掲載期間:24/11/27~24/12/10
NEW設計・開発エンジニア(半導体)
パワーデバイス設計(SiC/IGBT)◆◆大手外資系テクノロジー企業◆◆年収1600万以上◆◆
外資系企業大手企業マネジメント業務なし英語力が必要土日祝休み
- 仕事内容
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多国籍テクノロジー企業のパワーデバイス設計ポジションです。 SiC/IGBTパワーデバイスの研究開発をリードし、最先端かつ高性能で競争力のあるソリューションに注力していただきます。・SiC/IGBTパワーデバイスの研究開発を行う。 ・最先端、高性能、高信頼性のパワーデバイスの研究開発をリードする。 ・最…
- 応募資格
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- 必須
- ・半導体関連技術における20年以上の実務経験 ・SiC/IGBTパワーデバイスの研…
- 勤務地
- 神奈川県 / 大阪府
- 年収 / 給与
- 1600万円~1999万円
- 会社概要
- 世界170以上の国や地域でビジネスを展開する大手外資系サプライヤーの日本法人。I…