設計・開発エンジニア(電気)/通信キャリアの転職・求人情報一覧

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掲載期間:25/02/20~25/03/05
NEW設計・開発エンジニア(電気)

リチウムイオン電池開発エンジニア

外資系企業マネジメント業務なし英語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
外資系デバイスメーカーでの募集です。 電子デバイス研究開発のご経験のある方は歓迎です。
【業務詳細】 ・シリコン系負極の材料、周辺材料の開発 ・材料分析業務、電池劣化分析業務
応募資格
必須
・電気化学に関する職務経歴5年以上 ・シリコン系負極の材料 電極開発の経験またはシ…
勤務地
大阪府
年収 / 給与
1000万円~1999万円
会社概要
外資系デバイスメーカー ※詳細は求人紹介時にご案内いたします。
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掲載期間:25/02/20~25/03/05
NEW設計・開発エンジニア(電気)

SiC/IGBT Power Device Process Integration Expert

外資系デバイスメーカー
外資系企業マネジメント業務なし英語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
華為技術日本株式会社での募集です。 電子デバイス研究開発のご経験のある方は歓迎です。
・SiC/IGBTパワー半導体プロセスインテグレーション構築を担当していただきます。 ・部分工程であるプロセスモジュールイ…
応募資格
必須
・おおよそ20年以上の半導体またはそのプロセス技術の研究・開発・製造における経験…
勤務地
大阪府
年収 / 給与
1000万円~1999万円
会社概要
◆通信事業者向けネットワーク事業 ◆法人向けICTソリューション事業 ◆コンシューマ…
掲載期間:25/02/20~25/03/05
NEW設計・開発エンジニア(電気)

Power Device Design Senior Engineer

外資系企業マネジメント業務なし英語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
外資系デバイスメーカーでの募集です。 電子デバイス研究開発のご経験のある方は歓迎です。
・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)のデザイン開発とテスト検証を担当…
応募資格
必須
必須要件 ・半導体/電子/物理などの関連分野を専攻し、5年以上のパワーデバイスのデ…
勤務地
大阪府
年収 / 給与
1000万円~1999万円
会社概要
外資系デバイスメーカー ※詳細は求人紹介時にご案内いたします。
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Q.
掲載されている転職情報の企業名が非公開となっている場合が多いように思います。社名はどの段階で公開されるのでしょうか?
A.
人材紹介会社が保有している転職情報の中には、一般公募をしていない転職情報や企業から非公開で依頼を受ける転職情報もあるため、社名を非公開にして掲載する転職情報が多数あります。

ご興味のある転職情報がございましたら、まずはエントリーをいただき、その後、担当のコンサルタントと面談を行い、会社名や転職情報の詳細をご確認いただいて、実際に求人企業に応募するかを判断していただければと思います。