設計・開発エンジニア(半導体)/550万円の転職・求人情報一覧(16)

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751773件を表示中
掲載期間:24/11/04~24/12/29
仕事内容
・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー ・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長 ・30歳700万円/35歳800万円/管理職1000万円~
【業務について】 ロームの半導体デバイスの研究開発に関する各テーマのフロントローディング化に関する研究を行っていただきます…
応募資格
必須
【必須】下記(1)(2)いずれかのスキルをお持ちの方 (1)データサイエンスに関す…
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~849万円
会社概要
小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし…
掲載期間:24/11/03~24/12/28
設計・開発エンジニア(半導体)

PCBの回路設計及びアートワークエンジニア

海外展開あり(日系グローバル企業)上場企業大手企業海外出張海外折衝土日祝休み
仕事内容
ソリューションSoCビジネスにおいて、PCB含めたシステムレベルでの検討、提案が必須である。 また、評価ボードの開発、提供要望が顧客から増えてきている状況。
●メイン業務 ・評価ボードの仕様検討、回路設計、アートワーク設計 ・パッケージ/PCB協調設計におけるアートワーク設計及びシ…
応募資格
必須
●必須の要件 ・プリント基板設計フローの理解と経験 ・PCBのアートワーク設計経験 ・…
歓迎
英語力 TOEIC 500点以上
勤務地
神奈川県 / 愛知県 / 京都府
年収 / 給与
800万円~999万円
会社概要
半導体製品(SoC、システムLSI)及び関連製品の開発・設計・製造委託・販売 当社…
掲載期間:24/11/01~24/12/26
仕事内容
半導体製造装置等、自社製品の機械・構想設計を担当していただきます。
■ご経験に応じて半導体製造装置や液晶関連製造装置の機械設計をお任せ します。最終的には装置全体の設計と電気担当、組立担当…
応募資格
必須
【必須】何らか設計経験があり、スキルを身に付けたいという志向  ★笠岡/転勤原則な…
歓迎
機械設計の経験
勤務地
岡山県
年収 / 給与
400万円~599万円
会社概要
■半導体及び液晶製造関連装置の製造・販売 ■電子通信機器の故障解析・修理、表示モジ…
掲載期間:24/10/24~24/12/02
仕事内容
LSI設計オープンポジション/これまでのご経験や得意分野を活かせる業務をご担当。 ロジック設計/ミドルデザイン設計/DFT設計/インプリ・バックエンド設計 経験者の方も教育期間(疑似PJT研修)があり。
【対象製品群】  CMOSイメージセンサ  【業務カテゴリ】※1~4について、これまでのご経験や得意分野を活かせる業務をご…
応募資格
必須
以下、いずれかのご経験をお持ちの方 1.ロジック設計:LSIロジック設計実務経験 2…
歓迎
EDAツールのご経験 ・Mentor社 Tessent (TestKompress…
勤務地
東京都 / 神奈川県 / 大阪府 / 福岡県
年収 / 給与
500万円~699万円
会社概要
■事業内容 ▼設計開発事業 モビリティ業界(CASE)を中心に、AI、クラウド、スマ…
掲載期間:24/10/23~24/12/17
仕事内容
■仕事概要 3D NANDメモリ半導体の製品・技術開発を担当頂きます。 主に四日市の開発ラインで作られたウェハのメモリセル、…
応募資格
必須
・半導体デバイス開発や不良解析、テスト工程開発等のご経験のある方 ・基礎的な英語力…
歓迎
・メモリ半導体プロセスやデバイス(フラッシュ、EEPROM、DRAM、SRAM)…
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
500万円~1249万円
会社概要
欧米 外資系半導体設計開発メーカー
掲載期間:24/10/21~24/12/15
設計・開発エンジニア(半導体)

パワーデバイスの設計開発エンジニア

上場企業海外出張英語力不問転勤なし土日祝休み
仕事内容
中国系半導体メーカー日本法人 パワーモジュールの開発設計
応募資格
必須
自動車、電機関係のインバーター、パワーモジュール、業務に関係したことがある方
歓迎
向上心ある方の
勤務地
東京都
年収 / 給与
600万円~1349万円
会社概要
パワーデバイス等半導体部品メーカー
掲載期間:24/10/21~24/12/15
設計・開発エンジニア(半導体)

半導体ソリューション部門長

上場企業大手企業管理職・マネジャー海外出張海外折衝英語力が必要土日祝休み
仕事内容
車載用半導体品質・調達・戦略 総合的管理責任者
応募資格
必須
上記経験者 車載用ECUの知識要
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
1900万円~1949万円
会社概要
国内系大手機械電気部品メーカー
掲載期間:24/10/16~24/12/10
設計・開発エンジニア(半導体)

