掲載期間:24/12/10~25/01/07
設計・開発エンジニア(その他、機械・メカトロ・自動車)
Power Device Chief Scientist
外資系企業大手企業管理職・マネジャー新規事業
- 仕事内容
- ・パワーデバイス分野における技術的競争力向上の第一責任者として、パワーデバイス分野(SiC/GaN/IGBT)の 技…
- 応募資格
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- 必須
- ・半導体/電子/物理/材料などの関連分野を専攻し、最低10年以上のパワーデバイス…
- 勤務地
- 神奈川県 / 大阪府
- 年収 / 給与
- 1000万円~1599万円
- 会社概要
- ■ 1987年に中国・深センに設立された従業員持株制による民間企業であり、世界有…