設計・開発エンジニア(半導体)/日常会話レベルの転職・求人情報一覧(2ページ目)

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5155件を表示中
掲載期間:25/05/19~25/06/01
仕事内容
ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング株式会社での募集です。 プロセスエンジニア(半導体)のご経験のある方は歓迎です。
■ 担当技術分野   ドライエッチング技術 ■ 対象デバイス    150mm~200mm(SiCパワーデバイス) ■ 担当業務…
応募資格
必須
[Must] ・ドライエッチングプロセス開発・改善業務の経験を有する方 [Want]…
勤務地
茨城県
年収 / 給与
600万円~799万円
会社概要
ルネサス セミコンダクタ マニュファクチュアリング株式会社は、ルネサス エレクト…
掲載期間:25/05/19~25/06/01
仕事内容
ルネサス エレクトロニクス株式会社での募集です。 プロセスエンジニア(半導体)のご経験のある方は歓迎です。
【職務内容】 SiCパワーデバイス・プロセス開発、プロジェクトマネジメント ・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開…
応募資格
必須
(1)Must要件 ・パワーデバイス開発のプロジェクトマネジメント経験 2年以上 ・…
勤務地
群馬県
年収 / 給与
600万円~1299万円
会社概要
各種半導体に関する研究、開発、設計、製造、販売およびサービス
掲載期間:25/05/19~25/06/01
設計・開発エンジニア(半導体)

スーパーエンプラ・複合/コンパウンド技術開発

上場企業マネジメント業務なし海外出張海外折衝英語力が必要転勤なし
仕事内容
プロセスエンジニア(半導体)のご経験のある方は歓迎です。
■業務内容 当社では、今後の社会動向に対して、高機能かつ環境適用可能な材料の開発を進めています。特に、スーパーエンプラ樹脂…
応募資格
必須
【必須】  ・化学メーカーや化学系加工設備メーカーで成形、評価技術開発、また用途開…
勤務地
大阪府
年収 / 給与
600万円~999万円
会社概要
非公開 ※詳細は求人紹介時にご案内いたします。
掲載期間:25/05/19~25/06/01
仕事内容
ルネサス エレクトロニクス株式会社での募集です。 プロセスエンジニア(半導体)のご経験のある方は歓迎です。
【担当技術】 SiCエピタキシャル成長プロセス開発エンジニア 【担当業務】 SiCエピタキシャル成長装置立ち上げ、プロセス条件…
応募資格
必須
【MUST】 SiCエピタキシャル成長プロセス開発の従事経験が2年以上あること。 【…
勤務地
茨城県 / 群馬県 / 愛媛県
年収 / 給与
800万円~899万円
会社概要
各種半導体に関する研究、開発、設計、製造、販売およびサービス
掲載期間:25/05/19~25/06/01
設計・開発エンジニア(半導体)

Principal Engineer Lead/Member of Technical Staf…

外資系企業マネジメント業務なし英語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
詳細ご説明致しますので、お問い合わせください。
As a Diffusion Principal Engineer lead or Member of Technica…
応募資格
必須
■Requirements: ・Bachelor’s/Master’s/PhD i…
勤務地
広島県
年収 / 給与
1000万円~1199万円
会社概要
社名非公開 ※詳細は求人紹介時にご案内いたします。
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職種設計・開発エンジニア(半導体) 英語力日常会話レベル
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