募集要項
- 募集背景
- 非公開情報も含むため、詳しくは求人紹介時に担当コンサルタントよりご案内いたします。
- 仕事内容
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大手グループ半導体デバイスメーカーでの募集です。(1)GaN HEMTのウエハプロセス開発
プロセスエンジニア(半導体)のご経験のある方は歓迎です。
(2)多層配線(電極材料、層間絶縁膜、平坦化)技術開発
(3)放熱・実装に関するプロセス開発(基板研削、ビアやチップ分離加工、裏面金属形成等の加工技術)
(4)受動素子(キャパシタ、インダクタ、抵抗)形成プロセス開発
*保有スキルにより業務振り分けは可能。
自分たちの製造した半導体レーザが、世界中のデータセンターに導入されてAI化社会を実現していくという社会的な意義の達成感があります。
微細且つ複雑な半導体レーザ素子の物理を解き明かして、これを製品製造に応用していく面白さも魅力です。
キャリアパスの機会は新卒採用者に準じて提供します。
・社内育成プログラムに沿った各種教育を定期的に実施
・グループ内で実施の各種教育プログラム受講や部門内教育プログラムの受講機会を随時提供
・社外講習会、展示会、学会聴講などの機会を随時提供
- 応募資格
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- 必須
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<必須要件>
以下のいずれかの経験をお持ちの方
・各種半導体ウェーハプロセス研究・開発経験者
・プロセス装置の選定/導入/立上げ経験者
・ステッパー、ドライエッチャー、CVDなどを用いたウエハプロセス実務経験者
・高周波増幅器(GHzオーダ)のRF測定スキル・電磁界解析による設計スキル
- フィットする人物像
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JAC Recruitmentでは、担当コンサルタントが直接企業へ訪問。だからお伝えできることがあります。
面談の際に、採用担当者からお聞きした情報やコンサルタント自身が感じた選考のポイントを皆さまへお届けします。
- 雇用形態
- 無期雇用
- 勤務地
- 山梨県
- 勤務時間
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【就業時間】08:30 ~ 17:15
【労働時間制等】フレックスタイム制
【コアタイム】11:00 ~ 14:00
- 年収・給与
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【年収】450万円 - 800万円
- 待遇・福利厚生
- 詳細は求人ご紹介時にご案内いたします。
- 休日休暇
- 詳細は求人ご紹介時にご案内いたします。
- キャリアパス・評価制度
- 【昇給】年1回 (4月)
