掲載期間：25/01/24～25/03/20 設計・開発エンジニア（半導体）ファブレスメモリ半導体デザインカンパニー（海外企業）ファブレスメモリ半導体デザインカンパニー（海外企業） 外資系企業転勤なし土日祝休み 仕事内容 パソコンやサーバ、民生機器、通信機器、産業機器や車載製品に搭載される、世界最先端のメモリ半導体の設計に特化した企業で、海… 応募資格 必須（下記いずれかのご経験のある方） ・メモリ半導体（DRAMやNAND等）の回路設計… 勤務地 兵庫県 年収 / 給与 700万円～1149万円 会社概要 メモリ半導体デザインカンパニー（海外企業） 気になる 詳細を見る
掲載期間：25/01/23～25/02/05 設計・開発エンジニア（半導体）Application Engineer - 半導体メーカー 外資系企業土日祝休み 仕事内容 社のR&Dセクションの一員として、VLABにおける仮想ハードウェアモデルやプロトタイプを開発。ならびにFAEとして顧客をサポートまでを担当。 本社研究開発部門のメンバーとして、SystemC言語によるH/Wモデルの開発。 FAEとして顧客をサポート 顧客および代理店… 応募資格 必須下記実務経験のいずれか SystemC,C/C++、Pythonのいずれかの開発経… 勤務地 東京都 年収 / 給与 600万円～999万円 会社概要 半導体メーカー 半導体およびシステム設計、組み込みソフトウェア開発、またそれらに… 気になる 詳細を見る
掲載期間：25/01/22～25/03/18 設計・開発エンジニア（半導体）【岩手県北上市】半導体プロセスエンジニア 外資系企業大手企業土日祝休み 仕事内容 【仕事概要】 ・最先端メモリデバイス開発における微細加工や成膜工程のプロセス、装置改善業務、要素開発業務を担当頂きます。 【… 応募資格 必須・半導体製品のプロセス技術やデバイス技術のご経験、ご専門がある方。 ・開発や製造現… 歓迎（下記項目のご経験やご専門のある方） ・基礎的な英語力 勤務地 岩手県 年収 / 給与 500万円～1249万円 会社概要 欧米 外資系半導体設計開発メーカー 気になる 詳細を見る
掲載期間：25/01/22～25/03/18 設計・開発エンジニア（半導体）【岩手県北上市】インテグレーションエンジニア 外資系企業大手企業土日祝休み 仕事内容 【仕事概要】 ・インテグレーションエンジニアは、メモリデバイスを構成するプロセスモジュールの内、特定のモジュールの担当とな… 応募資格 必須・半導体や他の電子デバイス、電子機器、化学材料等の業界での開発や生産技術職等のご… 歓迎（下記項目のご経験やご専門のある方） ・半導体デバイスや半導体製造装置メーカーにお… 勤務地 岩手県 年収 / 給与 500万円～1249万円 会社概要 欧米 外資系半導体設計開発メーカー 気になる 詳細を見る
掲載期間：25/01/22～25/03/18 設計・開発エンジニア（半導体）【岩手県北上市】プロダクトエンジニア 外資系企業大手企業土日祝休み 仕事内容 【仕事概要】 ・プロダクトエンジニアは、同社の半導体メモリ製品担当として、その製品の製造プロセスフローを管理し、製品の立ち… 応募資格 必須・半導体や他の電子デバイス、電子機器等の開発や製造のご経験のある方。 歓迎（下記項目のご経験やご専門のある方） ・半導体デバイスや半導体製造装置メーカーにお… 勤務地 岩手県 年収 / 給与 500万円～1249万円 会社概要 欧米 外資系半導体設計開発メーカー 気になる 詳細を見る
掲載期間：25/01/22～25/03/18 設計・開発エンジニア（半導体）半導体開発製造におけるプロセスエンジニア（スタッフクラス～リーダークラス） 外資系企業大手企業土日祝休み 仕事内容 （職務内容） ・半導体製造プロセスにおける各工程（イオン注入、フォトリソグラフィー、エッチング、拡散）の中で、半導体デバイ… 応募資格 必須（下記いずれかのご経験のある方） ・何らかの半導体前工程プロセス技術に関する知識、… 歓迎【歓迎（WANT）】 ・基礎～日常会話レベルの英語スキルのある方（TOEIC500… 勤務地 三重県 年収 / 給与 600万円～1149万円 会社概要 ・半導体製品の開発製造販売 気になる 詳細を見る
掲載期間：25/01/22～25/02/04 設計・開発エンジニア（半導体）【長崎・熊本勤務】半導体デバイスエンジニア 外資系企業マネジメント業務なし英語力不問転勤なし土日祝休み 仕事内容 大手国内半導体メーカー先にて、開発に携わっていただきます 【職種内容】 ＊大手国内半導体メーカー先にて、ご経験にによって、下記のいずれかの業務を担当していただきます。 １.樹脂コーテ… 応募資格 必須【必須要件】 ＊下記項目いずれかのご経験。 ・組立エンジニアリング（ポストエンジニア… 歓迎. 勤務地 長崎県 / 熊本県 年収 / 給与 400万円～599万円 会社概要 【正社員型の特定派遣です】 世界13ヶ国で展開をしているエンジニアリングアウトソー… 気になる 詳細を見る
掲載期間：25/01/20～25/02/02 設計・開発エンジニア（半導体）【半導体先端パッケージ開発／アプリケーションエンジニア】大手外資系半導体メーカー[横浜市] 外資系企業大手企業土日祝休み 仕事内容 先端パッケージ開発におけるアプリケーションエンジニア 応募資格 必須・半導体後工程に関する知見 ・半導体後工程製造装置に携わった経験 歓迎・半導体後工程でのいずれかの経験 研削／研磨／仮接合／Cu接合 勤務地 神奈川県 年収 / 給与 700万円～1499万円 会社概要 ■会社概要： 半導体製品(Memory, System LSI, Foundry,… 気になる 詳細を見る
掲載期間：25/01/20～25/02/02 設計・開発エンジニア（半導体）Principal Engineer Lead/Member of Technical Staf… 外資系企業マネジメント業務なし英語力が必要転勤なし土日祝休み 仕事内容 詳細ご説明致しますので、お問い合わせください。 As a Diffusion Principal Engineer lead or Member of Technica… 応募資格 必須■Requirements: ・Bachelor’s/Master’s/PhD i… 勤務地 広島県 年収 / 給与 1000万円～1199万円 会社概要 社名非公開 ※詳細は求人紹介時にご案内いたします。 気になる 詳細を見る
掲載期間：25/01/10～25/03/06 設計・開発エンジニア（半導体）アナログ半導体デバイス開発又はプロセスエンジニア ※半導体業界未経験者や第2新卒採用 外資系企業土日祝休み 仕事内容 （職務内容） ・主に電源ICやセンサ等のアナログ半導体を開発製造する外資系半導体 メーカーでお客様や市場からの要望を先取り… 応募資格 必須・ 理工系学部 大学・大学院・高専で電気、電子、化学系、機械系、物理系などの学部… 歓迎・半導体業界での業務経験を有している方であれば望ましいが、左記経験は問わない。 ・… 勤務地 富山県 年収 / 給与 400万円～749万円 会社概要 外資系半導体開発製造メーカー 気になる 詳細を見る
