募集要項
- 仕事内容
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【業務内容】
技術開発信頼性グループのチームメンバーとして、DRAMデバイス/プロセス開発チームおよび回路設計チームと連携し、以下の業務を担当します。
【業務詳細】
・各セル・トランジスタ、高性能CMOS、および先端インターコネクトにおけるホットキャリア、バイアス温度不安定性（BTI）、エレクトロマイグレーションなどの信頼性パフォーマンスの分析
・信頼性モデルの構築、およびデバイス開発チーム・回路設計チームへのコンサルテーション
・ウェーハレベルおよび回路レベルの信頼性挙動と性能を評価するためのテスト手法の開発と実施
・分析結果に基づいたレポート作成、および技術開発を導くための実行可能な推奨事項の提示
・プロセス統合（PI）およびキャラクタリゼーションチームと連携し、信頼性特性とプロセス転換・パラメトリックテストデータの相関分析
・物理的理解のモデル化と意思決定の質向上のための、他データソース（インライン計測、パラメトリック、プローブ）やPFA（物理故障解析）の統合
【育成環境】
若手エンジニアが多く活躍しており、中長期的な計画業務を担う部署のため、落ち着いた環境で主体的にスキルを伸ばすことができます。
英語についてはグローバルとのやり取りも発生するため、社内トレーニングや英語ヘルプデスクなどのサポート体制も整っています。
各部門との協働が多く、多様なバックグラウンドを持つ同僚と切磋琢磨しながら成長できる環境です。
【就業環境について】
グローバルな環境の中で、主体性を重んじるフラットな社風が特徴です。
在宅勤務は週1回（金曜）の利用が可能で、出社とリモートのバランスを取りやすい働き方ができます。
中長期視点の業務が中心のため、日々のタスクに追われるストレスは少なく、個人の裁量を持って働くことができます。
【社内公募制度】
世界的な人材戦略と魅力ある社風の一環として、社員のスキル・キャリア形成能力の開発を支援します。
自らの意志に基づき上司を通すことなく直接国内・海外の様々なポジションに応募し、異動することが可能です。
- 応募資格
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- 必須
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【必須（MUST）】
・電気工学、物理学、材料科学、または関連分野の修士号または博士号、および2年以上の経験
・半導体デバイス物理学の理解
・DRAM、NAND、または次世代メモリに関する基礎知識
・統計データ分析の知識
・優れたコミュニケーションスキル
・回路動作に関する基礎知識
・半導体デバイスに関する業界または研究機関での3年以上の実務経験
・半導体デバイスのパラメトリック測定スキル、および電気的特性評価に使用される実験器具（パラメーターアナライザ、パルスジェネレータ、容量計、ウェーハプローバ等）の操作経験
・半導体デバイスプロセス技術の理解
- 歓迎
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【歓迎（WANT）】
※以下のいずれかの知識・経験を有する方
・プログラミング言語の知識
・各世代の半導体デバイス構造およびプロセスに関する知識
・回路動作およびDRAM製品アーキテクチャの理解
- 雇用形態
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正社員
試用期間 2カ月。その間の待遇・給与等は変わりません。
- 勤務地
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広島工場（広島県東広島市吉川工業団地7-10）
※引越費用は、当社規定に基づき支給あり
※基本的に転勤なし
- 勤務時間
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8：30～17：15（所定労働時間 7時間45分、休憩 60分）
- 年収・給与
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年収：550万円 ～ 1,800万円
月給：41万～130万
※上記年収例には想定残業代を含みません。各種手当は別途支給されます。
- 待遇・福利厚生
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・社会保険完備（雇用保険、労災保険、健康保険、厚生年金保険）
・通勤費全額支給
・退職給付制度
・財形貯蓄制度
・生命保険、損害保険などの団体契約
・カフェテリアプラン制度
・その他（パフォーマンスに応じた支給制度あり）ほか
<教育制度・資格補助補足>
階層別教育、各種専門教育、資格取得支援、英語学習支援、自己啓発支援、社外講習会 他、通信教育、語学教育については費用補助があります。
- 休日休暇
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＜年間休日＞
121日
＜休日・休暇＞
・完全週休2日制（土、日）
・祝日休み
・年末年始休暇
・GW休暇
・夏季休暇
・慶弔休暇
・有給休暇 （22日）
・産前・産後休暇
・育児休暇
・介護休暇
・ファミリーフレンドリー休暇（家族の病気の際などに3日）
・結婚休暇 等
- 選考プロセス
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・書類選考
・一次面接（人事、オンライン）
・二次面接（配属先部署、オンライン）
※選考状況により変更となる場合がございます。
