掲載期間:26/11/06~26/11/19
- 仕事内容
- 次世代パワー半導体として注目されるSiC(シリコンカーバイド)デバイスの性能向上に向け、デバイス・プロセス開発から試作検…
- 応募資格
-
- 必須
- ▼必須条件 下記いずれか必須となります ・半導体デバイスの開発、試作、評価に関する実…
- 勤務地
- 埼玉県
- 年収 / 給与
- 500万円~949万円
- 会社概要
- <電源専業メーカー> 「電源」や電源に使用される「パワー半導体」を手がけるパワーエ…
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