設計・開発エンジニア(半導体)/700万円の転職・求人情報一覧(10)

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451492件を表示中
掲載期間:24/06/06~24/06/23
仕事内容
・年間休日125日でオンオフのメリハリをつけて働けます! ・保養所や特別勤務手当ほか福利厚生充実も充実しています
クライアント企業(主に半導体・電子機器関連産業等)の製造付帯設備の建設工事、及び、既存設備のメンテナンスに関わる工事管理…
応募資格
必須
【必須条件】 ・学歴不問 ・化学・食品・医薬及び半導体・液晶製造業の設備・工事または…
勤務地
東京都 / 福岡県
年収 / 給与
500万円~1049万円
会社概要
化学、合成繊維、食品、医薬品、情報電子、物流システム、環境、エネルギー等各種産業…
掲載期間:24/06/05~24/06/25
仕事内容
半導体の設計エンジニアとして以下の業務を行って頂きます。 ● ディジタルロジック設計と検証   Mixed IP、 FBE(…
応募資格
必須
●verilogの経験 ● デジタルロジックの設計経験が5年以上ある方 ● 大学卒以…
勤務地
東京都
年収 / 給与
800万円~1099万円
会社概要
韓国大手企業グループの中で、半導体製品の開発、製造、流通を行うメーカーの日本法人…
掲載期間:24/06/05~24/06/25
仕事内容
半導体の設計エンジニアとして以下の業務を行って頂きます。 ● アナログ回路設計及び検証 ● Mixed IP, FBE(Fr…
応募資格
必須
●cadenceまたはvirtuosoの経験 ●アナログ回路設計の経験が5年以上あ…
勤務地
東京都
年収 / 給与
800万円~1099万円
会社概要
韓国大手企業グループの中で、半導体製品の開発、製造、流通を行うメーカーの日本法人…
掲載期間:24/06/05~24/06/25
仕事内容
半導体の設計エンジニアとして以下の業務を行って頂きます。 ● ディジタルロジック設計と検証   Mixed IP、 FBE(…
応募資格
必須
●verilogの経験 ● デジタルロジックの設計経験が5年以上ある方 ● 大学卒以…
勤務地
東京都
年収 / 給与
600万円~799万円
会社概要
韓国大手企業グループの中で、半導体製品の開発、製造、流通を行うメーカーの日本法人…
掲載期間:24/06/05~24/06/25
仕事内容
半導体の設計エンジニアとして以下の業務を行って頂きます。 ● アナログ回路設計及び検証 ● Mixed IP, FBE(Fr…
応募資格
必須
●cadenceまたはvirtuosoの経験 ●アナログ回路設計の経験が5年以上あ…
勤務地
東京都
年収 / 給与
600万円~799万円
会社概要
韓国大手企業グループの中で、半導体製品の開発、製造、流通を行うメーカーの日本法人…
掲載期間:24/06/04~24/06/24
仕事内容
■業務内容  FPGA論理開発のプロジェクトリーダーとして開発とその管理業務、外注管理に従事していただきます。    ■ポジシ…
応募資格
必須
以下知見や経験があれば、ご活躍いただけます。  【必須】  ・FPGA論理設計経験が…
勤務地
福岡県
年収 / 給与
600万円~1099万円
会社概要
同社は年間売上が1,600億円を超える国内最大の技術ソリューション企業・テクノプ…
掲載期間:24/06/04~24/06/24
仕事内容
■募集背景 同社では、顧客基盤であるメーカーに対して、製品開発支援と共に様々な課題解決を行うことができる独自のポジションを…
応募資格
必須
以下知見や経験があれば、ご活躍いただけます。 【必須】 ・設計経験が1年以上ある方 <…
勤務地
北海道 / 青森県 / 岩手県 / 宮城県 / 秋田県 / 山形県 / 福島県 / 茨城県 / 栃木県 / 群馬県 / 埼玉県 / 千葉県 / 東京都 / 神奈川県 / 新潟県 / 富山県 / 石川県 / 福井県 / 山梨県 / 長野県 / 岐阜県 / 静岡県 / 愛知県 / 三重県 / 滋賀県 / 京都府 / 大阪府 / 兵庫県 / 奈良県 / 和歌山県 / 鳥取県 / 島根県 / 岡山県 / 広島県 / 山口県 / 徳島県 / 香川県 / 愛媛県 / 高知県 / 福岡県 / 佐賀県 / 長崎県 / 熊本県 / 大分県 / 宮崎県 / 鹿児島県 / 沖縄県
年収 / 給与
550万円~1049万円
会社概要
■7,000名を超えるエンジニアが活躍する売上高・顧客数最大級のエンジニアリング…
掲載期間:24/06/04~24/07/29
仕事内容
【主な職務内容】 ■現在、新製品開発を進めており、まだ世の中にはないポン          プを駆動するための新しいモーター…
応募資格
必須
【必須条件】 ■モーターの開発経験 【この仕事の魅力】 ゼロからイチを⽣み出すような製…
歓迎
【歓迎条件】 ■ブラシレスモーターの開発経験 ■電磁気学の知識をお持ちの⽅ ■何かしら…
勤務地
埼玉県
年収 / 給与
550万円~849万円
会社概要
ケミカルポンプをはじめとする各種流体制御製品の開発・製造・販売 ポンプを通じてあら…
掲載期間:24/06/03~24/07/28
仕事内容
パソコンやサーバ、民生機器、通信機器、産業機器や車載製品に搭載される、世界最先端のメモリ半導体の設計に特化した企業で、海…
応募資格
必須
(下記いずれかのご経験のある方) ・メモリ半導体(DRAMやNAND等)の回路設計…
勤務地
兵庫県
年収 / 給与
700万円~1149万円
会社概要
メモリ半導体デザインカンパニー(海外企業)
掲載期間:24/06/03~24/07/28
仕事内容
【開発・設計職】 ・主な担当業務は、車載向けLED用リードフレームに関する、「製品設計」、「プロセス設計」、「新製品立上げ…
応募資格
必須
・各種電子デバイスやモジュール製品の設計開発や製造プロセス開発のご経験のある方。…
歓迎
・LEDの設計や実装工程の経験を持つ方 ・樹脂の分野に精通している方 ・CAD業務の…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
車載LED用リードフレームの製造・販売
掲載期間:24/05/31~24/07/25
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業 ■業務内容: 世界のファンダリ―メーカ…
応募資格
必須
(下記いずれかのご経験のある方) ・パワー半導体デバイスの設計、開発、製造に関して…
歓迎
・日常会話レベル以上の英語力又は中国語力のある方。 (海外エンジニアとのコミュニケ…
勤務地
京都府
年収 / 給与
700万円~1149万円
会社概要
パワー半導体デバイスやモジュールの新規設計開発(ファブレスメーカー)
掲載期間:24/05/31~24/06/27
仕事内容
セラミック電子部品(薄膜部品)の製品開発・改善業務 ・新製品の設計から量産展開までの製品開発業務 ・歩留まり改善、工程改善な…
応募資格
必須
・薄膜工程を伴う電子部品製品の開発業務のご経験  ※特に薄膜抵抗製品の業務経験
勤務地
新潟県
年収 / 給与
700万円~1149万円
会社概要
MARUWAは1978年の創業から培ってきたセラミック材料技術を強みに電子部品や…
掲載期間:24/05/31~24/06/27
仕事内容
セラミック薄膜部品の開発、開発マネジメント業務 ・サンプル作製管理 ・工法の確立 ・ユーザーとの折衝 ・関連部署との調整 ・量産へ…
応募資格
必須
・電子部品等の開発経験があり、薄膜プロセスの経験がある方
勤務地
岐阜県
年収 / 給与
650万円~1049万円
会社概要
MARUWAは1978年の創業から培ってきたセラミック材料技術を強みに電子部品や…
掲載期間:24/05/31~24/06/27
設計・開発エンジニア(半導体)

