650万円以上/外資系企業の転職・求人情報一覧(169)

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84018407件を表示中
掲載期間:24/09/02~25/05/03
仕事内容
【業務内容】 保険業界をターゲットにしたテスティングサービスプロジェクトのチームをリードするメンバーを募集しております。 主…
応募資格
必須
・システム開発経験5年以上あり  ・生保もしくは損保のシステム開発、保守の経験あり…
歓迎
・テスト関連の資格を持っている ・SeleniumやUFTを用いた自動テストのスク…
勤務地
東京都
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
弊社は全世界で4万人以上社員が在籍しているアジア発、グローバルITファームの日本…
掲載期間:24/05/13~24/12/23
研究・開発(医薬品)

Scientific Affairs, Clinical Research

MSD株式会社
外資系企業大手企業英語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
科学的・医学的な専門知識・経験に基づき、担当の治療領域において国内主要治験サイト及び研究機関の医師・研究者・その他医療関…
応募資格
必須
・理系大学院卒以上 ・アカデミア・研究のバックグラウンド ・自ら考えて自分のタスクを…
歓迎
・製薬企業での研究経験 ・MSLとしての研究サポート経験 ・免疫系領域や感染症領域で…
勤務地
東京都
年収 / 給与
450万円~1099万円
会社概要
グローバル・ヘルスケア企業Merck & Co., Inc., Rahway, …
掲載期間:24/05/02~24/12/23
研究・開発(医薬品)

【Medical Affairs】Oncology Medical Advisor (Non-MD)

MSD株式会社
外資系企業大手企業英語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
The Medical Advisor holds primary responsibility within the …
応募資格
必須
■必要な知識・スキルおよびコンピテンシー 1. エグゼクティブディレクターの指導/…
勤務地
東京都
年収 / 給与
650万円~1599万円
会社概要
グローバル・ヘルスケア企業Merck & Co., Inc., Rahway, …
掲載期間:22/11/30~24/12/29
設計・開発エンジニア(半導体)

車載用パワーモジュールの設計開発(パワー半導体)/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただ…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/12/29
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの設計開発/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/12/29
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの試作エンジニア/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/12/29
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
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年収650万円以上 絶対外資系企業
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Q.
掲載されている転職情報の企業名が非公開となっている場合が多いように思います。社名はどの段階で公開されるのでしょうか?
A.
人材紹介会社が保有している転職情報の中には、一般公募をしていない転職情報や企業から非公開で依頼を受ける転職情報もあるため、社名を非公開にして掲載する転職情報が多数あります。

ご興味のある転職情報がございましたら、まずはエントリーをいただき、その後、担当のコンサルタントと面談を行い、会社名や転職情報の詳細をご確認いただいて、実際に求人企業に応募するかを判断していただければと思います。