募集要項
- 募集背景
- 増員
- 仕事内容
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日本を代表する半導体メーカー★2024年12月に東証プライム上場を果たしました！フラッシュメモリー製品市場は生成AIやデータ容量増加等により成長が見込まれており、会社の変革期に当事者として立ち会える…【パソナキャリア経由での入社実績あり】【採用背景】
AIの普及やポスト5G時代の到来に伴い、データセンターやIoT機器におけるメモリの消費電力低減は世界的な課題です。NAND型フラッシュメモリで世界トップクラスのシェアを誇るキオクシアでは、既存DRAMの課題を克服する「酸化物半導体トランジスタを用いた新規3Dメモリ（OCTRAM）」の研究開発を推進しています。世界最高峰の半導体学会「IEDM」で2年連続採択されるなど、技術的な優位性の確立に向けた取り組みを進めています。世界最大級の生産基盤を持つ当社だからこそ実現できる「次世代メモリの社会実装」に向け、開発を現場で力強く推進していただく即戦力エンジニアを募集します。
【組織のミッション】
・部門ミッション：高速メモリデバイスの研究開発フェーズを担当し、デバイス検証から製品開発（量産）フェーズへの移管を確実に実行する。
・グループミッション：新規3Dメモリ（OCTRAM）の研究開発において、デバイス検証・構造最適化を行い、製品開発フェーズへの円滑な移管を担う。
※当組織は、キオクシアが誇る世界最大級の四日市工場と直結し、「最先端の研究成果を確かな製品へと変える」という、事業の将来を左右する重要な橋渡しを担っています。
【お任せする業務】
酸化物半導体を用いた新規3Dメモリのデバイス設計、デバイス検討ロットの試作と形状および電気特性評価による特性改善および不良解析と信頼性の改善。
【具体的な仕事内容】
■デバイス設計：TCADを用いてシミュレーションを行い、試作Lotを作成・評価を行い、ターゲット特性を満たすデバイスを設計する
■構造・プロセス設計：新規3Dメモリのデバイス構造およびプロセスフローを検討・設計する
■試作検証：ユニットプロセス（成膜・リソグラフィー・エッチング）や回路設計・インテグレーション担当者と連携し、検討ロットを試作する
■評価・解析：試作チップの電気特性評価、パラメトリック解析、不良解析および信頼性評価を実施する
■改善・最適化：評価データに基づき課題を抽出・原因究明し、デバイス構造やプロセス条件の最適化を推進する
■製品開発移管：デバイスの完成度を高め、後続の製品開発フェーズへの技術移管…
- 応募資格
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- 必須
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以下いずれかの経験３年以上
■半導体のデバイス研究開発
■半導体のデバイス・インテグレーション研究開発
■半導体製造装置の研究開発
- 歓迎
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□パラメトリックアナライザやメモリテスタ等の半導体デバイス評価ツールの使用経験をお持ちの方
□DRAMやNAND等のメモリデバイス、またはCMOSロジック、パワートランジスタ等の研究開発経験をお持ちの方
□TCADを使用した半導体デバイスの研究開発経験をお持ちの方
□酸化物半導体に関する研究開発経験をお持ちの方
- フィットする人物像
- 応募資格をご覧下さい
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 三重県四日市市山之一色町800番地 四日市工場
- 勤務時間
- 08:30～17:15
- 年収・給与
- 550万円～1260万円
- 休日休暇
- 完全週休二日（土日） 祝日、ＧＷ、夏季、年末年始、有給、育児休暇、介護休暇・赴任休暇等