半導体装置メーカーでの物理設計◆土日祝休/フルフレックス

海外展開あり(日系グローバル企業)大手企業英語力不問土日祝休み
仕事内容
イオン注入装置におけるイオン源の素となる化学物質の性質およびプラズマ反応に関する企画・開発を対応いただきます
<職務詳細> ・荷電粒子の加減速プロセス最適化 ・ビーム輸送および測定方法の効率改善 ・イオンソースの改善 ・真空中の放電低減 ・…
応募資格
必須
大学院にて以下いずれかの研究(専攻)をされていた方 (プラズマ反応、プラズマ工学、…
歓迎
・加速器の知見をお持ちの方 ・放射線に関する知見をお持ちの方(放射線主任者一種取得…
勤務地
愛媛県
年収 / 給与
600万円~999万円
会社概要
半導体製造のイオン注入装置において、同社は国内トップシェア(約85%)を誇るメー…
掲載期間:24/10/15~24/12/09
仕事内容
パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただきます。 エネ…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
掲載期間:24/10/15~24/12/09
仕事内容
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
掲載期間:24/10/15~24/12/09
仕事内容
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイ…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
掲載期間:24/10/10~24/12/04
仕事内容
【主な職務内容】 ■現在、新製品開発を進めており、まだ世の中にはないポン          プを駆動するための新しいモーター…
応募資格
必須
【必須条件】 ■モーターの開発経験 【この仕事の魅力】 ゼロからイチを⽣み出すような製…
歓迎
【歓迎条件】 ■ブラシレスモーターの開発経験 ■電磁気学の知識をお持ちの⽅ ■何かしら…
勤務地
埼玉県
年収 / 給与
550万円~849万円
会社概要
ケミカルポンプをはじめとする各種流体制御製品の開発・製造・販売 ポンプを通じてあら…
掲載期間:24/10/10~24/12/04
仕事内容
(求人概要) ・インテグレーションエンジニアは、メモリデバイスを構成する  プロセスモジュールの内、特定のモジュールの担当と…
応募資格
必須
・半導体や他の電子デバイス、電子機器、化学材料等の業界での開発や生産技術職等のご…
勤務地
三重県
年収 / 給与
500万円~1249万円
会社概要
欧米 外資系半導体設計開発メーカー
掲載期間:24/10/10~24/12/04
仕事内容
(求人概要) ・プロダクトエンジニアは、当社の半導体メモリ製品担当として、その  製品の製造プロセスフローを管理し、製品の立…
応募資格
必須
・半導体や他の電子デバイス、電子機器等の開発や製造のご経験のある方。
勤務地
三重県
年収 / 給与
500万円~1249万円
会社概要
欧米 外資系半導体設計開発メーカー
掲載期間:24/10/10~24/12/04
仕事内容
(職務概要) ・最先端メモリデバイス開発における微細加工や成膜工程のプロセス、  装置改善業務、要素開発業務を担当頂きます。…
応募資格
必須
・半導体や他の電子デバイス、電子機器、化学材料等の分野にての開発や製造のご経験の…
勤務地
三重県
年収 / 給与
500万円~1249万円
会社概要
欧米 外資系半導体設計開発メーカー
掲載期間:24/10/04~24/11/28
仕事内容
(仕事概要) ● NAND型フラッシュメモリのレイアウト設計業務 - アナログ回路およびデジタル回路のマニュアルによるレイア…
応募資格
必須
【必須(MUST)】 ・マニュアルによるLSIレイアウト設計またはTEGレイアウト…
歓迎
【歓迎(WANT)】 ・回路設計の知識 ・半導体プロセス、デバイスの知識 ・Scrip…
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
700万円~1349万円
会社概要
欧米 外資系半導体設計開発メーカー
掲載期間:24/10/04~24/11/28
仕事内容
(仕事概要) ※下記業務いずれか又は複数をご専門に応じご担当頂く予定です。 ● NAND型フラッシュメモリLSIの回路設計…
応募資格
必須
・アナログ、デジタルを問わずLSI設計の経験 ・電気電子工学あるいはコンピュータサ…
歓迎
・不揮発性メモリ分野での経験 ・CMOS回路設計、高速インターフェース設計、RTL…
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
700万円~1349万円
会社概要
欧米 外資系半導体設計開発メーカー
掲載期間:24/10/04~24/11/28
仕事内容
パソコンやサーバ、民生機器、通信機器、産業機器や車載製品に搭載される、世界最先端のメモリ半導体の設計に特化した企業で、海…
応募資格
必須
(下記いずれかのご経験のある方) ・メモリ半導体(DRAMやNAND等)の回路設計…
勤務地
兵庫県
年収 / 給与
700万円~1149万円
会社概要
メモリ半導体デザインカンパニー(海外企業)
掲載期間:24/09/30~24/11/24
設計・開発エンジニア(半導体)

半導体テスト・評価エンジニア、マネジャー

海外展開あり(日系グローバル企業)上場企業大手企業管理職・マネジャー海外出張土日祝休み
仕事内容
・SoC製品のテスト仕様策定、テスト立上げの推進、およびこれらを適切なコスト・TATで実現するための  技術開発、およびこれに付随する業務の推進
●メイン業務 ・SoC製品のテスト仕様策定、テスト戦略の検討 ・テスト仕様に基づくテストプログラム開発 ・LSIテスターを用い…
応募資格
必須
●必須の要件 ・SoC製品のテスト開発業務経験者  (テスト仕様策定 テスト環境構築…
勤務地
神奈川県 / 愛知県 / 京都府
年収 / 給与
750万円~1649万円
会社概要
半導体製品(SoC、システムLSI)及び関連製品の開発・設計・製造委託・販売 当社…
掲載期間:22/11/30~24/11/28
設計・開発エンジニア(半導体)

車載用パワーモジュールの設計開発(パワー半導体)/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただ…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/11/28
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの設計開発/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/11/28
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの試作エンジニア/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/11/28
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
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職種設計・開発エンジニア(半導体) 年収550万円以上
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Q.
掲載されている転職情報の企業名が非公開となっている場合が多いように思います。社名はどの段階で公開されるのでしょうか?
A.
人材紹介会社が保有している転職情報の中には、一般公募をしていない転職情報や企業から非公開で依頼を受ける転職情報もあるため、社名を非公開にして掲載する転職情報が多数あります。

ご興味のある転職情報がございましたら、まずはエントリーをいただき、その後、担当のコンサルタントと面談を行い、会社名や転職情報の詳細をご確認いただいて、実際に求人企業に応募するかを判断していただければと思います。