掲載期間:26/07/07~26/07/26
- 仕事内容
- 【ポジション概要】 携帯電話基地局向けGaN HEMT(窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ)のデバイス技術エンジニアを募…
- 応募資格
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- 必須
- 【必須条件(MUST)】 下記いずれかに該当する10年以上の実務経験をお持ちの方 ■…
- 勤務地
- 山梨県
- 年収 / 給与
- 450万円~849万円
- 会社概要
- 【事業内容】 化合物半導体を使用した電子デバイスや光デバイス、並びに応用製品の開発…
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