掲載期間:24/05/20~24/06/02
NEW設計・開発エンジニア(電気)
GaNパワー半導体デバイスの設計、開発
外資系企業ベンチャー企業英語力が必要中国語力が必要土日祝休み
- 仕事内容
- 業界最先端のSiC、GaN、Si等のパワーデバイスの設計、開発を行います。 ・台湾に本拠地を置く本社(パワー半導体デバイス…
- 応募資格
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- 必須
- 【必須要件】 GaNパワー半導体デバイスの設計、開発、製造に関し以下の経験がある方…
- 勤務地
- 京都府
- 年収 / 給与
- 600万円~1099万円
- 会社概要
- 業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計…