募集要項
- 仕事内容
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電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（Si-IGBT、SiC-MOSFET、GaNーHEMT）の企画/開発/設計業務に携わっていただきます。
■製品企画／仕様検討
・技術ニーズ調査
・技術動向調査
・目標仕様調整および設計
■デバイス開発・設計
・デバイスシミュレーション
・構造検討およびレイアウト設計
・素子試作評価、分析解析、良品率改善
・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック
- 応募資格
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- 必須
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半導体素子の設計および開発経験または知識をお持ちの方（目安：3年以上）
※パワー半導体の経験有無は問いません。
- 歓迎
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・パワー半導体に関する知識をお持ちの方
・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験
- 雇用形態
- Full Time / 正社員
- ポジション・役割
- 次世代パワー半導体素子のデバイス開発
- 勤務地
- 愛知県
- 勤務時間
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フレックスタイム制/標準労働時間8h
コアタイム10時10分から14時25分（東京エリア 10時30分から14時45分、製作所 10時10分から15時25分）
- 年収・給与
- 550万円～1449万円
- 待遇・福利厚生
- Employment Insurance / 雇用保険,Industrial Accident Compensation Insurance / 労災保険,Employees' Pension Insurance / 厚生年金保険,Employees' Health Insurance / 健康保険
- 休日休暇
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週休2日制（土曜日・日曜日）
GW・夏季・年末年始各10日程
年間休日121日
年次有給休暇、やすらぎ休暇、リフレッシュ休暇、子の看護休暇、介護休暇、ボランティア休暇など
