募集要項
- 仕事内容
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3D NANDの製品・技術開発を担当頂きます。主に四日市の開発ラインで作られたウェハのメモリセル、およびそれを駆動する周辺回路やトランジスタを電気的に測定・解析し、プロセス開発、製品の性能・信頼性向上のための技術開発を行います。国内、海外他拠点を含むプロセス、テスト、設計等のチームとも仕事を分担して、共同で開発を行います。
▼具体的な業務内容（下記業務をチームで分担します。）
■Cell Device:
- 次世代フラッシュメモリ評価。特にセルアレイ動作電圧/タイミングの最適化と信頼性評価
- セルアレイ特性評価結果に基づいた製造プロセス改善への貢献
- セルアレイ特性の量産ばらつきに関する統計的解析
- セルアレイ特性評価テストプログラムの開発
- 初期故障（DPPM）改善のためのスクリーニング・テストの開発
- 電気的手法による故障解析
- 上記に関する海外拠点との協業
- 製品化のステアリング
■CMOS Device:
-次世代CMOS (トランジスタおよび受動素子)の電気的評価・解析
-次世代CMOS開発用TEG設計・Design Rule策定
-量産移管に向けたCMOS特性改善(信頼性改善、ばらつき改善など)
-CMOS起因の製品歩留改善のための電気的評価、Spotfire等を用いた統計データ解析
-DPPM(顧客・市場不良率)改善のためのスクリーニング・ストレステストの開発
-後工程拠点(海外)と前工程工場(国内)とのインターフェース業務
- 応募資格
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- 必須
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※下記いずれか必須
■半導体デバイス／不良解析／テストいずれかの経験がある方（目安：3年以上）
■電気電子・物理・材料科学など関連分野の基礎知識をお持ちで、実験・評価データ分析のご経験をお持ちの方
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 神奈川県
- 勤務時間
- 09:00 - 17:30
- 年収・給与
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600万円～1300万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金、団体生命保険、長期所得補償保険
【諸手当】
■通勤手当：上限15万円/月
■家賃補助：最長6年 ■引越手当金（大船）：独身者/単身赴任者 45万円、家族帯同 75万円 ※いずれも入社に伴い転居が必要な方のみ
■帰省費用の補助（入社時単身赴任者に限る/月2回分の往復交通費：最長3年間）
- 休日休暇
- 年間130日／（内訳）完全週休2日制（土日祝）、夏季休暇、年末年始、有給休暇、慶事休暇、産前産後休暇、育児休暇、傷病休暇（年5日間）、リフレッシュ休暇