歩留まり改善マネージャー

JASM株式会社
外資系企業上場企業大手企業管理職・マネジャー英語力が必要土日祝休み
仕事内容
Lead New Technology Integration transfer and matching to ens…
応募資格
必須
シリコンウエハープロセス、デバイス、歩留まり改善いずれかのご経験 言語:英語(ビジ…
勤務地
熊本県
年収 / 給与
600万円~1199万円
会社概要
ワールドクラスのデザインチームと協力し、世界トップクラスのデザインサービスエコシ…
掲載期間:24/05/31~24/07/25
仕事内容
【採用背景】 ・パワーデバイスは、脱炭素社会への貢献に向けたキーデバイスとして、自動車の電動化や民生機器のインバーター化の…
応募資格
必須
(下記いずれかのご経験のある方) ・半導体デバイス(チップ)構造の設計経験者 ・半導…
歓迎
・新規プロセス技術の開発に意欲的な方 ・SiCに関して、結晶やエピタキシャル成長技…
勤務地
熊本県
年収 / 給与
600万円~1149万円
会社概要
・電機機器の開発・製造・販売 ・パワー半導体、パワーモジュールの開発・製造・販売
掲載期間:24/05/31~24/07/25
設計・開発エンジニア(半導体)

【兵庫県伊丹市】パワー半導体デバイスのプロセスエンジニア

海外展開あり(日系グローバル企業)上場企業大手企業土日祝休み
仕事内容
【採用背景】 ・パワーデバイスは、脱炭素社会への貢献に向けたキーデバイスとして、自動車の電動化や民生機器のインバーター化の…
応募資格
必須
(下記いずれかのご経験のある方) ・半導体関連の基礎知識(特にプロセス技術またはテ…
歓迎
・パワーエレクトロニクス関連技術経験またはパワーデバイス取扱経験
勤務地
兵庫県
年収 / 給与
600万円~1149万円
会社概要
・電機機器の開発・製造・販売 ・パワー半導体、パワーモジュールの開発・製造・販売
掲載期間:24/05/31~24/07/25
設計・開発エンジニア(半導体)

【熊本/福山】パワー半導体開発工程における プロセスエンジニア

海外展開あり(日系グローバル企業)上場企業大手企業土日祝休み
仕事内容
◆電子機器、エネルギー機器の電力制御に用いられるパワー半導体開発製  造の前工程開発製造の拠点において事業拡大、新工場建設…
応募資格
必須
(下記いずれかのご経験のある方) ・SiウエハプロセスもしくはSiパワーデバイスの…
歓迎
・12φのSiウエハプロセス経験者歓迎 ・新規ウエハプロセスラインの立ち上げ経験者…
勤務地
広島県 / 熊本県
年収 / 給与
600万円~1149万円
会社概要
・電機機器の開発・製造・販売 ・パワー半導体、パワーモジュールの開発・製造・販売
掲載期間:24/05/31~24/06/27
仕事内容
セラミック電子部品製品の開発、工法開発業務 ・設計業務(積層回路の設計、形状設計) ・試作対応(治工具の設計) 【担当製品】 厚…
応募資格
必須
・電子部品関係の開発業務経験がある方
勤務地
岐阜県 / 愛知県
年収 / 給与
550万円~1049万円
会社概要
MARUWAは1978年の創業から培ってきたセラミック材料技術を強みに電子部品や…
掲載期間:24/05/31~24/06/27
仕事内容
セラミック電子部品製品の開発、工法開発業務 ・試作業務(各モデルの最適なプロセス構築、外注へ試作指示及び納期管理、スケジュ…
応募資格
必須
以下、いずれかに該当する方  ・セラミック材料や製品の知識、経験のある方  ・積層基…
勤務地
岐阜県 / 愛知県
年収 / 給与
550万円~1049万円
会社概要
MARUWAは1978年の創業から培ってきたセラミック材料技術を強みに電子部品や…
掲載期間:24/05/31~24/06/27
仕事内容
材料設計業務 ・各種セラミック、電極材料の組成設計。プロセスに合わせたスラリー、ペースト組成の最適化 試作業務 ・各種モデルに…
応募資格
必須
・電子部品または、積層構造部品の開発業務経験
勤務地
愛知県
年収 / 給与
550万円~1049万円
会社概要
MARUWAは1978年の創業から培ってきたセラミック材料技術を強みに電子部品や…
