募集要項
- 仕事内容
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【求人タイトル】
AT-A1-3【神奈川】パワー半導体アプリケーションエンジニア（SiC・GaN・MOSFET・IGBT領域） ／ 東芝デバイス＆ストレージ
【仕事内容】
当ポジションでは、Si MOSFET、IGBT、SiC、GaNなどのパワー半導体を活用し、AIデータセンター、産業機器、再生可能エネルギー、電力インフラ市場のお客様に対して技術提案を行います。
単なる製品提案ではなく、お客様の回路やシステム全体を理解しながら、製品評価、技術マーケティング、商品企画まで幅広く携わり、市場拡大と新たな価値創出を推進いただきます。
【業務内容】
■AIデータセンター、再生可能エネルギー、産業機器市場向けの技術マーケティング
■顧客設計支援およびデザインイン活動
■パワーデバイスおよびアプリケーションの評価、技術課題の解析
■顧客およびパートナー企業との技術連携・共同開発推進
■市場ニーズを踏まえた次世代パワーデバイスの商品企画提案
■技術資料、リファレンスデザイン、アプリケーションノート作成
■展示会、技術セミナー、顧客ワークショップでの技術プレゼンテーション
■市場・競合分析を踏まえた技術戦略および拡販戦略の立案
【業務の進め方】
担当製品や市場領域に応じて、国内外の顧客・営業・開発・製造部門と連携しながら業務を推進します。
顧客への技術提案やデザインイン活動だけでなく、自ら評価環境を用いてパワーデバイスの性能検証や技術課題の解析を行い、その結果を顧客提案や新製品企画へ活かしていきます。
また、AIデータセンター向け電源や再生可能エネルギー分野など成長市場において、市場分析や競合分析を通じた技術マーケティングにも携わります。顧客との対話を通じて把握したニーズを次世代製品の企画へフィードバックし、市場拡大に向けた技術戦略・拡販戦略の立案にも関与いただきます。
【主な顧客領域】
■AIデータセンター向け電源
■再生可能エネルギー
■産業機器
■電力インフラ
■電力変換システム
- 応募資格
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- 必須
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【必須】
以下いずれかのご経験・知見を有する方
■パワー半導体の技術マーケティングまたはFAE経験
■パワー半導体を使用したアプリケーションの回路設計、部品選定の経験
【尚可】
■電力変換(コンバータ、インバータ)機器等のアプリケーション知識
■化合物(SiC、GaN)パワー半導体等の次世代パワーデバイスに関する知識
■半導体製品の設計、評価、製品開発いずれかの経験
■顧客との技術折衝、デザインイン活動経験
■英語によるコミュニケーション能力
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 神奈川県
- 年収・給与
- 450～1200万円
