rapidus株式会社

仕事内容: 【仕事内容】 2nm、Beyond 2nm 先端ロジック製造、3Dパッケージ製造における、量産プロセス技術に関する業務を担…

応募資格

必須: 【必須スキル・経験】下記いずれかの経験がある方・半導体製品生産プロセスについて２…

勤務地: 北海道

年収 / 給与: 400万円～1549万円

会社概要: ■半導体素子、集積回路等の電子部品の研究、開発、設計、製造及び販売 ■環境に配慮し…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【横浜】研究開発（深紫外LED素子）

スタンレー電気株式会社

仕事内容: LS26_02【横浜】研究開発（深紫外LED素子）【募集の背景】世界中の人々に安心・安全な生活を提供するため、除菌紫外線…

応募資格

必須: 【求めるスキル】・光半導体素子開発に関する実務経験（3年以上）【歓迎スキル】・半…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 400万円～949万円

会社概要: 自動車照明製品、カーエレクトロニクス製品、半導体製品、情報・通信機器製品、電子・…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【横浜】近赤外センシングデバイスの設計開発

スタンレー電気株式会社

仕事内容: OD26_01【横浜】近赤外センシングデバイスの設計開発【募集の背景】自動車における運転支援技術の進化に伴い、近赤外光を…

応募資格

必須: 【求めるスキル】・光半導体デバイスやモジュールに関する技術的知識および設計開発経…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 400万円～949万円

会社概要: 自動車照明製品、カーエレクトロニクス製品、半導体製品、情報・通信機器製品、電子・…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【大田区】デバイス機器の回路設計～◆転勤無◆年休125日◆完全週休2日制◆残業月平均15H～

デバイス販売テクノ株式会社

仕事内容: ＜安定企業で、制御系電気回路設計のスキルを活かしませんか？＞当社はシステム機器やデバイス機器の設計・製造・販売を行う企業…

応募資格

必須: 《必須条件》研究開発、回路設計、評価・解析いずれかのご経験をお持ちの方

勤務地: 東京都

年収 / 給与: 400万円～749万円

会社概要: 【事業概要】 ■ 各種自動制御機器並びに電装品・電子応用機械の設計・製造・販売 ■ …

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【長野/コンデンサ技術】スタンダード上場の老舗電子部品メーカー/年休127日

岡谷電機産業株式会社

仕事内容: ■産業機器や家電製品など、あらゆる分野で必須のノイズ対策製品を製造。 ■公共設備などで使われる表示デバイスやLED光源、雷…

応募資格

必須: ＜必須経験・スキル＞ ■電子部品電子機器の設計業務経験【使用ツール】 ■3D　CAD…

勤務地: 長野県

年収 / 給与: 400万円～549万円

会社概要: 【事業内容】電子機器用・通信機器用部品、電気部品、通信機器、電気計測器、電子応用…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【鹿児島国分】製品開発(MLCC）

京セラ株式会社

仕事内容: 【職務内容】 ■お任せする業務内容コンデンサの小型高容量化、高信頼性化、薄層化に伴う製品開発業務です。このため、これまでの…

応募資格

必須: ≪必須経験≫ 下記いずれかを満たす方 ■材料開発の経験があってかつ、誘電体の材料開発…

勤務地: 鹿児島県

年収 / 給与: 450万円～1249万円

会社概要: 【今をつくり、未来をつくる。】 ■あらゆる人やものをつなぐ情報通信市場、ICT化が…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【兵庫】生産データ収集システム開発（自動機器部門）　実務経験者/リーダ候補

大和製衡株式会社

仕事内容: 仕事内容 ■食品業界向け計量機「データウェイ」「オートチェッカ」のデータを収集し見える化するシステムの開発業務をリーダとし…

応募資格

必須: 【いずれも必須】 ■JavaScriptを使用したシステムの開発経験をお持ちの方 ■…

勤務地: 兵庫県

年収 / 給与: 450万円～699万円

会社概要: ■事業内容：計量システム機器の製造、販売、メンテナンス ■取扱製品：・充填／包装用…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【山梨】GaN-HEMTデバイス開発スペシャリスト（UIターン歓迎）

