設計・開発エンジニア（半導体）/ベンチャー企業の転職・求人情報一覧

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掲載期間：26/01/29～26/02/11
設計・開発エンジニア（半導体）

半導体（LSI）アナログ設計エンジニア

株式会社シーディア
海外展開あり（日系グローバル企業）ベンチャー企業土日祝休み
仕事内容
アナログ半導体設計 設計～評価まで一貫して携わる設計職です。
半導体製品(アナログ)の設計・開発・評価をお任せします。 フロントエンド、ミドルレンジ、バックエンド設計やテスト・評価まで…
応募資格
必須
■理工系、電気・電子系、情報系、機械工学系の学校で学んだ方（高卒以上） 　※工業高…
歓迎
■アナログ設計もしくは評価の経験 ■Virtuoso、Calibre、Spice、…
勤務地
滋賀県 / 京都府 / 大阪府 / 兵庫県 / 奈良県 / 和歌山県
年収 / 給与
400万円～799万円
会社概要
LSIデザイン、組込みソフトウェアデザイン、システムインテグレーション、インフラ…
気になる
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掲載期間：26/02/10～26/02/23
再掲載設計・開発エンジニア（半導体）

デジタル回路設計検証マネージャ

ディー・クルー・テクノロジーズ株式会社
ベンチャー企業土日祝休み
仕事内容
お客様の開発要望を元に、高性能、高機能なシステムソリューションを創造し、お客様に提供する
お客様の開発要望を元に、高性能、高機能なシステムソリューションを創造し、お客様に提供する
応募資格
必須
Pythonによるアルゴリズムの開発経験があること デジタル回路設計検証の業務経験…
歓迎
SystemC、VHDL、デジタルアナログ混載、システムLSI、ミックストシグナ…
勤務地
神奈川県 / 福岡県
年収 / 給与
600万円～849万円
会社概要
日清紡グループ傘下 所在地　 横浜本社　神奈川県横浜市港北区新横浜2-7-17 KA…
気になる
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掲載期間：26/02/07～26/04/03
再掲載設計・開発エンジニア（半導体）

●次世代半導体製造装置の追加機能開発（異常検知システム・トラブル解析ツール）
海外展開あり（日系グローバル企業）大手企業ベンチャー企業転勤なし土日祝休み
仕事内容
電子ビーム描画装置の保守業務を効率化するためのシステム/ツールの開発を行っていただきます。
下記開発案件の中から、経験やキャリアに応じてお任せする業務を検討します。 ■異常検知システムの開発 重要度の高いトラブルを予…
応募資格
必須
●CまたはC++開発経験をお持ちの方 ●コーディングができる方
歓迎
●Linuxのご経験(学生時代やプライベートで触ったことがある程度でも歓迎) ●P…
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
550万円～1049万円
会社概要
●世界トップシェアを獲得している電子ビームマスク描画装置（EBM）をはじめ、マス…
気になる
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掲載期間：26/02/05～26/02/18
再掲載設計・開発エンジニア（半導体）

アナログ回路設計エンジニア

ディー・クルー・テクノロジーズ株式会社
ベンチャー企業土日祝休み
仕事内容
お客様の開発要望を元に、高性能、高機能なアナログソリューションを創造し、お客様に提供する
お客様の開発要望を元に、高性能、高機能なアナログソリューションを創造し、お客様に提供する
応募資格
必須
アナログ回路設計、検証業務のいずれかの経験が5年以上あること 　アナデジ混載（ミッ…
歓迎
英語力 　日常会話可能（TOEIC 600点）
勤務地
神奈川県 / 福岡県
年収 / 給与
600万円～849万円
会社概要
日清紡グループ傘下 所在地　 横浜本社　神奈川県横浜市港北区新横浜2-7-17 KA…
気になる
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掲載期間：26/02/03～26/03/30
設計・開発エンジニア（半導体）

【半導体後工程のプロセス技術者】資金調達67億円／大熊ダイヤモンドデバイス

大熊ダイヤモンドデバイス株式会社
株式公開準備ベンチャー企業新規事業土日祝休み
仕事内容
半導体の絶縁膜形成プロセス技術開発に関わっていただきます。
■業務概要：半導体の絶縁膜形成プロセス技術開発に関わっていただきます。 ■業務詳細： ・絶縁膜（例えばシリコン酸化膜など）を…
応募資格
必須
・組立工程の各種ユニットプロセス技術の開発や各種材料開発経験者
勤務地
茨城県
年収 / 給与
500万円～999万円
会社概要
■会社概要：大熊ダイヤモンドデバイス株式会社は、北海道大学および産業技術総合研究…
気になる
詳細を見る
掲載期間：26/02/03～26/03/30
設計・開発エンジニア（半導体）

