設計・開発エンジニア(半導体)/750万円の転職・求人情報一覧(7)

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301316件を表示中
掲載期間:24/11/14~24/12/04
仕事内容
新規高速シリアルI/F回路の企画構想、デバイス仕様検討、アナログ回路/レイアウト設計、検証、評価を行います。
【担当者】新規高速シリアルI/F回路の企画構想、デバイス仕様検討、アナログ回路/レイアウト設計、検証、評価を行います。 ■…
応募資格
必須
【必要となるスキル/経験】 ●必須 下記いずれかのご経験をお待ちの方 ・高速シリアルイ…
勤務地
福岡県
年収 / 給与
600万円~849万円
会社概要
半導体関連製品と電子 ・電気機械器具の研究、開発、生産、販売事業、およびこれに関…
掲載期間:24/11/14~24/12/04
設計・開発エンジニア(半導体)

LiDAR 信号処理アルゴリズム 開発エンジニア

海外展開あり(日系グローバル企業)上場企業英語力が必要土日祝休み
仕事内容
【リーダーまたは担当者】 モビリティの自動化に必須とされるLiDARで、次世代に向けたセンシングデバイスの要素技術及び、その性能を引き出すLiDARシステム制御技術、ソフトウェア技術の開発に携わる。
■組織の役割 車載向けLiDARに関わるセンシングデバイス、次世代LiDARおよびそれらの要素技術の探索と開発を行います。…
応募資格
必須
【必要となるスキル/経験】 ■必須 信号処理アルゴリズム開発のご経験をお持ちの方 ■尚…
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体関連製品と電子 ・電気機械器具の研究、開発、生産、販売事業、およびこれに関…
掲載期間:24/11/14~24/12/04
仕事内容
世界トップのイメージセンサ等を提供する半導体メーカーにおいて、次世代イメージセンサー、ディスプレイを創り上げるためのユニットプロセス構築、プロセス設計シミュレーションを担っていただきます。
■組織としての担当業務 イメージセンサーやディスプレイデバイスの半導体プロセス、インテグレーション技術における研究開発を行…
応募資格
必須
<必要となるスキル/経験> ■必須 ユニットプロセス ( リソグラフィ 、ドライエッ…
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
600万円~899万円
会社概要
半導体関連製品と電子 ・電気機械器具の研究、開発、生産、販売事業、およびこれに関…
掲載期間:24/11/14~24/12/04
仕事内容
イメージセンサーデバイス研究開発における「デバイスエンジニア/プロセスインテグレーター」、「トランジスタ開発エンジニア」、「画素設計エンジニア」、「光学設計エンジニア」、「画像処理AIエンジニア」
■組織としての担当業務 裏面照射型、積層型イメージセンサーを世界に先駆けて市場導入し、世界一のポジションを維持し続けていま…
応募資格
必須
【必須】 1)以下いずれかに該当 ・半導体物性、物理学、電子工学、電気工学など基礎的…
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
600万円~1149万円
会社概要
半導体関連製品と電子 ・電気機械器具の研究、開発、生産、販売事業、およびこれに関…
掲載期間:24/11/14~24/12/04
仕事内容
イメージセンサーやディスプレイデバイスの半導体プロセス、インテグレーション技術の研究開発
各デバイスのプロセスフロー構築、インテグレーション担当者を募集しています ■組織としての担当業務 イメージセンサーやディスプ…
応募資格
必須
【必須】 イメージセンサー、小型ディスプレイデバイス、先端CMOSまたはメモリなど…
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
600万円~949万円
会社概要
半導体関連製品と電子 ・電気機械器具の研究、開発、生産、販売事業、およびこれに関…
掲載期間:24/11/05~24/12/30
仕事内容
半導体開発製造におけるプロセス・インテグレーション業務 ・プロセス開発と連携し、量産向けのプロセスフローの構築 ・歩留り・特…
応募資格
必須
(下記いずれかのご経験のある方) ・半導体プロセス開発業務経験、モジュールプロセス…
歓迎
・英語スキルのある方(海外顧客や本国※台湾とのコミュニケーションで使用する可能性…
勤務地
三重県
年収 / 給与
600万円~1149万円
会社概要
・半導体製品の開発製造販売
掲載期間:24/11/05~24/12/30
仕事内容
◆半導体デバイス開発エンジニア職で下記3職種で人材募集行っております。 (1)SiGe・SiPhoデバイス開発エンジニア  …
応募資格
必須
【必須(MUST)】 ・半導体デバイス・プロセスの開発経験や知識を所持している方。…
歓迎
・光学デバイス・プロセスの開発経験、知識のある方。
勤務地
富山県 / 京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
外資系半導体開発製造メーカー
掲載期間:24/11/03~24/12/28
設計・開発エンジニア(半導体)

