掲載期間:26/08/26~26/09/08
NEW設計・開発エンジニア(半導体)
【IGBTデバイス開発(デバイス/プロセスエンジニア)|世界シェアTop10企業】年収~1300万
外資系企業上場企業大手企業海外出張英語力不問転勤なし土日祝休み
- 仕事内容
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中国の揚州に本社を置く半導体メーカー(IDM)の日本支社にて、IGBTデバイスの開発・設計業務をお任せします。●外部Fabを活用したIGBTチップ開発 ●TCADを用いたデバイス/プロセス設計 ●構造検討・レイアウト設計 ●プロセスイン…
- 応募資格
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- 必須
- 以下いずれかのご経験をお持ちの方 ●IGBTデバイス設計経験(デバイスエンジニア)…
- 歓迎
- ●IGBT開発経験 ●パワーデバイス応用技術の知見 ●プロセスインテグレーション経験…
- 勤務地
- 東京都 / 愛知県 / 大阪府
- 年収 / 給与
- 700万円~1349万円
- 会社概要
- ディスクリート・デバイス・チップ、電力ダイオード及びブリッジ整流器等を含む半導体…
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