掲載期間：24/04/15～24/06/09 設計・開発エンジニア（半導体）半導体のデジタル回路設計・検証業務、論理設計・検証（LSI、FPGA、SOC） 土日祝休み 仕事内容 ■仕事内容 半導体のデジタル回路設計・検証業務、論理設計・検証（LSI、FPGA、SOC） ■求人アピール 神奈川県内で半導体… 応募資格 必須■応募資格 必要経験：半導体（FPGA,LSI、SOC）デジタル回路の設計経験。V… 勤務地 神奈川県 年収 / 給与 400万円～599万円 会社概要 産業機器 気になる 詳細を見る
掲載期間：24/04/12～24/06/06 設計・開発エンジニア（半導体）制御設計（電気回路）半導体の製造◆高い技術を持ち世界的から注目◆２D CAD活かせる◆勤務地相談可 海外展開あり（日系グローバル企業）ベンチャー企業土日祝休み 仕事内容 半導体製造装置の制御設計(電気回路)を担当頂きます。 具体的には… ◆制御盤設計 ◆デジタル回路設計 ◆ソフト設計(PLC、P/… 応募資格 必須◆PLC・制御盤設計の経験者 ◆2D CADの経験者 歓迎◆半導体製造の知識・実務経験がある方(真空装置・加熱装置・FPD製造装置・太陽電… 勤務地 東京都 年収 / 給与 600万円～1249万円 会社概要 ◆真空装置や半導体、太陽電池、、FPD、有機ELなどの製造装置の開発・設計・製造… 気になる 詳細を見る
掲載期間：24/04/11～24/06/05 設計・開発エンジニア（半導体）【京都/滋賀】パワーデバイス開発エンジニア（Si） 仕事内容 ・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー ・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長 ・ベンチャーマインドに溢れ、若手から裁量もって働けます パワーダイオードやMOSFETなどのSiデバイスの拡販、企画、設計、プロセス開発をご担当いただきます。 担当製品は面接を通… 応募資格 必須【必須】 ・MOSFETの構造・動作特性の理解 ・半導体プロセスの理解 ・基礎的な電気… 勤務地 滋賀県 / 京都府 年収 / 給与 500万円～999万円 会社概要 小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし… 気になる 詳細を見る
掲載期間：24/04/11～24/06/05 設計・開発エンジニア（半導体）【京都】パワーデバイス開発エンジニア（IGBT商品開発） 仕事内容 ・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー ・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長 ・ベンチャーマインドに溢れ、若手から裁量もって働けます 【仕事内容】 ■商品開発業務 商品企画やパッケージ展開を主とした顧客対応業務をご担当いただきます。 具体的には、顧客に開発した… 応募資格 必須【必須】 下記の知識と経験を保有されている方 ・半導体の基礎知識（MOSFETやIG… 勤務地 京都府 年収 / 給与 500万円～899万円 会社概要 小型抵抗器メーカーとして1958年に京都で操業を開始。1970年代に日本企業とし… 気になる 詳細を見る
掲載期間：24/04/10～24/06/04 設計・開発エンジニア（半導体）アナログ半導体のレイアウト設計・検証業務 土日祝休み 仕事内容 アナログ半導体のレイアウト設計・検証業務。 福岡県内で半導体レイアウト設計をお任せします。 応募資格 必須・ケイデンス社製レイアウトツール使用経験（Virtuoso Layout Edi… 歓迎・他社製レイアウトツール経験 勤務地 福岡県 年収 / 給与 400万円～599万円 会社概要 エレクトロニクスに関するシステム開発、LSIデザイン及びターンキーサービス 気になる 詳細を見る
掲載期間：24/04/09～24/06/03 設計・開発エンジニア（半導体）【想定年収1800万円 ~ 】中国(深セン)で働く、半導体技術者を探しています。【年齢不問】 仕事内容 募集職種 ■メモリープロセス・エンジニア ■メモリープロセス・インテグレーション・エンジニア ■メモリープロダクト・エンジニア… 応募資格 必須下記のいずれかの知識と経験を保有されている方（基本的に3年以上経験を有する方） ■… 歓迎外国語能力 勤務地 東京都 / 中国 年収 / 給与 1800万円～2999万円 会社概要 深センの半導体工場で働く技術者を探しております。競争が激しい半導体業界ということ… 気になる 詳細を見る
掲載期間：22/11/30～24/06/10 設計・開発エンジニア（半導体）車載用パワーモジュールの設計開発（パワー半導体）／半導体デバイス設計会社 外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み 仕事内容 業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー 【業務内容】 パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただ… 応募資格 必須【必須】 パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関… 勤務地 京都府 年収 / 給与 600万円～1049万円 会社概要 半導体デバイス設計 気になる 詳細を見る
掲載期間：22/11/30～24/06/10 設計・開発エンジニア（半導体）パワー半導体デバイスの設計開発／半導体デバイス設計会社 外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み 仕事内容 業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー 【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性… 応募資格 必須【必須】 パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関… 勤務地 京都府 年収 / 給与 600万円～1049万円 会社概要 半導体デバイス設計 気になる 詳細を見る
掲載期間：22/11/30～24/06/10 設計・開発エンジニア（半導体）パワー半導体デバイスの試作エンジニア／半導体デバイス設計会社 外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み 仕事内容 業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー 【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性… 応募資格 必須【必須】 パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関… 勤務地 京都府 年収 / 給与 600万円～1049万円 会社概要 半導体デバイス設計 気になる 詳細を見る
掲載期間：22/11/30～24/06/10 設計・開発エンジニア（半導体）パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善／半導体デバイス設計会社 外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み 仕事内容 業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー 【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性… 応募資格 必須【必須】 パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関… 勤務地 京都府 年収 / 給与 600万円～1049万円 会社概要 半導体デバイス設計 気になる 詳細を見る
