設計・開発エンジニア(半導体)
【横浜】高周波化合物半導体エピタキシャル結晶成長技術開発及び量産展開
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掲載期間:26/07/22~26/08/04求人No:JACT-NJB2358334
NEW設計・開発エンジニア(半導体)

【横浜】高周波化合物半導体エピタキシャル結晶成長技術開発及び量産展開

マネジメント業務なし 英語力が必要 転勤なし 土日祝休み
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募集要項

募集背景
非公開情報も含むため、詳しくは求人紹介時に担当コンサルタントよりご案内いたします。
仕事内容
化合物半導体デバイスメーカーでの募集です。
プロセスエンジニア(半導体)のご経験のある方は歓迎です。
【職務内容】
高周波化合物半導体エピタキシャル結晶成長技術開発及び量産展開

【具体的にお任せする業務】
・GaN系化合物半導体のエピタキシャル結晶成長プロセスの技術開発
・MOCVD等を用いた結晶成長条件の最適化
・新製品・新構造に対応する結晶成長技術の確立
・量産ラインへの技術展開・歩留まり安定化
・結晶品質の評価・解析

【仕事の特徴・面白さ】
・エピタキシャル結晶成長を担うチームに配属。技術開発と量産展開の両面に携われます。
・プロセス開発やデバイス設計との連携が日常的にあり、エピ技術がデバイス性能にどう影響するかが直接見える環境です。
応募資格
必須
【応募資格】(専門知識/能力)
以下のいずれかの経験をお持ちの方  
・化合物半導体(GaN、GaAs等)のエピタキシャル結晶成長経験をお持ちの方
・MOCVD、MBE等による結晶成長技術のご経験をお持ちの方
・半導体業界での経験があり、結晶成長技術に関心をお持ちの方(再教育可能)
【以下の経験・技術をお持ちの方を歓迎します。】
・GaN HEMT向け結晶成長の開発経験
・高周波デバイスに関する知識
・量産展開・歩留まり改善のご経験
・結晶品質の評価・解析技術のご経験
フィットする人物像
JAC Recruitmentでは、担当コンサルタントが直接企業へ訪問。だからお伝えできることがあります。
面談の際に、採用担当者からお聞きした情報やコンサルタント自身が感じた選考のポイントを皆さまへお届けします。
雇用形態
無期雇用
勤務地
神奈川県
勤務時間
【就業時間】08:30 ~ 17:15
【労働時間制等】フレックスタイム制
【コアタイム】11:00 ~ 14:00
年収・給与
【年収】450万円 - 800万円
待遇・福利厚生
詳細は求人ご紹介時にご案内いたします。
休日休暇
詳細は求人ご紹介時にご案内いたします。
キャリアパス・評価制度
【昇給】年1回 (4月)

会社概要

社名
非公開
事業内容・会社の特長
化合物半導体デバイスメーカー
※詳細は求人紹介時にご案内いたします。
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この求人の取扱い紹介会社ご相談や条件交渉などのサポートを行います。 取扱い紹介会社の詳細へ

株式会社ジェイ エイ シー リクルートメント
厚生労働大臣許可番号:13-ユ-010227紹介事業許可年:1988年
設立
1988年3月
資本金
6億7226万円
代表者名
代表取締役会長兼社長 田崎ひろみ
従業員数
法人全体:2,400名

人紹部門:2,000名
事業内容
人材紹介業
厚生労働大臣許可番号
13-ユ-010227
紹介事業許可年
1988年
紹介事業事業所
東京本社・北海道支店・東北支店・北関東支店・横浜支店・静岡支店・浜松支店・名古屋支店・京都支店・大阪支店・神戸支店・中国支店・福岡支店
登録場所
東京本社
〒101-0051 東京都千代田区神田神保町1-105 神保町三井ビルディング14階
ホームページ
https://www.jac-recruitment.jp/
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