PCBの回路設計及びアートワークエンジニア

海外展開あり(日系グローバル企業)上場企業大手企業海外出張海外折衝土日祝休み
仕事内容
ソリューションSoCビジネスにおいて、PCB含めたシステムレベルでの検討、提案が必須である。 また、評価ボードの開発、提供要望が顧客から増えてきている状況。
●メイン業務 ・評価ボードの仕様検討、回路設計、アートワーク設計 ・パッケージ/PCB協調設計におけるアートワーク設計及びシ…
応募資格
必須
●必須の要件 ・プリント基板設計フローの理解と経験 ・PCBのアートワーク設計経験 ・…
歓迎
英語力 TOEIC 500点以上
勤務地
神奈川県 / 愛知県 / 京都府
年収 / 給与
800万円~999万円
会社概要
半導体製品(SoC、システムLSI)及び関連製品の開発・設計・製造委託・販売 当社…
掲載期間:24/10/21~24/12/15
設計・開発エンジニア(半導体)

半導体ソリューション部門長

上場企業大手企業管理職・マネジャー海外出張海外折衝英語力が必要土日祝休み
仕事内容
車載用半導体品質・調達・戦略 総合的管理責任者
応募資格
必須
上記経験者 車載用ECUの知識要
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
1900万円~1949万円
会社概要
国内系大手機械電気部品メーカー
掲載期間:24/10/21~24/12/15
設計・開発エンジニア(半導体)

パワーデバイスの設計開発エンジニア

上場企業海外出張英語力不問転勤なし土日祝休み
仕事内容
中国系半導体メーカー日本法人 パワーモジュールの開発設計
応募資格
必須
自動車、電機関係のインバーター、パワーモジュール、業務に関係したことがある方
歓迎
向上心ある方の
勤務地
東京都
年収 / 給与
600万円~1349万円
会社概要
パワーデバイス等半導体部品メーカー
掲載期間:24/10/16~24/12/10
設計・開発エンジニア(半導体)

半導体装置メーカーでの物理設計◆土日祝休/フルフレックス

海外展開あり(日系グローバル企業)大手企業英語力不問土日祝休み
仕事内容
イオン注入装置におけるイオン源の素となる化学物質の性質およびプラズマ反応に関する企画・開発を対応いただきます
<職務詳細> ・荷電粒子の加減速プロセス最適化 ・ビーム輸送および測定方法の効率改善 ・イオンソースの改善 ・真空中の放電低減 ・…
応募資格
必須
大学院にて以下いずれかの研究(専攻)をされていた方 (プラズマ反応、プラズマ工学、…
歓迎
・加速器の知見をお持ちの方 ・放射線に関する知見をお持ちの方(放射線主任者一種取得…
勤務地
愛媛県
年収 / 給与
600万円~999万円
会社概要
半導体製造のイオン注入装置において、同社は国内トップシェア(約85%)を誇るメー…
掲載期間:24/10/10~24/12/04
仕事内容
【主な職務内容】 ■現在、新製品開発を進めており、まだ世の中にはないポン          プを駆動するための新しいモーター…
応募資格
必須
【必須条件】 ■モーターの開発経験 【この仕事の魅力】 ゼロからイチを⽣み出すような製…
歓迎
【歓迎条件】 ■ブラシレスモーターの開発経験 ■電磁気学の知識をお持ちの⽅ ■何かしら…
勤務地
埼玉県
年収 / 給与
550万円~849万円
会社概要
ケミカルポンプをはじめとする各種流体制御製品の開発・製造・販売 ポンプを通じてあら…
掲載期間:22/11/30~24/12/09
設計・開発エンジニア(半導体)

車載用パワーモジュールの設計開発(パワー半導体)/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただ…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/12/09
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの設計開発/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/12/09
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの試作エンジニア/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/12/09
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
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Q.
掲載されている転職情報の企業名が非公開となっている場合が多いように思います。社名はどの段階で公開されるのでしょうか?
A.
人材紹介会社が保有している転職情報の中には、一般公募をしていない転職情報や企業から非公開で依頼を受ける転職情報もあるため、社名を非公開にして掲載する転職情報が多数あります。

ご興味のある転職情報がございましたら、まずはエントリーをいただき、その後、担当のコンサルタントと面談を行い、会社名や転職情報の詳細をご確認いただいて、実際に求人企業に応募するかを判断していただければと思います。