仕事内容: 【ポジション概要】携帯電話基地局向けGaN HEMT（窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ）のデバイス技術エンジニアを募…

応募資格

必須: 【必須条件（MUST)】下記いずれかに該当する10年以上の実務経験をお持ちの方 ■…

勤務地: 山梨県

年収 / 給与: 450万円～849万円

会社概要: 【事業内容】化合物半導体を使用した電子デバイスや光デバイス、並びに応用製品の開発…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【山梨】GaN-HEMTデバイス開発エンジニア（中核候補）

仕事内容: 【ポジション概要】携帯電話基地局向けGaN HEMT（窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ）のデバイス技術エンジニアを募…

応募資格

必須: 【必須条件（MUST)】下記いずれかに該当する方 ■基礎学問の素養をお持ちの方：大…

勤務地: 山梨県

年収 / 給与: 450万円～849万円

会社概要: 【事業内容】化合物半導体を使用した電子デバイスや光デバイス、並びに応用製品の開発…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【横浜】高周波化合物半導体エピ結晶成長技術開発及び量産展開（電子デバイス）

仕事内容: 【仕事内容】【ポジション概要】 5G/6G基地局向けGaN-HEMTデバイスの性能を左右するエピタキシャル結晶成長の技術開…

応募資格

必須: 【必須条件（MUST)】下記いずれかに該当する方 ■化合物半導体（GaN、GaAs…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 450万円～849万円

会社概要: 【事業内容】化合物半導体を使用した電子デバイスや光デバイス、並びに応用製品の開発…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【山梨】半導体ウェハプロセス開発者（電子デバイス）

仕事内容: 【仕事内容】【ポジション概要】 5G/6G基地局向けGaN-HEMTデバイスの製造に用いる半導体ウェハプロセスの開発を担う…

応募資格

必須: 【必須条件（MUST)】下記いずれかに該当する方 ■化合物半導体（GaN、GaAs…

勤務地: 山梨県

年収 / 給与: 450万円～849万円

会社概要: 【事業内容】化合物半導体を使用した電子デバイスや光デバイス、並びに応用製品の開発…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【山梨】半導体レーザの個片化、端面膜加工、素子検査に関する製造技術（光デバイス）

仕事内容: 【仕事内容】【ポジション概要】半導体レーザの後工程を担う製造技術エンジニアを募集します。具体的には、ウェハからチップへの…

応募資格

必須: 【必須条件（MUST)】下記いずれかに該当する方 ■電子部品メーカー、後工程装置メ…

勤務地: 山梨県

年収 / 給与: 450万円～849万円

会社概要: 【事業内容】化合物半導体を使用した電子デバイスや光デバイス、並びに応用製品の開発…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【横浜/山梨】半導体ウェハプロセスに関する製造技術（光デバイス）

仕事内容: 【仕事内容】【ポジション概要】光デバイス製造の前工程である半導体ウェハプロセス（フォトリソ、エッチング、成膜等）を担う製…

応募資格

必須: 【必須条件（MUST)】半導体・液晶・LED前工程プロセスのご経験（デバイスメー…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 450万円～849万円

会社概要: 【事業内容】化合物半導体を使用した電子デバイスや光デバイス、並びに応用製品の開発…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【横浜/山梨】化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術（光デバイス）

仕事内容: 【仕事内容】【ポジション概要】光デバイス製造の最重要工程であるエピタキシャル結晶成長を担う製造技術エンジニアを募集します…

応募資格

必須: 【必須条件（MUST)】下記いずれかに該当する方 ■製造装置開発のご経験：化学・物…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 450万円～849万円

会社概要: 【事業内容】化合物半導体を使用した電子デバイスや光デバイス、並びに応用製品の開発…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【横浜/山梨】化合物半導体プロセス開発エンジニア

仕事内容: 【仕事内容】【ポジション概要】化合物半導体光デバイスのプロセス技術開発、特にMOCVDを用いたエピタキシャル結晶成長を中…

応募資格

必須: 【必須条件（MUST)】下記いずれかに該当する実務または研究経験をお持ちの方 ■光…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 450万円～849万円

