メーカー/ベンチャー企業の転職・求人情報一覧(46)

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22512258件を表示中
掲載期間:24/04/18~24/12/20
データベースエンジニア

AIエンジニア

NExT-e Solutions株式会社
株式公開準備ベンチャー企業英語力不問転勤なし土日祝休み
仕事内容
蓄電池の制御システム(BMS:Battery Management System)および周辺デバイスの開発に取組む同社におけるAIエンジニア
リチウムイオン電池の劣化予測に関する研究開発やデータ分析業務 ・データ分析手法の提案 ・システム開発 ・データ分析 ・データ分析…
応募資格
必須
・データ分析の経験 ・ビッグデータ解析の経験 ・Pythonを使った開発経験
歓迎
・データベースの利用経験 ・AWSの利用経験 ・Microsoft Azureの利用…
勤務地
東京都
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
当社は、東京大学エッジキャピタル(UTEC)から出資を受け、2008年5月に大型…
掲載期間:24/04/18~25/01/03
商品企画・開発

商品企画/営業

NExT-e Solutions 株式会社
株式公開準備ベンチャー企業英語力不問転勤なし土日祝休み
仕事内容
定置用蓄電池、産業用車両用蓄電池市場のマーケティング、商品企画、顧客開拓、営業活動
・対象市場において求められる仕様、性能、価格等の調査 ・上記調査に基づく売れ筋商品の企画 ・系統連系から需要家(PPA)およ…
応募資格
必須
・産業界におけるマーケティング/商品企画/営業 ・リチウムイオン電池およびリチウム…
歓迎
・リチウムイオン電池およびパック、コンテナなどの基礎知識 ・英語(ビジネスレベル)…
勤務地
東京都
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
当社は、東京大学エッジキャピタル(UTEC)から出資を受け、2008年5月に大型…
掲載期間:24/04/18~24/12/19
生産技術・製造技術・エンジニアリング(機械・自動車)

機構設計

NExT-e Solutions 株式会社
株式公開準備ベンチャー企業英語力不問転勤なし土日祝休み
仕事内容
蓄電池の制御システム(BMS:Battery Management System)および周辺デバイスの開発に取組む同社における産業車両のリチウムイオン電池パックの設計開発
3DCADよるモデリングを行い、強度/振動/衝撃冷却等をFEMやCFD等の手法を用いた構造設計 ・CAEによる強度、振動、…
応募資格
必須
・メカ設計経験(3年以上) ・3D-CAD(Solidworks)経験 ・図面検図経…
歓迎
・バッテリーパック関係の部品設計 ・流体設計経験 ・強度解析経験 ・流体解析経験 ・PM…
勤務地
東京都
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
当社は、東京大学エッジキャピタル(UTEC)から出資を受け、2008年5月に大型…
掲載期間:24/04/08~24/09/26
仕事内容
取引先のOEM案件の営業担当としてお仕事をしていただきます。 【実績グッズ】バッグ・ポーチ・スマホケース・アクリルスタンド・キーホルダー・帽子・マグカップ・ラグ・クッションカバー等
<業務の流れ> ・他社商品のリサーチや、流行の調査 ・商品の企画、提案を行う ・取引先からの受注 ・製造工場との連携、折衝 ・サン…
応募資格
必須
・1年以上の法人営業経験(業界/商材問わず)
歓迎
・OEM経験、商品企画の業務をされていた方 ・アパレル・縫製商品の知識のある方 ・自…
勤務地
東京都
年収 / 給与
400万円~549万円
会社概要
■OEM事業(BtoB) ■自社ブランド【ACCOMMODE】の企画・店舗運営(B…
掲載期間:22/11/30~24/07/29
設計・開発エンジニア(半導体)

車載用パワーモジュールの設計開発(パワー半導体)/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただ…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/07/29
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの設計開発/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/07/29
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの試作エンジニア/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/07/29
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
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Q.
掲載されている転職情報の企業名が非公開となっている場合が多いように思います。社名はどの段階で公開されるのでしょうか?
A.
人材紹介会社が保有している転職情報の中には、一般公募をしていない転職情報や企業から非公開で依頼を受ける転職情報もあるため、社名を非公開にして掲載する転職情報が多数あります。

ご興味のある転職情報がございましたら、まずはエントリーをいただき、その後、担当のコンサルタントと面談を行い、会社名や転職情報の詳細をご確認いただいて、実際に求人企業に応募するかを判断していただければと思います。