募集要項
- 仕事内容
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MicronのDRAMおよびHBM製品向けのプロセス技術、装置ソリューションを開発する、世界最高水準のエンジニアと技術専門家で構成された組織です。本ポジションでは、ユニットプロセス技術の探索、開発、最適化を担当し、プロセスインテグレーション、デバイス、設計エンジニアと連携しながら、装置メーカーや材料サプライヤーと協働して、次世代のDRAMおよびHBM向けの高性能かつコスト競争力のある技術開発を推進していただきます。
本ポジションでは、半導体プロセス開発、デバイス物理、CMOS技術に関する高度な知識が求められます。また、データ解析能力や材料分析、表面解析技術への理解も重要です。チームワークと高いコミュニケーション能力は、本職務で成功するための重要な要素となります。
【職務内容】
以下を含みますが、これらに限定されません。
・デバイス、プロセスインテグレーション、および製品要求事項の理解
・技術目標およびコスト目標達成に向けたプロセス技術ロードマップおよびサプライヤー戦略の策定
・開発環境および量産環境におけるプロセスレシピの開発、最適化
・構造解析、材料分析、および電気特性評価データの解析
・デバイス性能、歩留まり、信頼性、およびコスト競争力向上に向けた技術革新の推進
・AI（人工知能）を活用した開発業務の効率化、高度化の推進
・社内関係部門および外部パートナーとの連携による複雑な技術課題の解決
・技術戦略および開発方針に関する経営層への提言
・エンジニアの育成、指導を通じた組織能力の向上
・高い倫理観、オーナーシップ、および他者への敬意を持った業務遂行
- 応募資格
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- 必須
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・電気工学、物理学、化学工学、材料科学、半導体デバイス工学、または関連分野における修士号、博士号、もしくは同等の実務経験
・半導体業界での3年以上の実務経験
- 歓迎
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・DRAM、HBM、または先端半導体製品の開発経験
・先端CMOS技術開発の実務経験
・ロジック、メモリ、またはファウンドリ技術におけるプロセス開発、プロセスインテグレーション経験
・半導体デバイス物理およびプロセスインテグレーションに関する深い知識
・研究開発（R&D）または量産製造環境での業務経験
・英語による優れたコミュニケーション能力
- 雇用形態
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正社員
試用期間 2カ月。その間の待遇・給与等は変わりません。
- 勤務地
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広島工場（広島県東広島市吉川工業団地7-10）
※引越費用は、当社規定に基づき支給あり
※基本的に転勤なし
- 勤務時間
- 8：30～17：15（所定労働時間 7時間45分、休憩 60分）
- 年収・給与
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年収：550万円 ～ 1,800万円
月給：41万～130万
※上記年収例には想定残業代を含みません。各種手当は別途支給されます。
- 待遇・福利厚生
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・社会保険完備（雇用保険、労災保険、健康保険、厚生年金保険）
・通勤費全額支給
・退職給付制度
・財形貯蓄制度
・生命保険、損害保険などの団体契約
・カフェテリアプラン制度
・その他（パフォーマンスに応じた支給制度あり）ほか
<教育制度・資格補助補足>
階層別教育、各種専門教育、資格取得支援、英語学習支援、自己啓発支援、社外講習会 他、通信教育、語学教育については費用補助があります。
- 休日休暇
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＜年間休日＞
121日
＜休日・休暇＞
・完全週休2日制（土、日）
・祝日休み
・年末年始休暇
・GW休暇
・夏季休暇
・慶弔休暇
・有給休暇 （22日）
・産前・産後休暇
・育児休暇
・介護休暇
・ファミリーフレンドリー休暇（家族の病気の際などに3日）
・結婚休暇 等
- 選考プロセス
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・書類選考
・一次面接（人事、オンライン）
・二次面接（配属先部署、オンライン）
※選考状況により変更となる場合がございます。