掲載期間:24/05/31~24/06/27
仕事内容
セラミック粒子・セラミック焼結体の開発業務 ・放熱基板、TIM材料、半導体製造装置向け部材などの新商品開発 【担当製品】 窒化…
応募資格
必須
・セラミック製品の開発経験がある方 ・セラミック材料の知識がある方
勤務地
岐阜県
年収 / 給与
550万円~1199万円
会社概要
MARUWAは1978年の創業から培ってきたセラミック材料技術を強みに電子部品や…
掲載期間:24/05/31~24/07/25
仕事内容
(会社・組織について) ・2022年4月、大手電機メーカーグループの事業会社化に伴い創業した同社は、グローバルに従業員4万…
応募資格
必須
・半導体、電子部品メーカーでのデバイス開発やプロセス開発のご経験のある方。 ・電気…
勤務地
北海道 / 東京都 / 富山県 / 福井県 / 京都府 / 大阪府 / 兵庫県 / 島根県 / 山口県 / 佐賀県
年収 / 給与
500万円~1249万円
会社概要
・電気部品・電子部品・制御機器・電子材料等の開発・製造・販売
掲載期間:24/05/31~24/07/25
仕事内容
(会社・組織について) ・2022年4月、大手電機メーカーグループの事業会社化に伴い創業した同社は、グローバルに従業員4万…
応募資格
必須
・半導体、電子部品メーカーでのデバイス開発やプロセス開発のご経験のある方。 ・半導…
勤務地
神奈川県 / 大阪府
年収 / 給与
500万円~1049万円
会社概要
・電気部品・電子部品・制御機器・電子材料等の開発・製造・販売
掲載期間:24/05/31~24/07/25
仕事内容
【職務概要】 ・大手電機メーカー半導体事業部門と協同しながら車載向けや民生・産業向けで市場拡大中であり、新工場の建設も予定…
応募資格
必須
・半導体や電子部品業界でのデバイス開発、プロセス開発、生産技術等に関するご経験の…
勤務地
熊本県
年収 / 給与
500万円~749万円
会社概要
・三菱電機半導体・デバイス事業の中核エンジニアリング会社との位置付けのもと、三菱…
掲載期間:24/05/31~24/07/25
仕事内容
【職務概要】 ・大手電機メーカー半導体事業部門と協同しながら高周波デバイスや光デ  バイス、赤外線センサーデバイス向け、ウエ…
応募資格
必須
・半導体や電子部品業界でのプロセス開発・生産技術立ち上げのご経験のある方。((露…
勤務地
兵庫県
年収 / 給与
500万円~749万円
会社概要
・三菱電機半導体・デバイス事業の中核エンジニアリング会社との位置付けのもと、三菱…
掲載期間:24/05/31~24/06/27
仕事内容
半導体製造装置向けの石英ガラスおよびセラミックス製品の開発業務 ・半導体装置メーカーからオーダーされる石英ガラス製品を顧客…
応募資格
必須
・数学、物理の知識がある方 ・統計に関する知識がある方 ・基礎的なPCスキル(データ…
勤務地
福島県
年収 / 給与
500万円~1049万円
会社概要
MARUWAは1978年の創業から培ってきたセラミック材料技術を強みに電子部品や…
掲載期間:24/05/30~24/07/24
仕事内容
・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー ・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長 ・ベンチャーマインドに溢れ、若手から裁量もって働けます
【職務内容】 高度な分析装置(FIB、TEM、オージェ分析、FT-IR、3DX線など)を用いて、事業部から依頼された試作品…
応募資格
必須
【必須】 ・分析に関する実務経験をお持ちの方(SEM、 FIB、TEM、オージェ分…
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~1049万円
会社概要
小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし…
掲載期間:24/05/28~24/06/29
設計・開発エンジニア(半導体)

