募集要項
- 募集背景
- 増員
- 仕事内容
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【パソナキャリア経由での入社実績あり】2nmプロセスにおける、メモリー素子（SRAM, eFuse）の開発を実施いただきます。
■デバイス開発を、ロジックトランジスタのベースプロセスの中で、プロセス整合させて、メモリーデバイスの開発を実施（SRAM, eFuse）
【働き方】
■勤務地
1-2年米国勤務、のち国内拠点勤務 または はじめから国内勤務
【定年】65 歳
※65 歳以降有期契約による継続雇用有
【同社とは】
この度2027年に次世代半導体生産を目指し、キャリア採用を加速させております。
- 応募資格
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- 必須
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■メモリデバイス（SRAM, eFuse）のデバイス開発経験
・プロセス開発の経験
・TEG測定評価とその解析の経験
・TEG作成経験
・プロセス側、設計環境側と連携して業務を行った経験
- 歓迎
- ・トランジスタ等の半導体素子の評価経験
- フィットする人物像
- 応募資格をご覧下さい
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 北海道
- 勤務時間
- 08:30～17:00
- 年収・給与
- 400万円～900万円
- 休日休暇
- 完全週休二日（土日） 創立記念日（8月10日）、年次有給休暇（初年度６日～10日、勤続年数に応じて最大20日）
