募集要項
- 募集背景
- 増員
- 仕事内容
-
★売上規模590億のグループ会社★自社製品開発,SES,業務請負等を幅広い業界へ提供しています★次世代パワー半導体の開発に携わるデバイス開発エンジニアの募集です。評価・解析から製品開発まで幅広く関与できる環境。SiCデバイス開発経験を活かし、より上流かつ製品に近い領域で技術力を発揮できます。
★多様なキャリアプラン・充実した研修制度で場所を問わずに働けるスキルを身につけられます★
【募集の背景】
次世代パワー半導体市場の拡大に伴い、デバイス性能だけでなく製品レベルでの最適化が求められるようになっています。そのため、デバイス設計・評価だけでなく、量産や製品応用まで見据えて開発を推進できるエンジニアの重要性が高まっています。本ポジションでは、これまで培ったSiCデバイス開発経験を活かしながら、より広い領域で技術的な挑戦をしたい方を募集しています。
【業務内容】
・SiCパワー半導体デバイスの設計・開発
・デバイス構造の検討
・特性評価、解析
・デバイスシミュレーション
・性能改善に向けた技術検討
・プロセス開発部門との連携
・量産仕様の検討
・製品開発支援
【業務の魅力】
デバイス開発に留まらず、製品開発や量産化まで携われるポジションです。自身が設計・評価した技術が最終製品へ反映されるため、エンジニアとしての影響力とやりがいを実感できます。
- 応募資格
-
- 必須
- ・半導体業界にてSiCを用いたデバイス開発経験を5年以上お持ちの方
- 歓迎
- 応募資格をご覧下さい
- フィットする人物像
- 応募資格をご覧下さい
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 北海道千歳市 ※勤務地については最大限配慮の上決定します。
- 勤務時間
- 08:30～17:15
- 年収・給与
- 600万円～800万円
- 休日休暇
-
その他 ※休日・休暇は、プロジェクト・配属先企業のカレンダーによる
◆特別休暇（慶弔その他）◆特別休暇（慶弔その他）◆有給休暇（初年度10日）
◆産前・産後休暇◆育児休業・子の育児目的休暇◆介護休業・介護休暇
