募集要項
- 仕事内容
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〈AT-D3【兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア(GaN/SiC)〉
【仕事内容】
同社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しております。
株式会社東芝の研究開発センターや、各拠点、各部署と連携しながら、半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。
川崎:デバイス開発とプロセスインテグレーション
姫路:エピタキシャルプロセス、プロセス開発
- 応募資格
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- 必須
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【必須】
・半導体デバイスのプロセスインテグレーション、ユニットプロセス関連または、デバイス開発の実務経験をお持ちの方
【尚可】
・GaNまたはSiCに関する知見
・エピタキシャルプロセス開発に関する知見
・デバイスメーカ、半導体製造装置メーカ在籍の方
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 兵庫県
- 年収・給与
- 450~1200万円
