設計・開発エンジニア(半導体)/600万円の転職・求人情報一覧(16)

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751758件を表示中
掲載期間:24/10/04~24/11/28
仕事内容
(仕事概要) ● NAND型フラッシュメモリのレイアウト設計業務 - アナログ回路およびデジタル回路のマニュアルによるレイア…
応募資格
必須
【必須(MUST)】 ・マニュアルによるLSIレイアウト設計またはTEGレイアウト…
歓迎
【歓迎(WANT)】 ・回路設計の知識 ・半導体プロセス、デバイスの知識 ・Scrip…
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
700万円~1349万円
会社概要
欧米 外資系半導体設計開発メーカー
掲載期間:24/10/04~24/11/28
仕事内容
(仕事概要) ※下記業務いずれか又は複数をご専門に応じご担当頂く予定です。 ● NAND型フラッシュメモリLSIの回路設計…
応募資格
必須
・アナログ、デジタルを問わずLSI設計の経験 ・電気電子工学あるいはコンピュータサ…
歓迎
・不揮発性メモリ分野での経験 ・CMOS回路設計、高速インターフェース設計、RTL…
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
700万円~1349万円
会社概要
欧米 外資系半導体設計開発メーカー
掲載期間:24/10/04~24/11/28
仕事内容
パソコンやサーバ、民生機器、通信機器、産業機器や車載製品に搭載される、世界最先端のメモリ半導体の設計に特化した企業で、海…
応募資格
必須
(下記いずれかのご経験のある方) ・メモリ半導体(DRAMやNAND等)の回路設計…
勤務地
兵庫県
年収 / 給与
700万円~1149万円
会社概要
メモリ半導体デザインカンパニー(海外企業)
掲載期間:24/09/30~24/11/24
設計・開発エンジニア(半導体)

半導体テスト・評価エンジニア、マネジャー

海外展開あり(日系グローバル企業)上場企業大手企業管理職・マネジャー海外出張土日祝休み
仕事内容
・SoC製品のテスト仕様策定、テスト立上げの推進、およびこれらを適切なコスト・TATで実現するための  技術開発、およびこれに付随する業務の推進
●メイン業務 ・SoC製品のテスト仕様策定、テスト戦略の検討 ・テスト仕様に基づくテストプログラム開発 ・LSIテスターを用い…
応募資格
必須
●必須の要件 ・SoC製品のテスト開発業務経験者  (テスト仕様策定 テスト環境構築…
勤務地
神奈川県 / 愛知県 / 京都府
年収 / 給与
750万円~1649万円
会社概要
半導体製品(SoC、システムLSI)及び関連製品の開発・設計・製造委託・販売 当社…
掲載期間:22/11/30~24/11/28
設計・開発エンジニア(半導体)

車載用パワーモジュールの設計開発(パワー半導体)/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただ…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/11/28
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの設計開発/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/11/28
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの試作エンジニア/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/11/28
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
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Q.
掲載されている転職情報の企業名が非公開となっている場合が多いように思います。社名はどの段階で公開されるのでしょうか?
A.
人材紹介会社が保有している転職情報の中には、一般公募をしていない転職情報や企業から非公開で依頼を受ける転職情報もあるため、社名を非公開にして掲載する転職情報が多数あります。

ご興味のある転職情報がございましたら、まずはエントリーをいただき、その後、担当のコンサルタントと面談を行い、会社名や転職情報の詳細をご確認いただいて、実際に求人企業に応募するかを判断していただければと思います。