半導体デバイス解析

ローム株式会社
海外展開あり(日系グローバル企業)上場企業大手企業英語力不問土日祝休み
仕事内容
半導体デバイス解析をご担当いただきます
■品質管理 LSI、パワー半導体、Tr、Diの市場故障品の解析。 <具体的な業務内容> ・半導体デバイスの外観検査 ・X線検査 ・…
応募資格
必須
・電気および電子工学に関する高等専門学校または大学卒業以上の知識を持つ方
歓迎
・電子部品や半導体製品の開発、設計、評価、解析、テストなどの職務経験が望ましい ・…
勤務地
京都府
年収 / 給与
700万円~999万円
会社概要
世界は、様々な課題を抱えています。 ロームでは、「Electronics for …
掲載期間:24/05/27~24/07/21
設計・開発エンジニア(半導体)

半導体テスト・評価エンジニア、マネジャー

海外展開あり(日系グローバル企業)上場企業大手企業管理職・マネジャー海外出張土日祝休み
仕事内容
・SoC製品のテスト仕様策定、テスト立上げの推進、およびこれらを適切なコスト・TATで実現するための  技術開発、およびこれに付随する業務の推進
●メイン業務 ・SoC製品のテスト仕様策定、テスト戦略の検討 ・テスト仕様に基づくテストプログラム開発 ・LSIテスターを用い…
応募資格
必須
●必須の要件 ・SoC製品のテスト開発業務経験者  (テスト仕様策定 テスト環境構築…
勤務地
神奈川県 / 愛知県 / 京都府
年収 / 給与
650万円~1449万円
会社概要
半導体製品(SoC、システムLSI)及び関連製品の開発・設計・製造委託・販売 当社…
掲載期間:24/05/22~24/07/16
設計・開発エンジニア(半導体)

電気設計者(計測システム部 計測課)

