設計・開発エンジニア(半導体)/700万円の転職・求人情報一覧(11)

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501517件を表示中
掲載期間:24/05/31~24/06/27
仕事内容
半導体製造装置向けの石英ガラスおよびセラミックス製品の開発業務 ・半導体装置メーカーからオーダーされる石英ガラス製品を顧客…
応募資格
必須
・数学、物理の知識がある方 ・統計に関する知識がある方 ・基礎的なPCスキル(データ…
勤務地
福島県
年収 / 給与
500万円~1049万円
会社概要
MARUWAは1978年の創業から培ってきたセラミック材料技術を強みに電子部品や…
掲載期間:24/05/30~24/07/24
仕事内容
・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー ・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長 ・ベンチャーマインドに溢れ、若手から裁量もって働けます
【職務内容】 高度な分析装置(FIB、TEM、オージェ分析、FT-IR、3DX線など)を用いて、事業部から依頼された試作品…
応募資格
必須
【必須】 ・分析に関する実務経験をお持ちの方(SEM、 FIB、TEM、オージェ分…
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~1049万円
会社概要
小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし…
掲載期間:24/05/28~24/06/29
設計・開発エンジニア(半導体)

半導体デバイス解析

ローム株式会社
海外展開あり(日系グローバル企業)上場企業大手企業英語力不問土日祝休み
仕事内容
半導体デバイス解析をご担当いただきます
■品質管理 LSI、パワー半導体、Tr、Diの市場故障品の解析。 <具体的な業務内容> ・半導体デバイスの外観検査 ・X線検査 ・…
応募資格
必須
・電気および電子工学に関する高等専門学校または大学卒業以上の知識を持つ方
歓迎
・電子部品や半導体製品の開発、設計、評価、解析、テストなどの職務経験が望ましい ・…
勤務地
京都府
年収 / 給与
700万円~999万円
会社概要
世界は、様々な課題を抱えています。 ロームでは、「Electronics for …
掲載期間:24/05/27~24/07/21
設計・開発エンジニア(半導体)

半導体テスト・評価エンジニア、マネジャー

海外展開あり(日系グローバル企業)上場企業大手企業管理職・マネジャー海外出張土日祝休み
仕事内容
・SoC製品のテスト仕様策定、テスト立上げの推進、およびこれらを適切なコスト・TATで実現するための  技術開発、およびこれに付随する業務の推進
●メイン業務 ・SoC製品のテスト仕様策定、テスト戦略の検討 ・テスト仕様に基づくテストプログラム開発 ・LSIテスターを用い…
応募資格
必須
●必須の要件 ・SoC製品のテスト開発業務経験者  (テスト仕様策定 テスト環境構築…
勤務地
神奈川県 / 愛知県 / 京都府
年収 / 給与
650万円~1449万円
会社概要
半導体製品(SoC、システムLSI)及び関連製品の開発・設計・製造委託・販売 当社…
掲載期間:24/05/22~24/07/16
設計・開発エンジニア(半導体)

電気設計者(計測システム部 計測課)

株式会社クボタ
海外展開あり(日系グローバル企業)上場企業大手企業英語力が必要土日祝休み
仕事内容
ハードディスク、半導体の検査装置を開発、製造、販売(外販)を行う部門となっております。 光応用技術、画像処理技術を駆使し、デジタル社会で必要不可欠な検査装置の開発と供給を行います。
【具体的な仕事内容】 ・半導体検査装置の理解 ・検査装置のシステム構成理解(他チームと連携し構成図を書けるレベル) ・システム…
応募資格
必須
【学歴】 高専卒以上 【語学力】 ・日常会話レベル以上(英語) (顧客とのメールのやり取…
歓迎
【歓迎】 ・半導体検査装置や製造装置に関する経験、知識 ・アナログ回路設計技術 ・光学…
勤務地
大阪府
年収 / 給与
550万円~899万円
会社概要
農業機械及び農業関連商品、エンジン、建設機械の製造及び販売等 パイプ関連製品(ダク…
掲載期間:24/05/20~24/07/14
設計・開発エンジニア(半導体)

パワーデバイスの設計開発エンジニア

上場企業海外出張英語力不問転勤なし土日祝休み
仕事内容
中国系半導体メーカー日本法人 パワーモジュールの開発設計
応募資格
必須
自動車、電機関係のインバーター、パワーモジュール、業務に関係したことがある方
歓迎
向上心ある方の
勤務地
東京都
年収 / 給与
600万円~1349万円
会社概要
パワーデバイス等半導体部品メーカー
掲載期間:24/05/20~24/07/14
仕事内容
・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー ・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長 ・30歳700万円/35歳800万円/管理職1000万円~
【仕事内容】 ■レーザーダイオード 製品設計・開発 ・結晶成長から前工程プロセスまで製品設計・工程設計 ・顧客要求や市場要求に…
応募資格
必須
【必須】 ・レーザーダイオードの開発に5年以上の経験。または、3-5族化合物半導体…
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~1049万円
会社概要
小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし…
掲載期間:24/05/20~24/07/14
仕事内容
・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー ・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長 ・30歳700万円/35歳800万円/管理職1000万円~
【仕事内容】 事業部の商品開発担当者として業務をご担当頂きます。 具体的には以下をご担当いただきます。   ■商品開発業務 新商品…
応募資格
必須
【経験】 ・開発業務経験者 ・顧客折衝経験者 【語学力】 ・日常英会話レベル 海外拠点(欧…
勤務地
滋賀県 / 京都府
年収 / 給与
500万円~1049万円
会社概要
小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし…
掲載期間:24/05/20~24/07/14
仕事内容
・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー ・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長 ・30歳700万円/35歳800万円/管理職1000万円~
【業務について】 ロームの半導体デバイスの研究開発に関する各テーマのフロントローディング化に関する研究を行っていただきます…
応募資格
必須
【必須】下記(1)(2)いずれかのスキルをお持ちの方 (1)データサイエンスに関す…
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~849万円
会社概要
小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし…
掲載期間:24/05/20~24/07/14
仕事内容
・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー ・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長 ・30歳700万円/35歳800万円/管理職1000万円~
【業務内容】 ■品質管理 LSI、パワー半導体、Tr、Diの市場故障品の解析。 <具体的な業務内容> ・半導体デバイスの外観検査…
応募資格
必須
【必須】 ・電気および電子工学に関する高等専門学校または大学卒業以上の知識を持つ方…
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~1049万円
会社概要
小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし…
掲載期間:24/04/30~24/06/24
仕事内容
パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただきます。 エネ…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
掲載期間:24/04/30~24/06/24
仕事内容
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
掲載期間:24/04/30~24/06/24
仕事内容
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイ…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
掲載期間:22/11/30~24/07/03
設計・開発エンジニア(半導体)

車載用パワーモジュールの設計開発(パワー半導体)/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただ…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/07/03
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの設計開発/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/07/03
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの試作エンジニア/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/07/03
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
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Q.
掲載されている転職情報の企業名が非公開となっている場合が多いように思います。社名はどの段階で公開されるのでしょうか?
A.
人材紹介会社が保有している転職情報の中には、一般公募をしていない転職情報や企業から非公開で依頼を受ける転職情報もあるため、社名を非公開にして掲載する転職情報が多数あります。

ご興味のある転職情報がございましたら、まずはエントリーをいただき、その後、担当のコンサルタントと面談を行い、会社名や転職情報の詳細をご確認いただいて、実際に求人企業に応募するかを判断していただければと思います。