設計・開発エンジニア(半導体)/外資系企業の転職・求人情報一覧(2ページ目)

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5160件を表示中
掲載期間:26/01/13~26/02/02
仕事内容
■概要 半導体設計ツールを用いての、論理設計・論理回路、論理検証、回路設計、レイアウト設計に携わっていただきます。
■想定される業務内容 (1)システム設計・検証 (2)論理設計・検証 (3)回路設計・検証 【関われる製品・サービスの例】 自動車…
応募資格
必須
【必須】 ・電子回路経験 ・回路設計ツールの使用経験 (回路/論理いずれか)
歓迎
【活かせる知識】 ・半導体周辺回路 ・計測知識
勤務地
北海道 / 青森県 / 岩手県 / 宮城県 / 秋田県 / 山形県 / 福島県 / 茨城県 / 栃木県 / 群馬県 / 埼玉県 / 千葉県 / 東京都 / 神奈川県 / 新潟県 / 富山県 / 石川県 / 福井県 / 山梨県 / 長野県 / 岐阜県 / 静岡県 / 愛知県 / 三重県 / 滋賀県 / 京都府 / 大阪府 / 兵庫県 / 奈良県 / 和歌山県 / 鳥取県 / 島根県 / 岡山県 / 広島県 / 山口県 / 徳島県 / 香川県 / 愛媛県 / 高知県 / 福岡県 / 佐賀県 / 長崎県 / 熊本県 / 大分県 / 宮崎県 / 鹿児島県
年収 / 給与
400万円~899万円
会社概要
■8,000名を超えるエンジニアが活躍する売上高・顧客数最大級のエンジニアリング…
気になる
掲載期間:26/01/13~26/02/02
仕事内容
【半導体製造装置(成膜装置)の電気設計】 ・ケーブル設計:POWERケーブル、SIGNALケーブルの基本設計~部品選定、ケ…
応募資格
必須
【必須条件】 ・Auto CAD(相当でも可)を使った設計ができること ・普通自動車…
勤務地
岩手県
年収 / 給与
350万円~649万円
会社概要
■9000名のエンジニアが活躍する売上高・顧客数最大級のエンジニアリングソリュー…
気になる
掲載期間:26/01/12~26/01/25
仕事内容
中規模 DDIC または TDDI (タッチおよびディスプレイ開発統合) のデジタル設計エンジニア
中規模 DDIC または TDDI (タッチおよびディスプレイ開発統合) のデジタル設計エンジニア ・自動車およびノートブ…
応募資格
必須
・ディスプレイまたはタッチのデジタル設計経験が5年以上 ・RTLコーディングとシミ…
歓迎
・車載TDDI/DDIC開発の経験/理解 ・ATEまたはパネルモジュールを使用した…
勤務地
神奈川県 / 京都府
年収 / 給与
700万円~1499万円
会社概要
米国発CMOSイメージセンサ、アナログ、タッチ、ディスプレー関連の研究開発日本研…
気になる
掲載期間:26/01/12~26/01/25
仕事内容
ミッドサイズ DDIC または TDDI のアナログ設計エンジニア (タッチおよびディスプ レイ開発統合)
ミッドサイズ DDIC または TDDI のアナログ設計エンジニア (タッチおよびディスプ レイ開発統合) ・ミッドサイズ …
応募資格
必須
・アナログ設計エンジニアとして 5 年以上の経験 ・ディスプレイおよびタッチ IC…
歓迎
・プロジェクト管理の経験 / スキル ・人材管理の経験 / スキル
勤務地
神奈川県 / 京都府
年収 / 給与
700万円~1499万円
会社概要
米国発CMOSイメージセンサ、アナログ、タッチ、ディスプレー関連の研究開発日本研…
気になる
掲載期間:26/01/09~26/03/05
仕事内容
【職種】 MLCC(積層セラミックコンデンサ)の研究開発 【業務内容】 車載用電子部品:MLCC(積層セラミックコンデンサ)の…
応募資格
必須
【学歴】 高専卒業以上 【必須条件】 以下いずれかのご経験をお持ちの方 ・積層セラミック…
勤務地
大阪府
年収 / 給与
500万円~1299万円
会社概要
半導体製品(Memory, System LSI, Foundry, LED)及…
気になる
掲載期間:26/01/09~26/03/05
仕事内容
【職種】 研究開発<半導体パッケージ基板> 【配属先】 日本サムスン株式会社 samsungデバイスソリューションズ研究所 【業…
応募資格
必須
【学歴】 高専卒業以上 【必須条件】 以下いずれかを満たす方 ■パッケージ基板に関する何…
勤務地
大阪府
年収 / 給与
500万円~1299万円
会社概要
半導体製品(Memory, System LSI, Foundry, LED)及…
気になる
掲載期間:26/01/08~26/03/04
仕事内容
パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただきます。 エネ…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
気になる
掲載期間:26/01/08~26/03/04
仕事内容
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイ…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
気になる
掲載期間:26/01/08~26/02/02
仕事内容
●顧客事業所にて半導体製造装置(成膜装置)の電気設計に携わっていただきます ・構想設計及び回路設計 ・ケーブルルートの設計、…
応募資格
必須
【必須応募条件】 ・電気電子回路の基礎知識 ・ケーブル設計※電源ケーブルなど様々 (部…
歓迎
【望ましい経験・スキル】 ・メカトロ設計経験 ・半導体製造、FPD製造装置経験 ・装置…
勤務地
山梨県
年収 / 給与
400万円~849万円
会社概要
■9000名のエンジニアが活躍する売上高・顧客数最大級のエンジニアリングソリュー…
気になる
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