掲載期間:25/03/03~25/03/16
設計・開発エンジニア(電気)
パワー半導体デバイス設計・開発ほか
外資系企業ベンチャー企業海外出張英語力が必要中国語力が必要土日祝休み
- 仕事内容
- 業界最先端のSiC、GaN、Si等のパワーデバイスの設計、開発を行います。 ・台湾に本拠地を置く本社(パワー半導体デバイス…
- 応募資格
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- 必須
- 【必須条件】 パワー半導体デバイス(Si、SiC、GaN)の設計、開発、製造に関し…
- 歓迎
- 英語もしくは中国語でのコミュニケーションのできる方
- 勤務地
- 京都府
- 年収 / 給与
- 600万円~1099万円
- 会社概要
- "業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設…