募集要項
- 募集背景
- 業務拡大により新規増員募集
- 仕事内容
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業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立【業務内容】
電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、信頼性技術の確立・歩留まり改善をお任せします。
SiCパワー半導体デバイスのモジュール化が現在の主な取り組みテーマであり、製品仕様の決定のための信頼性評価技術・歩留まり向上技術の体制確立が急務の為、それに伴う人材の強化を進めています。
現社員は大手半導体メーカー（TI/ ON Semiconductor/ 日立/ 三菱電機/ ルネサス/ ローム等で）20～30年以上の経験を持つメンバーで構成されております。2022年よりGaN Projectがスタートしています。
【募集背景】
製品化に伴う量産体制確立のため新規増員採用
【求人企業について】
高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファンダリーメーカーと協業し、推進しています。高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。従来の垂直統合型で進めていた日本の半導体メーカーと一線を画し、水平分業型のビジネスモデルを取っております。台湾のヘッドクォーターのエンジニア、台湾・香港・アメリカ等のファウンドリーメーカーとのエンジニア等と協業し、プロセスインテグレーションを進めております。SiCに強いファウンドリーが少ない中で、これまでにない半導体を生み出すために技術的な支援を推進。今後、これまで積み上げてきた技術を商品化していくための人員の強化を進めています。また2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行います。
- 応募資格
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- 必須
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【必須】
パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下の【1】～【4】いずれか経験がある方
【1】パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験
【2】ファウンドリーでのデバイス試作経験
【3】デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験
【4】パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験
【歓迎】
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
- 募集年齢(年齢制限理由)
- 不問 （定年年齢を上限として募集するため）
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 京都市西京区
- 勤務時間
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9:00～18:00（休憩60分）
専門業務型裁量労働制
1日あたりのみなし労働時間：8時間00分
- 年収・給与
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年収：600万円～1,000万円（年俸制）
月額：年収の12割
賞与：なし
昇給：年1回
- 待遇・福利厚生
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各種社会保険（健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険）
通勤交通費（会社規定に基づき支給）
- 休日休暇
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年間休日：120日以上
休日：完全週休二日制（土曜・日曜・祝日）
休暇：年末年始休暇、夏季休暇、慶弔休暇、産前産後休暇、育児休暇、有給休暇
- 選考プロセス
- 書類選考、面接（2回）※一次・二次オンライン面接