会社概要: 【事業内容】化合物半導体を使用した電子デバイスや光デバイス、並びに応用製品の開発…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【横浜/山梨】光半導体デバイス設計エンジニア

仕事内容: 【ポジション概要】光ファイバ通信用光半導体デバイス（EML、CWレーザ、波長可変レーザ、半導体光アンプ等）の構造設計・評…

応募資格

必須: 【必須条件（MUST)】下記いずれかに該当する実務または研究経験をお持ちの方 ■光…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 450万円～849万円

会社概要: 【事業内容】化合物半導体を使用した電子デバイスや光デバイス、並びに応用製品の開発…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【横浜】研究開発（可視光VCSELの評価解析）

スタンレー電気株式会社

仕事内容: LS26_01【横浜】研究開発（可視光VCSELの評価解析）【募集の背景】同社では、可視光VCSELの事業化に向けた研究…

応募資格

必須: 【求めるスキル】・半導体レーザ設計に関するシミュレーション技術、光導波路およびモ…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 450万円～849万円

会社概要: 自動車照明製品、カーエレクトロニクス製品、半導体製品、情報・通信機器製品、電子・…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【東京】半導体パッケージ委託先（OSAT）の管理と技術リード/東京都千代田区（日比谷）

旭化成エレクトロニクス株式会社

仕事内容: 【職務概要】委託先（OSAT）管理を中心に、後工程パッケージ技術の評価・改善、社内外調整・交渉を主導していただきます。【…

応募資格

必須: 【必要な業務経験/スキル】 ■半導体産業を担う国内外メーカー等での後工程パッケージ…

勤務地: 東京都

年収 / 給与: 450万円～1099万円

会社概要: 旭化成グループでは、事業持株会社である旭化成株式会社と6つの事業会社を中核に、「…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【神戸】製品開発エンジニア｜空気計測機器の設計・開発・量産推進

神栄株式会社

仕事内容: 【業務内容】空気中の水分や浮遊粒子を計測・分析する各種機器の設計・開発を担当していただきます。 ■技術開発や製品の仕様策定…

応募資格

必須: 【必須】電気・電子の設計または開発のご経験をお持ちの方【歓迎】ハードウェア設…

勤務地: 兵庫県

年収 / 給与: 500万円～799万円

会社概要: 【事業内容】衣食住の幅広い分野で高い専門性を有する高機能専門商社「モノづくり」精…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【オープンポジション枠】

株式会社KOKUSAI ELECTRIC

仕事内容: 【職務内容】オープンポジション枠のため、応募者の経験等を拝見させていただき、別途ご担当いただきたい業務内容を検討させてい…

応募資格

必須: 【求める経験・スキル】 ■世界トップレベルの技術やモノづくりに携わりたい方 ■グロー…

勤務地: 東京都

年収 / 給与: 500万円～1349万円

会社概要: 【事業内容】半導体製造装置の開発・製造・販売当社は(株)日立国際電気から独立して…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【神奈川】フルスタックエンジニア（デジタルサイネージ開発・上流～運用まで）

アビックス株式会社

仕事内容: 【仕事内容】タジアムやアリーナ、商業施設などに設置されるデジタルサイネージコンテンツ制作に関連する要件定義から設計、納品…

応募資格

必須: ＜必須＞ ■Web、Windows、Androidアプリケーションの開発および導入…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 550万円～849万円

会社概要: デジタルサイネージ関連事業を中心に、LED表示機の開発・販売・レンタル、映像コン…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【WEB面接可】【愛知／尾張旭】ウェハ関連開発技術者（半導体向けの商品開発、量産体制に関する業務

株式会社MARUWA

仕事内容: 【職務内容】半導体向けの商品開発、量産体制に関する業務・開発管理全般（仕様書作成/加工技術）・顧客対応（開発窓口/資料作…

応募資格

必須: 【必須要件】・半導体ウェハやセラミック基板の知見をお持ちの方【歓迎要件】・半導体…

勤務地: 愛知県

年収 / 給与: 550万円～999万円

会社概要: ■4つの事業領域セラミック部門/電子部品・デバイス/石英/照明 ※MARUWAの製…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【厚木】半導体製造装置の製造工程・リスク分析：センシング＆デバイス事業★生産技術

