掲載期間:24/05/20~24/07/14
- 仕事内容
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・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー ・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長 ・30歳700万円/35歳800万円/管理職1000万円~【業務について】 IGBTデバイス開発・設計、プロセス開発業務・テストライン構築に従事していただきます。 部門間の関係性とし…
- 応募資格
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- 必須
- 【必須】 ・MOSFETの構造・動作特性の基本的な理解 ・半導体プロセスの基本的な理…
- 勤務地
- 滋賀県 / 京都府 / 宮崎県
- 年収 / 給与
- 500万円~1049万円
- 会社概要
- 小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし…