募集要項
- 仕事内容
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OCTRAMを始めとした先端デバイスを製造するための新プロセス開発に従事していただきます。
デバイス形状を造るリソグラフィ、ドライ加工、ウェット、CMPなどのプロセス、及びデバイス特性を司る絶縁膜成膜、導電体成膜などのプロセスが対象となります。
【具体的には】
■先端デバイスを開発するためにデバイスグループやインテグレーショングループと連携して業務を行っていただきます。
■300mmウェハでのデバイス・ロットを流すためにプロセス条件出しや環境整備を行っていただきます。
■工程で課題のあるプロセスについては課題の要因を抽出、解決するための物理モデル構築、それらのモデルを検証するために物理分析や化学分析を活用していただきます。
■課題の要因が理解できたところで、対策プロセスを立案し、その結果を確認していただきます。また、先端デバイスでは既存の装置では実現できない新規のプロセスが必要となります。新プロセスを実現するために装置メーカーとの共同開発、新規設備の導入をすることもあります。
【使用ツール】
半導体前工程の300mmウェハ装置を主に使用してプロセス開発を行います。
クリーンルームでの作業もありますが、作業担当の方に依頼することが可能です。
【業務のやりがい・魅力】
世の中にアピールすることができる消費電力が低い新メモリデバイスを開発しています。製品化を実現できれば、会社のビジネス拡大に寄与することができます。
さらには低消費電力のデバイス利用が拡大することで膨大な電力を消費するデータセンターの消費電力を削減し、社会貢献することができます。
- 応募資格
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- 必須
- ■物理・化学・材料工学などの理工学系基礎知識を有し、それらをベースとしたデータ解析・課題解決（物理モデル構築や要因解析など）の実務経験
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 三重県
- 勤務時間
- 08:30 - 17:15（コアタイム：00:00 - 00:00）
- 年収・給与
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550万円～1260万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険
【諸手当】
次世代育成手当（18歳未満の扶養対象児童一人あたり15，000円／月）、住宅費補助、通勤手当(規定による)、時間外勤務手当、在宅勤務手当、残業代全額支給等
【待遇・福利厚生】
独身寮、単身寮、家族社宅、在宅勤務制度、財形貯蓄制度、企業年金制度
- 休日休暇
- 年間125日／（内訳）完全週休2日制（土日）、祝日、GW、夏季、年末年始、有給、育児休暇、介護休暇、赴任休暇 等