アンリツ株式会社

仕事内容: 【募集背景】センシング＆デバイス事業は、グローバルに展開する通信分野の光デバイスを事業基盤に、光センシング分野の眼科検査…

応募資格

必須: 【必須】・大学卒業以上・半導体の製造装置を利用した各種製造工程に関わる業務・製造…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 550万円～849万円

会社概要: 【事業内容】 ■計測事業：通信事業者、関連機器メーカー、保守工事業者へ納入する、多…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【東京】次世代ロジック半導体の研究開発

仕事内容: ＜次世代ロジック半導体の研究開発(論理・物理設計/ EDA・評価環境構築/SDK・評価AIモデル構築/パッケージ研究)＞…

応募資格

必須: 【求める経験・スキル】 ▼以下いずれかの経験をお持ちの方ー論理・物理設計ー ●SoC…

勤務地: 東京都

年収 / 給与: 550万円～1099万円

会社概要: 「次世代モビリティ×先端技術。0→1に携わる仕事。」【事業内容】 (1) 次世代モ…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【栃木】次世代電動技術実現に向けたパワー半導体デバイスの研究開発

仕事内容: 【業務詳細】 ■次世代パワー半導体デバイスの回路応用に関する研究開発に向けた以下業務をお任せします。 ●小型化・高効率を追求…

応募資格

必須: 【求める経験・スキル】 ※以下いずれか必須・ワイドギャップ半導体デバイスの知見/研…

勤務地: 栃木県

年収 / 給与: 550万円～1099万円

会社概要: 「次世代モビリティ×先端技術。0→1に携わる仕事。」【事業内容】 (1) 次世代モ…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【栃木/埼玉】半導体プロセス技術開発エンジニア（先端技術開発領域）

仕事内容: 【具体的には】・国内外の学会・展示会・論文を通じた先端技術リサーチ・仮説立案・露光／成膜／Etchingなどの工程にお…

応募資格

必須: 【必須経験・スキル】・半導体プロセス（露光／成膜／Etching 等）またはそれ…

勤務地: 栃木県

年収 / 給与: 550万円～1099万円

会社概要: 「次世代モビリティ×先端技術。0→1に携わる仕事。」【事業内容】 (1) 次世代モ…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【WEB面接可】【東京】車載向けSoC研究開発（System on a Chip領域）

仕事内容: 【具体的には】ソフトウェア・デファインド・ビークル(SDV)の実現に向けた、世界トップレベルのAI性能、省電力を有するカ…

応募資格

必須: 【求める経験・スキル】 ※いずれか必須 ●回路設計経験 ●半導体開発経験【上記に加え、…

勤務地: 東京都

年収 / 給与: 550万円～1099万円

会社概要: 「次世代モビリティ×先端技術。0→1に携わる仕事。」【事業内容】 (1) 次世代モ…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【大宮】次世代車載カメラ＆AIシステム企画(エントリー領域)

仕事内容: 【具体的には】スマートフォンや生体情報を利用して、クルマのドアロック操作、解除やエンジン始動を実現するデジタルキー開発／…

応募資格

必須: 【求める経験・スキル】電気・電子・情報分野に関する知識をお持ちの方で、以下のいず…

勤務地: 埼玉県

年収 / 給与: 550万円～1099万円

会社概要: 「次世代モビリティ×先端技術。0→1に携わる仕事。」【事業内容】 (1) 次世代モ…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【東京】四輪電子プラットフォーム研究開発(E&E＝電気電子アーキテクチャ)

仕事内容: 【具体的には】コネクティビティ・自動運転・電動化の技術進化に向けた、統合ECUや各種制御ECU(自動運転/運転支援システ…

応募資格

必須: 【応募資格】電気・電子・情報分野に関する知識をお持ちの方で、以下のいずれかのご経…

勤務地: 東京都

年収 / 給与: 550万円～1099万円

会社概要: 「次世代モビリティ×先端技術。0→1に携わる仕事。」【事業内容】 (1) 次世代モ…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【栃木】BEVを活用したエネルギー循環システムを実現するパワーエレクトロニクス機器の研究開発

