掲載期間:22/11/30~24/12/29
設計・開発エンジニア(半導体)
パワー半導体デバイスの設計開発/半導体デバイス設計会社
外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
- 仕事内容
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業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
- 応募資格
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- 必須
- 【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
- 勤務地
- 京都府
- 年収 / 給与
- 600万円~1049万円
- 会社概要
- 半導体デバイス設計