株式会社クボタ
海外展開あり(日系グローバル企業)上場企業大手企業英語力が必要土日祝休み
仕事内容
ハードディスク、半導体の検査装置を開発、製造、販売(外販)を行う部門となっております。 光応用技術、画像処理技術を駆使し、デジタル社会で必要不可欠な検査装置の開発と供給を行います。
【具体的な仕事内容】 ・半導体検査装置の理解 ・検査装置のシステム構成理解(他チームと連携し構成図を書けるレベル) ・システム…
応募資格
必須
【学歴】 高専卒以上 【語学力】 ・日常会話レベル以上(英語) (顧客とのメールのやり取…
歓迎
【歓迎】 ・半導体検査装置や製造装置に関する経験、知識 ・アナログ回路設計技術 ・光学…
勤務地
大阪府
年収 / 給与
550万円~899万円
会社概要
農業機械及び農業関連商品、エンジン、建設機械の製造及び販売等 パイプ関連製品(ダク…
掲載期間:24/05/20~24/07/14
設計・開発エンジニア(半導体)

パワーデバイスの設計開発エンジニア

上場企業海外出張英語力不問転勤なし土日祝休み
仕事内容
中国系半導体メーカー日本法人 パワーモジュールの開発設計
応募資格
必須
自動車、電機関係のインバーター、パワーモジュール、業務に関係したことがある方
歓迎
向上心ある方の
勤務地
東京都
年収 / 給与
600万円~1349万円
会社概要
パワーデバイス等半導体部品メーカー
掲載期間:24/05/20~24/07/14
仕事内容
・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー ・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長 ・30歳700万円/35歳800万円/管理職1000万円~
【仕事内容】 ■レーザーダイオード 製品設計・開発 ・結晶成長から前工程プロセスまで製品設計・工程設計 ・顧客要求や市場要求に…
応募資格
必須
【必須】 ・レーザーダイオードの開発に5年以上の経験。または、3-5族化合物半導体…
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~1049万円
会社概要
小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし…
掲載期間:24/05/20~24/07/14
仕事内容
・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー ・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長 ・30歳700万円/35歳800万円/管理職1000万円~
【仕事内容】 事業部の商品開発担当者として業務をご担当頂きます。 具体的には以下をご担当いただきます。   ■商品開発業務 新商品…
応募資格
必須
【経験】 ・開発業務経験者 ・顧客折衝経験者 【語学力】 ・日常英会話レベル 海外拠点(欧…
勤務地
滋賀県 / 京都府
年収 / 給与
500万円~1049万円
会社概要
小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし…
掲載期間:24/05/20~24/07/14
仕事内容
・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー ・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長 ・30歳700万円/35歳800万円/管理職1000万円~
【業務について】 ロームの半導体デバイスの研究開発に関する各テーマのフロントローディング化に関する研究を行っていただきます…
応募資格
必須
【必須】下記(1)(2)いずれかのスキルをお持ちの方 (1)データサイエンスに関す…
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~849万円
会社概要
小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし…
掲載期間:24/05/20~24/07/14
仕事内容
・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー ・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長 ・30歳700万円/35歳800万円/管理職1000万円~
【業務内容】 ■品質管理 LSI、パワー半導体、Tr、Diの市場故障品の解析。 <具体的な業務内容> ・半導体デバイスの外観検査…
応募資格
必須
【必須】 ・電気および電子工学に関する高等専門学校または大学卒業以上の知識を持つ方…
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~1049万円
会社概要
小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし…
掲載期間:24/04/30~24/06/24
仕事内容
パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただきます。 エネ…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
掲載期間:24/04/30~24/06/24
仕事内容
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
掲載期間:24/04/30~24/06/24
仕事内容
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイ…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
掲載期間:22/11/30~24/07/03
設計・開発エンジニア(半導体)

車載用パワーモジュールの設計開発(パワー半導体)/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただ…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/07/03
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの設計開発/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/07/03
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの試作エンジニア/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/07/03
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
設定中の検索条件
職種設計・開発エンジニア(半導体) 年収700万円以上
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Q.
掲載されている転職情報の企業名が非公開となっている場合が多いように思います。社名はどの段階で公開されるのでしょうか?
A.
人材紹介会社が保有している転職情報の中には、一般公募をしていない転職情報や企業から非公開で依頼を受ける転職情報もあるため、社名を非公開にして掲載する転職情報が多数あります。

ご興味のある転職情報がございましたら、まずはエントリーをいただき、その後、担当のコンサルタントと面談を行い、会社名や転職情報の詳細をご確認いただいて、実際に求人企業に応募するかを判断していただければと思います。