仕事内容: 【具体的には】お客様の生活を豊かにするエネルギーV2Xエコシステム実現に向けた充給電機器・HEMS機器の開発をお任せいた…

応募資格

必須: 【求める経験・スキル】 ▼以下、いずれかの知識・業務経験・パワーエレクトロニクス機…

勤務地: 栃木県

年収 / 給与: 550万円～1099万円

会社概要: 「次世代モビリティ×先端技術。0→1に携わる仕事。」【事業内容】 (1) 次世代モ…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

DS_A0105　【半導体デバイス】シミュレーション技術開発

仕事内容: ■部署/チームのミッション本部門はイメージセンサーの研究開発の中でも、シミュレーション技術やデータサイエンスの知見を用い…

応募資格

必須: ■必須　以下、いずれかの経験 (1)シミュレーションを使用した半導体デバイス開発の…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 600万円～1049万円

会社概要: ソニーセミコンダクタソリューションズグループは、イメージセンサーを中心として、マ…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

DS_A2007 【アナログ回路設計/福岡】CMOSイメージセンサー

仕事内容: ■部署 / チームのミッションソニーの半導体ビジネスを支えるCMOSイメージセンサーのアナログ設計業務が中心となります。…

応募資格

必須: ■必須・シリコン半導体の集積回路設計経験・下記(1)～(3)いずれかの経験を5年…

勤務地: 福岡県

年収 / 給与: 600万円～1349万円

会社概要: ソニーセミコンダクタソリューションズグループは、イメージセンサーを中心として、マ…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

DS_A0091 シリコンフォトニクスエンジニア

仕事内容: ■部署/チームのミッション新規技術の探索から実用化まで行い、次世代技術をビジネスにつなげることを組織のミッションとしてい…

応募資格

必須: ■必須 PIC設計経験、光学シミュレータを使った開発経験、PICの評価経験、半導体…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 600万円～1349万円

会社概要: ソニーセミコンダクタソリューションズグループは、イメージセンサーを中心として、マ…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

DS_A0092 イメージセンサーの光学画質技術開発

仕事内容: ■部署/チームのミッション光学設計シミュレーショングループは、最先端の光学シミュレーション技術を用いた高性能設計の実現を…

応募資格

必須: ■必須・Pythonなどプログラミング言語を用いたデータ解析、またはソフトウェア…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 600万円～1349万円

会社概要: ソニーセミコンダクタソリューションズグループは、イメージセンサーを中心として、マ…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【宮城】半導体設計者(デジタル)

アルプスアルパイン株式会社

仕事内容: ＜MC26-10-4-01-02　半導体設計者(デジタル)（宮城県大崎市）＞【募集の背景】ミリ波開発、および、地磁気開発…

応募資格

必須: ■必須要件：・半導体デジタル設計(3年以上) ・基本的なPCスキル・半導体設計ツー…

勤務地: 宮城県

年収 / 給与: 600万円～849万円

会社概要: 【事業内容】・電子部品事業＝各種電子部品の開発，製造，販売・車載情報機器事業＝自…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【宮城県（登米市）】プロセス開発エンジニア（光半導体）　◎東証プライム上場／在宅週1日可◎

デクセリアルズ株式会社

仕事内容: 【FY26_77】DXPS/開発・生産技術センター生産技術１課/DXPS恵庭もしくは登米事業所【業務内容】１．半導体プロ…

応募資格

必須: ■応募資格（Must）・半導体デバイス製造に関わる実務経験・半導体プロセス装置の…

勤務地: 北海道

年収 / 給与: 600万円～999万円

会社概要: ～Empower Evolution.つなごう、テクノロジーの進化を。～【会社概…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【北海道（恵庭市）】プロセス開発エンジニア（光半導体）　◎東証プライム上場／在宅週1日可◎

デクセリアルズ株式会社

仕事内容: 【FY26_77】DXPS/開発・生産技術センター生産技術１課/DXPS恵庭もしくは登米事業所【業務内容】１．半導体プロ…

応募資格

必須: ■応募資格（Must）・半導体デバイス製造に関わる実務経験・半導体プロセス装置の…

勤務地: 北海道

年収 / 給与: 600万円～999万円

会社概要: ～Empower Evolution.つなごう、テクノロジーの進化を。～【会社概…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【北海道（恵庭市）】光半導体デバイス設計・プロセス開発エンジニア　◎東証プライム上場◎

