募集要項
- 仕事内容
-
アンリツが現在保有する3-5族化合物半導体デバイス技術と、シリコンフォトニクスおよびそれをベースとした異種材料集積技術とを組み合わせ、新しい光通信/光センシングデバイスを開発するプロジェクトを立ち上げリーダーとしてプロジェクト全体の構想設計、ターゲット市場の明確化、光集積回路の設計、ファウンドリの選定と交渉まで多岐にわたる業務を担当いただきます。ご経験や志向に応じて、将来的にはマネジメントポジションとしての役割も期待しています。
【部門紹介】
有機金属気相成長装置および各種半導体プロセス装置を社内保有し（一部は製造子会社アンリツデバイス（株）と共有）、エピタキシャル成長からチップ化、ファイバ付きモジュール化まで一気通貫で開発し、EDFA励起用高出力LD、半導体光増幅器、外部共振器レーザ用ゲインチップ、スーパールミネッセントダイオード等の製品群を擁しています。さらにMEMSを用いた外部共振型波長掃引光源技術も保有し、これを用いた最先端の光干渉計測技術の開発など、非常に幅広い光技術者が集まっています。また居室・実験室・製造ラインが全て１つの建屋に集積しており、事業の全体像がつぶさに把握できる環境です。
【やりがい・魅力】
大手の系列でない独立系の半導体デバイスサプライヤとして世界中から引合があります。またアンリツの計測器事業のみならず世界の計測器メーカ向けに少量ながら高性能・特殊仕様のデバイスを供給するなど独自のビジネスモデルも有しています。光通信・光センシングのニッチな市場を小回りの利く体制でユーザニーズに応え、世界に存在感を示す醍醐味があります。
- 応募資格
-
- 必須
-
【必須】
■光デバイス（半導体レーザ、光導波路等）の設計・開発経験（5年以上）
■シリコンフォトニクスまたはIII-V系デバイスに関する基礎知識
■外部パートナー（顧客／ファウンドリ等）との技術折衝経験
■TOEIC600点以上またはビジネスレベルの英語力
【歓迎】
■III-V/Si異種材料集積の設計・評価経験
■ファウンドリ活用経験（PDK、MPW等）
■光通信デバイス（トランシーバ、CPO等）の知識、経験
■光センシング技術に関する知識、経験
■プロジェクトマネジメント経験
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 神奈川県
- 年収・給与
- 580～800万円
