設計・開発エンジニア(半導体)/外資系企業の転職・求人情報一覧(2)

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5163件を表示中
掲載期間:24/06/05~24/06/25
仕事内容
半導体の設計エンジニアとして以下の業務を行って頂きます。 ● アナログ回路設計及び検証 ● Mixed IP, FBE(Fr…
応募資格
必須
●cadenceまたはvirtuosoの経験 ●アナログ回路設計の経験が5年以上あ…
勤務地
東京都
年収 / 給与
600万円~799万円
会社概要
韓国大手企業グループの中で、半導体製品の開発、製造、流通を行うメーカーの日本法人…
掲載期間:24/06/05~24/06/25
仕事内容
半導体の設計エンジニアとして以下の業務を行って頂きます。 ● ディジタルロジック設計と検証   Mixed IP、 FBE(…
応募資格
必須
●verilogの経験 ● デジタルロジックの設計経験が5年以上ある方 ● 大学卒以…
勤務地
東京都
年収 / 給与
800万円~1099万円
会社概要
韓国大手企業グループの中で、半導体製品の開発、製造、流通を行うメーカーの日本法人…
掲載期間:24/06/05~24/06/25
仕事内容
半導体の設計エンジニアとして以下の業務を行って頂きます。 ● アナログ回路設計及び検証 ● Mixed IP, FBE(Fr…
応募資格
必須
●cadenceまたはvirtuosoの経験 ●アナログ回路設計の経験が5年以上あ…
勤務地
東京都
年収 / 給与
800万円~1099万円
会社概要
韓国大手企業グループの中で、半導体製品の開発、製造、流通を行うメーカーの日本法人…
掲載期間:24/06/03~24/07/28
仕事内容
パソコンやサーバ、民生機器、通信機器、産業機器や車載製品に搭載される、世界最先端のメモリ半導体の設計に特化した企業で、海…
応募資格
必須
(下記いずれかのご経験のある方) ・メモリ半導体(DRAMやNAND等)の回路設計…
勤務地
兵庫県
年収 / 給与
700万円~1149万円
会社概要
メモリ半導体デザインカンパニー(海外企業)
掲載期間:24/05/31~24/06/27
設計・開発エンジニア(半導体)

歩留まり改善マネージャー

JASM株式会社
外資系企業上場企業大手企業管理職・マネジャー英語力が必要土日祝休み
仕事内容
Lead New Technology Integration transfer and matching to ens…
応募資格
必須
シリコンウエハープロセス、デバイス、歩留まり改善いずれかのご経験 言語:英語(ビジ…
勤務地
熊本県
年収 / 給与
600万円~1199万円
会社概要
ワールドクラスのデザインチームと協力し、世界トップクラスのデザインサービスエコシ…
掲載期間:24/05/31~24/07/25
仕事内容
(職務内容) ・主に電源ICやセンサ等のアナログ半導体を開発製造する外資系半導体  メーカーでお客様や市場からの要望を先取り…
応募資格
必須
・ 理工系学部 大学・大学院・高専で電気、電子、化学系、機械系、物理系などの学部…
歓迎
・半導体業界での業務経験を有している方であれば望ましいが、左記経験は問わない。 ・…
勤務地
富山県
年収 / 給与
400万円~749万円
会社概要
外資系半導体開発製造メーカー
掲載期間:24/04/30~24/06/24
仕事内容
パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただきます。 エネ…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
掲載期間:24/04/30~24/06/24
仕事内容
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
掲載期間:24/04/30~24/06/24
仕事内容
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイ…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
掲載期間:22/11/30~24/06/23
設計・開発エンジニア(半導体)

車載用パワーモジュールの設計開発(パワー半導体)/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただ…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/06/23
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの設計開発/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/06/23
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの試作エンジニア/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/06/23
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
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Q.
掲載されている転職情報の企業名が非公開となっている場合が多いように思います。社名はどの段階で公開されるのでしょうか?
A.
人材紹介会社が保有している転職情報の中には、一般公募をしていない転職情報や企業から非公開で依頼を受ける転職情報もあるため、社名を非公開にして掲載する転職情報が多数あります。

ご興味のある転職情報がございましたら、まずはエントリーをいただき、その後、担当のコンサルタントと面談を行い、会社名や転職情報の詳細をご確認いただいて、実際に求人企業に応募するかを判断していただければと思います。