デクセリアルズ株式会社

仕事内容: 【FY26_76】DXPS/開発・生産技術センター開発１課/DXPS恵庭事業所【業務内容】 1.　光半導体デバイスのデバ…

応募資格

必須: ■応募資格（Must）・半導体デバイスに関する基礎知識をお持ちの方・半導体プロセ…

勤務地: 北海道

年収 / 給与: 600万円～999万円

会社概要: ～Empower Evolution.つなごう、テクノロジーの進化を。～【会社概…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【横須賀or愛媛】半導体プロセスエンジニア

住友重機械マテリアルソリューションズ株式会社

仕事内容: ■職務内容：・学会、顧客情報等の分析による半導体製造プロセス技術の動向把握・装置間のデバイス特性合わせ込み方法の開発と、…

応募資格

必須: 【必須】・企業もしくは大学等で、半導体前工程プロセスの研究・解析・特性評価などい…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 700万円～1149万円

会社概要: 【事業内容】 ■イオン注入装置の開発、製造、販売及びサービス日本における半導体製…

気になる

掲載期間：26/07/07～26/07/26

【愛媛】半導体プロセスエンジニア

住友重機械マテリアルソリューションズ株式会社

仕事内容: ■職務内容：・学会、顧客情報等の分析による半導体製造プロセス技術の動向把握・装置間のデバイス特性合わせ込み方法の開発と、…

応募資格

必須: 【必須】・企業もしくは大学等で、半導体前工程プロセスの研究・解析・特性評価などい…

勤務地: 愛媛県

年収 / 給与: 700万円～1149万円

会社概要: 【事業内容】 ■イオン注入装置の開発、製造、販売及びサービス日本における半導体製…

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掲載期間：26/07/07～26/08/31

上場企業大手企業

仕事内容: 【具体的には】世界トップレベルのAI性能、省電力を有するカスタムSoCの企画・開発を行います。 ●将来技術（半導体/AI/…

応募資格

必須: 以下のいずれかのご経験があること ●SoCに関する知識・開発経験（車載/民生　問わ…

勤務地: 埼玉県 / 東京都 / 愛知県 / 大阪府 / 福岡県

年収 / 給与: 800万円～2499万円

会社概要: 自動車メーカー

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掲載期間：26/07/07～26/07/26

DS_A0013 【電磁界解析・高周波設計】CMOSイメージセンサー(ModulePKG基板設計

仕事内容: ＜DS_A0013 【電磁界解析・高周波設計】CMOSイメージセンサー(ModulePKG基板設計) （厚木/福岡オフィ…

応募資格

必須: ■必須・高周波数帯の評価経験（18GHz以上目安）・ネットワークアナライザ/オシ…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 800万円～1349万円

会社概要: ソニーセミコンダクタソリューションズグループは、イメージセンサーを中心として、マ…

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掲載期間：26/07/07～26/07/26

DS_A0100 【EDAエンジニア/厚木】CMOSイメージセンサー

仕事内容: ■部署/チームのミッション私たちのチームでは、デジタル回路設計におけるRTLおよび上位の設計検証のEDAツールの使いこな…

応募資格

必須: ■必須・SVAもしくはUVMを用いた検証環境を開発した経験 1年以上・CDC検証…

勤務地: 神奈川県

年収 / 給与: 800万円～1049万円

会社概要: ソニーセミコンダクタソリューションズグループは、イメージセンサーを中心として、マ…

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掲載期間：26/07/07～26/07/26

DS_A0104 【HW-aware AI技術開発】SWエンジニア

仕事内容: ■部署/チームのミッション・イメージセンサーに代表される各種センサー向けプラットフォーム開発・イメージセンサーに代表され…

応募資格

必須: ■必須・AIフレームワーク(PyTorchなど)での開発経験・AIモデル軽量化技…

勤務地: 東京都

年収 / 給与: 800万円～1349万円

会社概要: ソニーセミコンダクタソリューションズグループは、イメージセンサーを中心として、マ…

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