掲載期間：24/12/31～25/02/24 設計・開発エンジニア（半導体）アナログ半導体開発エンジニア（デバイス種類や職種毎で2職種で求人募集中） 外資系企業海外折衝土日祝休み 仕事内容 ◆半導体デバイス開発エンジニア職で下記3職種で人材募集行っております。 (1)SiGe・SiPhoデバイス開発エンジニア … 応募資格 必須【必須（MUST）】 ・半導体デバイス・プロセスの開発経験や知識を所持している方。… 歓迎・RF/光学デバイス・プロセスの開発経験、知識のある方。 勤務地 富山県 年収 / 給与 600万円～1049万円 会社概要 外資系半導体開発製造メーカー 気になる 詳細を見る
掲載期間：24/12/10～25/02/03 設計・開発エンジニア（半導体）車載用パワーモジュールの設計開発（パワー半導体）/外資系企業の日本設計会社の募集 外資系企業ベンチャー企業海外出張英語力が必要土日祝休み 仕事内容 パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただきます。 エネ… 応募資格 必須パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下… 歓迎英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方 勤務地 京都府 年収 / 給与 500万円～999万円 会社概要 ■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ… 気になる 詳細を見る
掲載期間：24/12/10～25/02/03 設計・開発エンジニア（半導体）パワー半導体デバイスのデバイス試作エンジニア/外資系企業の日本設計会社の募集 外資系企業ベンチャー企業海外出張英語力が必要土日祝休み 仕事内容 【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性… 応募資格 必須パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下… 歓迎英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方 勤務地 京都府 年収 / 給与 500万円～999万円 会社概要 ■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ… 気になる 詳細を見る
掲載期間：24/12/10～25/02/03 設計・開発エンジニア（半導体）パワーデバイスの設計開発/外資系企業の日本設計会社の募集 外資系企業ベンチャー企業海外出張英語力が必要土日祝休み 仕事内容 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイ… 応募資格 必須パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下… 歓迎英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方 勤務地 京都府 年収 / 給与 500万円～999万円 会社概要 ■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ… 気になる 詳細を見る
掲載期間：22/11/30～25/02/02 設計・開発エンジニア（半導体）車載用パワーモジュールの設計開発（パワー半導体）／半導体デバイス設計会社 外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み 仕事内容 業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー 【業務内容】 パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただ… 応募資格 必須【必須】 パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関… 勤務地 京都府 年収 / 給与 600万円～1049万円 会社概要 半導体デバイス設計 気になる 詳細を見る
掲載期間：22/11/30～25/02/02 設計・開発エンジニア（半導体）パワー半導体デバイスの設計開発／半導体デバイス設計会社 外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み 仕事内容 業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー 【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性… 応募資格 必須【必須】 パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関… 勤務地 京都府 年収 / 給与 600万円～1049万円 会社概要 半導体デバイス設計 気になる 詳細を見る
掲載期間：22/11/30～25/02/02 設計・開発エンジニア（半導体）パワー半導体デバイスの試作エンジニア／半導体デバイス設計会社 外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み 仕事内容 業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー 【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性… 応募資格 必須【必須】 パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関… 勤務地 京都府 年収 / 給与 600万円～1049万円 会社概要 半導体デバイス設計 気になる 詳細を見る
掲載期間：22/11/30～25/02/02 設計・開発エンジニア（半導体）パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善／半導体デバイス設計会社 外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み 仕事内容 業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー 【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性… 応募資格 必須【必須】 パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関… 勤務地 京都府 年収 / 給与 600万円～1049万円 会社概要 半導体デバイス設計 気になる 詳細を見る