【半導体の絶縁膜形成プロセス技術者】資金調達67億円／大熊ダイヤモンドデバイス

大熊ダイヤモンドデバイス株式会社
株式公開準備ベンチャー企業新規事業土日祝休み
仕事内容
半導体の絶縁膜形成プロセス技術開発に関わっていただきます。
■業務概要：半導体の絶縁膜形成プロセス技術開発に関わっていただきます。 ■業務詳細： ・絶縁膜（例えばシリコン酸化膜など）を…
応募資格
必須
・絶縁膜形成プロセス、要素開発業務の経験者 ・ALD、CVD装置の設備開発、改善経…
勤務地
茨城県
年収 / 給与
500万円～999万円
会社概要
■会社概要：大熊ダイヤモンドデバイス株式会社は、北海道大学および産業技術総合研究…
気になる
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掲載期間：26/02/03～26/02/16
設計・開発エンジニア（半導体）

半導体設計技術【仙台】東北大学発／IPO準備中／～1100万（年収700万円～1100万円）

パワースピン株式会社
ベンチャー企業転勤なし土日祝休み
仕事内容
【★IPO準備中_東北大学発ベンチャー企業：世界トップレベルの研究成果を軸に、”世界の半導体の常識を変える”　基盤技術企業】 ★MRAM/NAND Flash開発の第一人者が率いる、将来有望…
【パソナキャリア経由での入社実績あり】　世界の半導体業界におけるゲームチェンチャーとなることを志し、MRAM/NAND …
応募資格
必須
■メモリ設計全般いずれかのご経験
歓迎
■DRAMの設計経験をお持ちの方 【求める人物像】 ・半導体業界の常識を変える企業で…
勤務地
宮城県
年収 / 給与
700万円～1149万円
会社概要
【事業内容】 ■MRAMからアプリケーションプロセッサやAIプロセッサ（xPU）等…
気になる
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掲載期間：26/02/03～26/02/16
設計・開発エンジニア（半導体）

物理設計【仙台】MRAM開発第一人者率いる半導体ベンチャー（年収700万円～1100万円）

パワースピン株式会社
ベンチャー企業転勤なし土日祝休み
仕事内容
【★IPO準備中_東北大学発ベンチャー企業：世界トップレベルの研究成果を軸に、”世界の半導体の常識を変える”　基盤技術企業】 ★MRAM/NAND Flash開発の第一人者が率いる、将来有望な…
【パソナキャリア経由での入社実績あり】　世界の半導体業界におけるゲームチェンチャーとなることを志し、MRAM/NAND …
応募資格
必須
■半導体回路設計における物理設計工程のご経験（インプリ設計、タイミング検証、DF…
歓迎
・ARM IPを用いたマイクロプロセッサ/マイコンの設計に従事した経験のある方 ・…
勤務地
宮城県
年収 / 給与
700万円～1149万円
会社概要
【事業内容】 ■MRAMからアプリケーションプロセッサやAIプロセッサ（xPU）等…
気になる
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掲載期間：26/02/03～26/02/16
設計・開発エンジニア（半導体）

論理設計【横浜or仙台】東北大学発／半導体ディープテック（年収750万円～1100万円）

パワースピン株式会社
ベンチャー企業転勤なし土日祝休み
仕事内容
【★IPO準備中_東北大学発ベンチャー企業：世界トップレベルの研究成果を軸に、”世界の半導体の常識を変える”　基盤技術企業】 ★MRAM/NAND Flash開発の第一人者が率いる、将来有望な…
【パソナキャリア経由での入社実績あり】世界の半導体業界におけるゲームチェンチャーとなることを志し、MRAM/NAND F…
応募資格
必須
■半導体回路設計における論理設計工程のご経験（高位合成ができると尚可）
歓迎
・ARM IPを用いたマイクロプロセッサ/マイコンの設計に従事した経験のある方 ・…
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
750万円～1149万円
会社概要
【事業内容】 ■MRAMからアプリケーションプロセッサやAIプロセッサ（xPU）等…
気になる
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掲載期間：26/01/08～26/03/04
設計・開発エンジニア（半導体）

車載用パワーモジュールの設計開発（パワー半導体）/外資系企業の日本設計会社の募集
外資系企業ベンチャー企業海外出張英語力が必要土日祝休み
仕事内容
パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただきます。 エネ…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円～999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
気になる
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掲載期間：26/01/08～26/03/04
設計・開発エンジニア（半導体）

パワーデバイスの設計開発/外資系企業の日本設計会社の募集
外資系企業ベンチャー企業海外出張英語力が必要土日祝休み
仕事内容
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイ…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円～999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
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